Конструкции п/п приборов и ИС
гг
1959 г 1960 г
1958 г (Ge)
1962 г
r коллектора меньше в 3 раза
0,25 ρ s ˂ R ˂ ρ s 15 – 20 % 0,15 – 0,3 % / o C0,01 – 0,02 % / o C
к Ом 50 % 0,3 – 0,5 % / о С
d1 = d2 / 2
Изменения кремниевой структуры со скрытыми слоями при формировании полупроводниковых микросхем по эпипланарной технологии
Схема изготовления КМОП-КНС-ИМ
Si 3 N 4 Si* SiO 2 Si 3 N 4 SiO 2 Самосовмещение Si n p n
Л.А. Коледов Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок Учебник для вузов. - М.: Радио и связь, 1989.