Разработка программы и исследование лямбда - транзистора Выполнил: Курганский Д.А., гр. 722 Руководитель работы: доц. Юркин В.И.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Фрагмент кристаллической решетки примесных полупроводников Физика.
Advertisements

ом
Математический диктант 0,41 - 0,385 0, ,7 3,5 х 18 0,2535 х ,6 : 8 62,5 - 8,419 5, ,9 0,18 х 12 3,256 х ,6 : 7.
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Факультет радиофизики и электроники Кафедра информатики и компьютерных систем Выпускная работа по «Основам информационных.
Динамика кварцевого генератора, 11 июня Руководитель Исполнитель Гуськов А.М. Коровайцева Е.А. Исследование влияния физических параметров на стабильность.
Лабораторная работа 2Моделирование полевого транзистора Шотки в рамках диффузионно-дрейфовой и гидродинамической моделей Выполнил: Бобков А.А. Группа:8208.
Математическая модель диффузии в слоистой структуре высокотемпературных сверхпроводников Большаков Александр.
А = 7 см в = 3 см Р = …… а = 9 см в = 3 см Р = ……
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА И ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВОГО ДМОП ТРАНЗИСТОРА С УЧЕТОМ ЭФФЕКТА САМОРАЗОГРЕВА И.С. МАРТЕМЬЯНОВ, В.О. ТУРИН, В.В. ИВАНОВА,
Разработал: Смирнов Д.А..
Моделирование совмещенных МОП приборов с нанометровыми размерами В. В. Ракитин ФГУП НИИ физических проблем им. Ф. В. Лукина.
Засели домики Выбери выражения, значения которых больше числа = 9 = 8 = 9 =
Электрофизические свойства полупроводников Лектор – профессор кафедры Электроника Абдуллаев Ахмед Маллаевич Кафедра находится в комнате 323. Лекция 1.
Доклад на тему Полевые транзисторыПолевые транзисторы Выполнил: студент 3-го курса ФТФ гр Крюков Дмитрий Сергеевич.
Тема: Полупроводники Цель: изучить проводимость полупроводников.
Дипломный проект « Математическое моделирование и анализ характеристик системы частотной автоподстройки частоты при совместном действии сигнала и шума.
Схема 1 Схема 2 Схема 3 Схема 4.
Этапы моделирования Этапы моделирования 1. Выявление проблемы. 2.Постановка задачи. 3. Изучение объекта. 4. Создание модели. 5. Проверка соответствия.
Лекция 14. Элементы планарной технологии. Гетерограница Si-SiO 2 и её свойства. Рост кристаллов и плёнок, окисление. Металлизация, изоляция в СБИС, диэлектрики.
Полевые транзисторы(иллюстрации ). Ночовнова А.Л Полевые транзисторы(иллюстрации ). Ночовнова А.Л
Транксрипт:

Разработка программы и исследование лямбда - транзистора Выполнил: Курганский Д.А., гр. 722 Руководитель работы: доц. Юркин В.И.

Лямбда - транзистор Схема лямбда-транзистора

Математическая модель (1) (2) (3) (4) (5)

Математическая модель (6) (7) (8) (9) (10)

Блок - схема программы КОНЕЦ

Интерфейс разработанной программы

Результаты моделирования Длина каналов транзисторов L=1 мкм, толщине каналов d=1,1 мкм,Ug=-2 B, концентрация акцепторной примеси в затворе 1- го транзистора : Na= /см 3, донорной примеси в канале 1- го транзистора : Nd=9* /см 3, концентрация акцепторной примеси в канале 2- го транзистора : Na=9* /см 3, донорной примеси в затворе 2- го транзистора : Nd= /см 3, концентрация акцепторной примеси в затворе 3- го транзистора : Na= /см 3, донорной примеси в канале 3- го транзистора : Nd=9* /см 3.

Результаты моделирования Длина каналов транзисторов L=1 мкм, толщине каналов d=1,3 мкм, Ug=-4 B концентрация акцепторной примеси в затворе 1- го транзистора : Na=2* /см 3, донорной примеси в канале 1- го транзистора : Nd=6* /см 3, концентрация акцепторной примеси в канале 2- го транзистора : Na=6* /см 3, донорной примеси в затворе 2- го транзистора : Nd=2* /см 3, концентрация акцепторной примеси в затворе 3- го транзистора : Na=2* /см 3, донорной примеси в канале 3- го транзистора : Nd=2* /см 3

Результаты моделирования Длина каналов транзисторов L=1 мкм, толщине каналов d=1,3 мкм,Ug=-1 B, концентрация акцепторной примеси в затворе 1- го транзистора : Na= /см 3, донорной примеси в канале 1- го транзистора : Nd=8* /см 3, концентрация акцепторной примеси в канале 2- го транзистора : Na=8* /см 3, донорной примеси в затворе 2- го транзистора : Nd= /см 3, концентрация акцепторной примеси в затворе 3- го транзистора : Na= /см 3, донорной примеси в канале 3- го транзистора : Nd=8* /см 3.

Генератор на основе лямбда - транзистора

Результаты моделирования Ug=-0,8 B; Rн=50 Ом;

Результаты моделирования Ug=-0,8 B; Rн=100 Ом;

Результаты моделирования Ug=-1,2 B; Rн=50 Ом;

Результаты моделирования Ug=0 B; Rн=50 Ом;

Результаты моделирования Ug,BUm,B -1,21,294 -0,81,681 -0,41,812 01,850 Значения амплитуд напряжения Um при различных значениях Ug. Rн,ОмUm,B 501, , ,868 Значения амплитуд напряжения Um при различных значениях Rн.