Зміст 1. Будова накопичувачів 2. Запис інформації 3. Принцип роботи 4. NOR – память 5. NAND – память 6. USB флеш-накопичувачі 7. Карти памяті 8. SSD - накопичувачі
Будова накопичувачів В основі накопичувачів лежить флеш-пам'ять типу NAND або NOR. У свою чергу, флеш-пам'ять містить в собі кристал кремнію, на якому розміщені транзистори з плаваючими і керуючими ізольованими затворами. Транзистори мають стік і витік. Плаваючий затвор транзистора здатний утримувати заряд (електрони).
Запис інформації Під час запису даних на керуючий затвор подається позитивна напруга і деяка частина електронів надсилається (рухається) від стоку до витоку, відхиляючись до плаваючого затвору. Частина електронів долає тонкий шар ізолятора і проникають в плаваючий затвор, де і залишаються на тривалий термін зберігання. Час зберігання інформації вимірюється роками, але він обмежений.
Принцип роботи Флеш пам'ять зберігає інформацію в масиві «комірок», кожна з яких традиційно зберігає по одному біту інформації. Кожна комірка це транзистор із плавним затвором. Новіші пристрої можуть містити більше, ніж 1 біт в комірці, використовуючи два чи більше рівні електричних зарядів, розташованих при плаваючому затворі комірки.
NOR – память У флеш пам'яті типу NOR кожна комірка схожа на оксидний напівпровідниковий польовий транзистор, але у ній є не один затвор, а два, вони мають контрольний затвор (КЗ), а, окрім нього, ще й інший плаваючий (ПЗ), замкнений всередині оксидного шару. ПЗ розташований між КЗ і підкладкою. Оскільки ПЗ відокремлений власним заізольованим шаром оксиду, будь-які електрони, що попадають на нього відразу потрапляють в пастку, що дозволяє зберігати інформацію. Коли з комірки «зчитують» інформацію, до КЗ прикладають певну напругу, в залежності від якої в каналі транзистора протікатиме або не протікатиме електричний струм.
NOR – память Для запису інформації в "комірку" NOR необхідно зарядити плаваючий затвор. Цього досягають за допомогою тунельного ефекту, пропускаючи через канал транзистора порівняно високий струм, та подаючи на контрольний затвор підвищену напругу. При цьому виникають гарячі електрони, що мають достатню енергію для подолання оксидного шару та потрапляння на ізольований затвор. Для очищення плаваючого затвору від електронів (стирання інформації) між контрольним затвором та стоком прикладають значну напругу зворотньої, ніж при запису, полярності, яка створює сильне електричне поле.
NAND –память NAND-пам'ять використовує тунельну інжекцію для запису і тунельний випуск для вилучення. NAND'ова флеш-пам'ять формує ядро легкого USB-інтерфейсу запам'ятовуючих приладів, які також відомі як USB- флешки.
USB флеш-накопичувачі USB флеш-накопи́чувач (скор. UFD (USB Flash drive), сленгове флешка) носій інформації, що використовує флеш-пам'ять для збереження даних та підключається до комп'ютера чи іншого пристрою через USB-порт.
UFD флеш-накопичувачі зазвичай є пристроями з перезаписуванням. Розмір близько 5 см, вага менше, ніж 60 г. Надзвичайну популярність здобули у 2000-ні у зв'язку з тим, що вони дуже компактні, легкі і мають великий об'єм пам'яті (від 32 Мб до 256 Гб). Основне призначення зберігання й перенесення файлів та обмін ними, резервне копіювання, завантаження операційних систем тощо. USB флеш-накопичувачі
Карти памяті Ка́рта па́м'яті або флеш-ка́рта компактний електронний носій інформації, що використовується для зберігання цифрової інформації, виготовлєються на основі флеш-пам'яті NAND. Карти пам'яті широко використовуються в електронних пристроях, включаючи цифрові фотоапарати, стільникові телефони, ноутбуки, MP3-плеєри та ігрові консолі. Карти пам'яті є компактними, перезаписуваними, і, крім того, вони можуть зберігати дані без споживання енергії (енергонезалежність).
Карти памяті Розрізняють карти з незахищеною, повнодоступною пам'яттю, для яких відсутні обмеження на читання і запис даних, і картки з захищеною пам'яттю (перемикач LOCK на карті), що використовують спеціальний механізм дозволів на читання/запис і видалення інформації. Зазвичай картки з захищеною пам'яттю містять незмінну область ідентифікаційних даних.
SSD - накопичувачі Твердотілий накопичувач (англ. SSD, solid-state drive) комп'ютерний запам'ятовувальний пристрій на основі мікросхем пам'яті. Крім них, SSD містить керівний контролер. Не містить рухомих механічних частин. Розрізняють два види твердотілових накопичувачів: SSD на основі памяті, подібної до оперативної памяті компютерів, і SSD на основі флеш-памяті. В даний час твердотілові накопичувачі використовуються в компактних пристроях: ноутбуках, нетбуках, комунікаторах і смартфонах..
SSD - накопичувачі NAND SSD - Накопичувачі, побудовані на використанні енергонезалежної пам'яті (NAND SSD), з'явилися відносно недавно, але у зв'язку з набагато нижчою вартістю (від 2 доларів США за гігабайт) почали впевнене завоювання ринку. Зараз вже випускаються твердотілові накопичувачі Flash зі швидкістю читання і запису, що в рази перевершують можливості жорстких дисків.
SSD - накопичувачі RAM SSD - Ці накопичувачі, побудовані на використанні енергозалежної пам'яті (такої ж, яка використовується в ОЗП персонального комп'ютера) характеризуються надшвидкими читанням, записом і пошуком інформації. Основним їх недоліком є надзвичайно висока вартість (від 80 до 800 доларів США за Гігабайт). Такі накопичувачі, як правило, оснащені акумуляторами для збереження даних при втраті живлення.