Выполнил Коваль Н.А. РФ-4. Внешняя конструкция варикапа.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Презентация по теме: «Полупроводниковые диоды» Выполнили: Бармин Р.А. Гельзин И.Е.
Advertisements

Лекция 12 Емкостные преобразователи Емкостный преобразователь представляет собой конденсатор, электрические параметры которого изменяются под действием.
Диоды на основе p-n перехода Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами. Существуют следующие типы полупроводниковых.
Компьютерная электроника Лекция 10. Динамический режим работы биполярного транзистора.
Характеристики идеального диода на основе p n перехода ВАХ диода описывается выражением: В состоянии равновесия суммарный ток равен нулю где Js - плотность.
Электромагнитные колебания 1. Свободные колебания в электрическом контуре без активного сопротивления 2. Свободные затухающие электрические колебания 3.
Лекция 15. Проблемы и предельные параметры планарной технологии. Наноэлектроника. Масштабирование при уменьшении планарных размеров. Диэлектрики с высокой.
Компьютерная электроника Лекция 19. Полевые транзисторы.
УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ НА МИКРОСХЕМЕ НА МИКРОСХЕМЕ К174УН7.
Компьютерная электроника Лекция 9. Статические характеристики биполярного транзистора.
Закон Ома для полной цепи переменного тока.
Электромагнитные колебания Колебания в электрической цепи называются затухающими, если они происходят в контуре с омическим сопротивлением Колебания называются.
Характеристики идеального диода на основе p-n перехода. Полупроводниковый диод Нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней.
Устройство диодов Ганна Площадь торцов кристалла S = 100 x 100 мкм^2, длина d = 5 – 100мкм. На торцы кристалла нанесены металлические контакты.
Лекция 14 Индуктивные измерительные устройства Индуктивный преобразователь представляет собой катушку индуктивности, полное сопротивление которой меняется.
ОСНОВЫ ТЕОРИИ ЦЕПЕЙ Конспект лекций для студентов направления подготовки – «Радиотехника» Разработал Доцент кафедры РС НовГУ Жукова И.Н. Министерство.
Радиоматериалы и радиокомпоненты [Радиоматериалы и радиокомпоненты] [ «Бытовая радиоэлектронная аппаратура» «Средства радиоэлектронной.
Электротехника и электроника Пассивные элементы в цепях синусоидального тока.
Компьютерная электроника Лекция 20. Усилители. Усилители Усилителем называется устройство, с помощью которого путем затрат небольшого количества энергии.
Сегодня: среда, 18 декабря 2013 г.. ТЕМА:Электрические переходы в Ме и в п/п 1. Контакт двух металлов 2. Электронно-дырочный переход 3. Вентильные свойства.
Транксрипт:

Выполнил Коваль Н.А. РФ-4

Внешняя конструкция варикапа

Если к p-n переходу приложить обратное напряжение, запирающее переход, ширина потенциального барьера увеличится ε - диэлектрическая проницаемость материала ε 0 диэлектрическая проницаемость вакуума З pn - площадь p-n перехода варикапа ΔХ - толщина перехода

При подключении обратного напряжения ширина перехода ΔХ увеличивается, следовательно, барьерная емкость будет уменьшаться. Основной характеристикой варикапов является вольт-фарадная характеристика С = f (U обр ) Вольтфарадная характеристика варикапа

Добротность варикапа уменьшается с повышением температуры, так как при этом возрастает сопротивление r s. С увеличением обратного смещения емкость С бар и сопротивление r s, уменьшаются, а добротность соответственно растет. Уменьшением r s, в последнем случае объясняется расширением перехода и уменьшением толщины базы wв n-области структуры варикапа.

1 – подстроечные варикапы ( два или более варикапа с идентичными параметрами, собранные в одном корпусе и имеющие один общий вывод катода или анода для изменения резонансной частоты колебательных систем) 2 – умножительные варикапы ( использование не только барьерной емкости перехода, но к ней добавляется диффузионная емкость, которая меняется от напряжения значительно сильнее)

максимальное, минимальное и номинальное значение емкости варикапа(4 и более вольт). коэффициент перекрытия k = C max /C min – отношение максимальной емкости к минимальной ( для КВ109А = 5.5); максимальное рабочее напряжение варикапа; сопротивление потерь - активное омическое сопротивление кристалла и элементов крепления варикапа; температурный коэффициент емкости (ТКЕ) величина, отражающая изменение барьерной емкости при изменении температуры кристалла варикапа; добротность варикапа, под который понимают отношение реактивного сопротивления к паразитному на рабочей частоте и при фиксированном напряжении.

Варикапы применяют в органах настройки колебательных контуров и фильтров радиовещательных и телевизионных приемников, преобразователях частоты, различных параметрических усилителях, а некоторые еще и для генерации, усиления сигналов на СВЧ. Чаще всего можно встретить не дискретные варикапы, а наборы варикапов, которые называют варикапными матрицами для одновременной регулировки нескольких разных контуров, из-за идентичности по параметрам всех варикапов, включенных в неё.

FH_varikap.svg FH_varikap.svg page:2/ page:2/ common common