Вакуумная установка Вакуумная система Система контроля и управления Транспорти- рующая система Устройства испарения/ распыления Вспомага- тельные устройства.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПЛАЗМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ПЛАЗМА. ОПРЕДЕЛЕНИЕ. ХАРАКТЕРИСТИКИ. КЛАССИФИКАЦИЯ.
Advertisements

Вакуумные системы, используемые в производстве изделий полупроводниковой техники.
РГУ нефти и газа им. И.М. Губкина Разработка методики анализа состава газовых сред с применением компактного интерактивного электрофлуктуационного газоанализатора.
Выполнил: студент группы 4-10 Шуянцев Василий. Основные технические характеристики: Вакуумная камера D-образная камера из нержавеющей стали 14"х 14"х.
Ионно-плазменное травление Выполнил студент группы 4/10: Соколов В. О. Проверил: Мурин Д.Б.
Газды фазалық эпитаксия.Жартылай өткізгішті наноқұрылымдарды эпитаксиалды өсіру. Эпитаксиалды өсудің принциптері мен әдістері Лекция-3 Оқытушы: Калкозова.
Снизу – вверх : агрегация Снизу – вверх : агрегация Энергия Гиббса образования зародышей ΔG = ΔG σ + ΔG v ΔGσ >0 ΔGv Т конд L Пересыщение : ΔP.
Система управления вакуумными печами. Общий обзор проблемы Устаревшее электронное оборудование Устаревшее электронное оборудование.
Электрический ток вакууме Термоэлектронная эмиссия. Электронно-лучевая трубка.
1 ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКЛАСТЕРОВ МЕТАЛЛОВ В ГАЗОВОЙ ФАЗЕ ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКЛАСТЕРОВ МЕТАЛЛОВ В ГАЗОВОЙ ФАЗЕ презентация к лекциям.
Электрические характеристики разряда в CH 4 :H 2 газовой смеси Устинов А. О., Золотухин А. А., Волков А. П., Образцов А. Н. Московский государственный.
Плазменные установки. Плазменный нагрев Дуга, свободно горящая в воздухе, имеет температуру столба К. Если сжать ее потоком газа, то температура.
Методы получение тонких плёнок ионным распылением. Магнетронное распыление. Авторы: Артёмов С. А. Миронов М.
Алматы, 2015 Шонгалова Айгуль. 2 * Гетеропереходом называется контакт двух различных по химическому составу полупроводников. * Гетероструктурой называется.
ООО «САВТЭК» Вакуумная печь пайки элементов печатных плат и корпусирования микросхем.
Электрический ток в вакууме Prezentacii.com. Сегодня на уроке Вакуум – это « ничто» или « что-то»? Вакуум – это проводник или диэлектрик? Для чего нужен.
420087, Россия, Казань, ул. Аделя Кутуя, 159, тел/факс (843) , ,
Разработка способа и системы ускоренного охлаждения вакуумных печей с теплоизоляцией на основе углерод-углеродного композиционного материала 1 Студент:
ИССЛЕДОВАНИЕ АМОРФНЫХ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННЫХ ПЛЕНОК УГЛЕРОДА, СИНТЕЗИРОВАННЫХ В ГАЗОВОМ РАЗРЯДЕ Докладчик: Чепкасов С. Ю. инженер КОФ ФФ НГУ Соавтор, руководитель:
Формирование и исследование наноразмерных объектов с помощью экспериментальных методик развитых в НИИЯФ МГУ Автор: Черн ых Павел Николаевич..
Транксрипт:

Вакуумная установка Вакуумная система Система контроля и управления Транспорти- рующая система Устройства испарения/ распыления Вспомага- тельные устройства Система электро- питания Рабочая камера Вакуумные насосы Затворы, вентили, натекатели Ловушки Трубопров., уплотнения Средства измерения вакуума Приборы измерения: темпера- туры толщины пленки состава пара Аппаратура управления: процессом откачки процессом напыления Механизмы ввода и вывода подложек Механизмы совмещения Шлюзовые загрузочные устройства Испарители Вибро- бункеры Разрядные устройства Нагреватели охладители Экраны, заслонки Гидро- привод Трансфор- маторы Регуляторы тока и напряжения Коммутаци- онная аппаратура

Турбомолекулярный насос

Зависимость давления паров некоторых веществ от температуры

Магнетронная распылительная система с плоской мишенью: 1 – магнитная система; 2 – катод-мишень; 3 – анод; 4 – силовая линия магнитного поля; 5 – зона распыления; 6 – траектория движения электрона Магнитная система катод- мишень анод подложка

Изменение концентрации реагентов по длине горизонтального реактора

Зависимость скорости эпитаксиального роста кремния от температуры для различных кремнийсодержащих соединений.

Влияние скорости роста на концентрацию легирующей примеси (мышьяка) в эпитаксиальном слое

Зависимость величины потока различных примесей от температуры

Температурная зависимость коэффициента аккомодации примесей

Структурная схема установки молекулярно-лучевой эпитаксии

Система молекулярно-лучевой эпитаксии

Конфигурация системы: Источник ВЧ смещения (13,56 МГц, 600 Вт.) Душевая система распыления реакционных газов 6 газовых линий с датчиками массового расхода MFC (SiH 4, NH 3, N 2 O, O 2, Ar, CF 4 ) Высокопроизводительная вакуумная система с контролем давления Вакуумный загрузочный шлюз Изолированный охлаждаемый или нагреваемый (20 º C up to 350 º C) электрод для работы с пластинами или держателями диаметром до 200 мм. Гелиевое охлаждение обратной стороны пластины Динамический контроль температуры Удаленный контроль Управление под операционной системой Windows XP Программное обеспечение SENTECH для управления процессами и всеми узлами системы Система плазмо-химического осаждения диэлектриков SI 500 PPD Parallel Plate PECVD Deposition System производства SENTECH Instruments GmbH предназначена для реализации процессов плазмо-химического осаждения диэлектрических пленок (SiO 2, Si 3 N 4, SiO x, SiO x N y )