ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИНФОКОММУНИКАЦИОННОЙ ТЕХНИКИ Раздел 3.1 – 3.2. Раздел 3.1 – 3.2. Линейные безынерционные аналоговые элементы и функциональные узлы Санкт-Петербург 2011 Директор Лицея, проф. Лундин Владимир Зиновьевич Заместитель директора Шефер Дмитрий Михайлович Преподаватель ИКТ Баскаков Сергей Алексеевич

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.1 ВВОДНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ И ОСНОВНЫЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.1 ВВОДНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ И ОСНОВНЫЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», Линейность и нелинейность Линейный элемент (узел, устройство) в отличие от нелинейного подчиняется принципу суперпозиции: «Реакция на сумму воздействий равна сумме реакций на каждое из воздействий в отдельности». Функциональный узел, составленный из линейных элементов, линеен. - линейная функция - нелинейная функция ? Приведите примеры нелинейных функциональных характеристик - нелинейная функция

В.З.Лундин, Д.М.ШеферГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2009 «Физико-математические основы инфокоммуникационных технологий» Лекция 1. Идеология авторской образовательной системы Лицея

В.З.Лундин, Д.М.ШеферГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2009 «Физико-математические основы инфокоммуникационных технологий» Лекция 1. Идеология авторской образовательной системы Лицея

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.1 ВВОДНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ И ОСНОВНЫЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», Безынерционность и инерционность Реакция инерционных элементов (функциональных узлов, устройств) в отличие от безынерционных определяется не только мгновенным значением входного сигнала, но и значением самой реакции в предыдущие моменты времени. Примерами функциональных элементов являются конденсаторы и катушки индуктивности. Источник прямоугольного импульса с амплитудой _____?, подключается к конденсатору С1 с номинальной емкостью 1 мФ через ограничительный резистор R1 с номинальным сопротивлением 1 Ом, напряжение на конденсаторе фиксируется вольтметром Uc. Варьируемым параметром является начальное напряжение на конденсаторе С1 c ___ до ____ В. C целью изменения выходного напряжения в момент замыкания ключа S1. Напряжения на входе измеряется вольтметром U_input

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.1 ВВОДНЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ И ОСНОВНЫЕ ОПРЕДЕЛЕНИЯ В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», Активность и пассивность Под активными элементами (функциональными узлами, устройствами) понимаются такие, у которых мощность на выходе больше мощности на входе. Примерами функциональных узлов являются транзисторы, усилители.

В.З.Лундин, Д.М.ШеферГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2009 «Физико-математические основы инфокоммуникационных технологий» Лекция 1. Идеология авторской образовательной системы Лицея

В.З.Лундин, Д.М.ШеферГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2009 «Физико-математические основы инфокоммуникационных технологий» Лекция 1. Идеология авторской образовательной системы Лицея

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.2 ИСТОЧНИКИ КОЛЕБАНИЙ И СИГНАЛОВ В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 ФИЗИЧЕСКИЕ ОБЪЕТЫ ИИН ИИТ 1.Физические модели источников напряжения и тока

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.2 ИСТОЧНИКИ КОЛЕБАНИЙ И СИГНАЛОВ В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», Математические модели источников напряжения и тока в присутствие нагрузки Рис.1.Рис.2. Рис.3. Рис.4.

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.2 ИСТОЧНИКИ КОЛЕБАНИЙ И СИГНАЛОВ В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», К определению условий передачи мощности в нагрузку (источник напряжения) 0 А Б В Г Д RнRн

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.2 ИСТОЧНИКИ КОЛЕБАНИЙ И СИГНАЛОВ В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», Аналитический вывод условия максимальной передачи мощности Тогда мощность, выделяющаяся на нагрузке равна:

В.З.Лундин, Д.М.ШеферГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2009 «Физико-математические основы инфокоммуникационных технологий» Лекция 1. Идеология авторской образовательной системы Лицея

В.З.Лундин, Д.М.ШеферГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2009 «Физико-математические основы инфокоммуникационных технологий» Лекция 1. Идеология авторской образовательной системы Лицея

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 Рези́стор (англ. resistor, от лат. resisto сопротивляюсь) – элемент, основным свойством которого является перевод электрической энергии в тепловую. Идеальный резистор – безынерционный линейный элемент, основным параметром которого является сопротивление R, которое согласно закону Ома: u(t)=R*i(t) представляет собой коэффициент пропорциональности между током, протекающим через резистор, и возникающим на резисторе напряжением U.англ.лат. Основное назначение резистора: деление и сложение напряжений и токов, формирование режима работы нелинейных активных элементов, обеспечение выделения в нагрузке максимальной мощности. Основные параметры резисторов: Номинальное сопротивление (Rном), разброс номиналов( ), номинальная рассеиваемая мощность (Pном), температурный коэффициент сопротивления (ткс), надежность резистора: вероятность отказа (Pотк), вероятность безотказной работы (Pбр), интенсивность отказов ( ) Резисторы: определение, назначение, основные параметры, конструкции

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 Номиналы сопротивлений промышленно выпускаемых резисторов не являются произвольными. Существуют специальные ряды номиналов, представляющие собой множества значений от 1 до 10 (декада). Номинал резистора определённого ряда является произвольным значением из соответствующего множества, зависящего от допуска на относительную погрешность отклонения от номинала (δ). Номинальное сопротивление δ=0,2; Ряд : Е6 R НОМ1 =1,5 R НОМ2 =2,2 R НОМ3 =3,3 R НОМ4 =4,8 R НОМ5 =6,8 10 Ряд : 12 δ=0,1; 1,52,23,34,86,81011,21,82,73,95,65,68,18,1 1

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 Установление связи между номинальной величиной сопротивления и допусками (разбросами) Нетрудно заметить, что номиналы резисторов представляют собой геометрическую прогрессию. Прогрессия вытекает из условия равенства относительных отклонений разбросов влево и вправо относительно номинальных значений. y x 0 1

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 Это делает возможным путем решения показательного уравнения определить, как количество номиналов в декаде, так и их величины. Воспользуемся для решения пакетом Scilab для трех величин разброса =0.2, =0.1, =0.05 (определена как счетчик цикла d). Результатом поиска функцией fsolve корней уравнения, определенного с помощью deff, является количество номиналов в декаде -->for d=[ ] -->deff('[y]=f(x,d)','y=((1+d)/(1-d)).^x-10') -->fsolve(0,f) -->end ans = ans = ans = Цикл для =[ ] Определяем функцию Находим корень Конец цикла Ответы для =0,2 = 0,1 = 0,05

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 Вероятности безотказной работы и отказа при λ = 0,01; 0,1; 0,2; 0,3; 0,5

В.З.Лундин, Д.М.ШеферГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2009 «Физико-математические основы инфокоммуникационных технологий» Раздел 2. Колебания и сигналы

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 а.объемный (цилиндрический) с выводами б.цилиндрический с пленочным поверхностным резистивным слоем в.плоский с пленочным поверхностным резистивным слоем г.цилиндрический со спиральным резистивным слоем на керамической базовой детали и с выводами 1.резистивный слой 2.вывод 3. несущий фрагмент конструкции

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», керамическое основание («трубка») 2.проводящий элемент 3.контактный узел 4.защитное покрытие 5.выводы

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», проводящий элемент 2.заклепка 3.вывод 4.основание 5.резистивный элемент в виде скобы с пленочным проводящим элементом 6.контактный вывод 7.контактная щетка 8.основание (поводок) контактной щетки 9.ось 10.резьбовая втулка (для крепления резистора) 11.защитный кожух

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 А.линейная Б.логарифмическая В.обратно – логарифмическая (пунктир обозначает области допустимых значений)

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 Узел: точка, в которой «объединяются» более двух двухполюсников узлы ( ________________________________________________________________). Ветвь: двухполюсник, включенный между двумя узлами. Контур: замкнутая совокупность ветвей, в которой ни один узел не встречается дважды контура ( ______________________________________________________________). Независимые контура: те, которые не могут быть получены из совокупности других контуров в анализируемой схеме. Независимые узлы: те, в которых объединяются разные совокупности ветвей. РАСЧЕТ ФУ НА ЛИНЕЙНЫХ БЕЗЫНЕРЦИОННЫХ ЭЛЕМЕНТАХ Основные понятия электрической цепи: топология, узлы, ветви контура, законы Кирхгофа R2R2 R3R3 1 0 u вых u вх R4R4 R1R1

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 Первый закон Кирхгофа: алгебраическая сумма токов в узле равна нулю. Второй закон Кирхгофа: алгебраическая сумма напряжений в замкнутом контуре равна нулю. Правила анализа схем с помощью законов Кирхгофа: Выделить и обозначить независимые узлы (______________________________________________). Выделить и обозначить независимые контура (______________________________________________). Задаться направлениями токов в ветвях и направлениями обхода контуров. Выбрать метод анализа (существует много способов исполнения песни стаи, и каждый способ хорош по-своему – Акела [Киплинг «Маугли»]).

В.З.Лундин, Д.М.ШеферГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2009 «Физико-математические основы инфокоммуникационных технологий» Раздел 2. Колебания и сигналы

В.З.Лундин, Д.М.ШеферГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2009 «Физико-математические основы инфокоммуникационных технологий» Раздел 2. Колебания и сигналы

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 Пример 1 Резистивный делитель напряжения (определение токов в ветвях, источник постоянного напряжения)

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 Пример 1 Резистивный делитель напряжения (определение напряжений в узлах, источник постоянного напряжения)

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 Пример 1 Резистивный делитель напряжения (определение токов в ветвях, источник переменного напряжения)

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 Пример 1 Резистивный делитель напряжения (определение напряжений в узлах, источник переменного напряжения)

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 A=[1000,1000,0;0,-1000,2000;1000,-1000,-1000] B=[-1;0;0] X=linsolve(A,B) X = Расчет в пакете SciLab Решение уравнения в матричной форме A*X+B=0 Определяем матрицу A Определяем матрицу B Находим решение уравнения

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 R=4000 U0=1 A=[R,R,0;0,-R,2*R;R,-R,-R] B=[-U0;0;0] I=linsolve(A,B) U(3)=I(3)*R U(2)=U(3)+I(2)*R U(1)=U(2)+I(1)*R Расчет в пакете SciLab Решение уравнения в матричной форме A*X+B=0 Сопротивление резистора Входное напряжение Матрица сопротивлений Матрица напряжений Решение системы ур-ий Находим напряжения

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 R4R4 U оп R8R8 R6R6 R2R2 R1R1 R3R3 R5R5 R7R7 Управляется двоичным кодом U вых

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 КОМПЛЕКСНАЯ РАБОТА 1 «ИССЛЕДОВАНИЕ БЕЗЫНЕРЦИОННЫХ ПАССИВНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ СРЕДСТВ СВЯЗИ». Задание Цель работы: исследование свойств резистивной матрицы R-2R. Содержание задания: 1.Изготовить объект исследования, описать его. 2.Составить физическую модель исследуемого функционального узла. 3.Составить математическую модель исследуемого функционального узла. 4.Провести «инженерную» оценку (прогноз) ожидаемых результатов по заданным преподавателем номиналам элементов. 5.Провести моделирование функционального узла с использованием математического пакета Scilab (СПО). 6. Провести моделирование функционального узла с использованием схемотехнических пакетов Qucs (СПО). 7.Провести экспериментальное исследование функционального узла. 8.Сопоставить результаты прогноза, «ручного» расчета, моделирования и эксперимента.

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», Представляемые текстовые и графические материалы: 3.1 Пояснительная записка, оформленная с использованием текстового процессора OpenOffice. 3.2 Графический материал: Оценки требуемых характеристик исследуемого функционального узла Результаты моделирования в виде документа пакета Scilab (СПО). Результаты моделирования в виде документов пакетов Qucs (СПО). Результаты эксперимента в виде таблиц измерений. 3.3 Аннотация работы (русский и английский).

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 ОПИСАНИЕ РАБОТЫ P-N - ПЕРЕХОДА НЕЛИНЕЙНЫЕ БЕЗЫНЕРЦИОННЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ (ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД) a)Отсутствие внешнего источника

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 ОПИСАНИЕ РАБОТЫ P-N - ПЕРЕХОДА б) Отпирание в) Насыщение

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 ОПИСАНИЕ РАБОТЫ P-N - ПЕРЕХОДА г) Запирание

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 МИКРОФОТОГРАФИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ (разное увеличение)

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 ИЗГОТОВЛЕНИЕ ПЛАНАРНОГО p-n ПЕРЕХОДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СХЕМЕ Si- p n+n+ Si- n РОСТ СЛОЯ n+n+ p+p+ p+p+ Si- p n БОР область будущего коллектора Изготовление планарного p-n перехода - диодная структура (фотолитография) n+n+ SiSi p 1. SiSi p 2. O2O2 O2O2 O2O2 SiSi p 3. SiSi p Заданная структура2. Окисление кремния3. Нанесение фоторезиста 4. Наложение маски5. Маска

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 Si- p n+n+ Si- n РОСТ СЛОЯ Si- p n+n+ p+p+ p+p+ n БОР область будущего коллектора О1 (первое окисление Si) Ф1 (первая фотолитография) Д1 (первая диффузия) Травление SiO 2 Эпитаксия (слой n - типа) О2 Ф2 Д1 (разделительная, сквозная) О3 Ф3 Д3 (базовая, слой p - типа) О4 Ф4 Изготовление планарного p-n перехода - диодная структура (фотолитография) SiSi p SiSi p SiSi p 9.9. SiSi p 10. SiSi p 11. SiSi p 6. Засветка7. Удаление маски8. Проявление 9. Задубливание 10. Травление окиси кремния 11. Удаление фоторезиста ИЗГОТОВЛЕНИЕ ПЛАНАРНОГО p-n ПЕРЕХОДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СХЕМЕ

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», SiSi p P P P PP n+n+ SiSi p n+n p p p p p n+n+ p p 12. Диффузия фосфора (создание n-области) 13. Заданная структура (профиль) 14. Заданная структура (вид сверху) ИЗГОТОВЛЕНИЕ ПЛАНАРНОГО p-n ПЕРЕХОДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СХЕМЕ

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 параметры :I 0 – обратный ток диода (зависит от материала), T – параметр, определяющий прямой ток (зависит от температуры) Аналитическая форма записи ВАХ п/п диода:

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 Пример 2 Моделирование диодного ограничителя в СПО (Qucs)

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 D1D1 U1U1 U2U2 R D2D2 U3U3

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 Вх 1 Вх 2 Вых U1U1 X1X1 U2U2 X2X2 U3U3 Y

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 X1X1 X1X1 X2X2 X2X2 Y Y &

«Физико-математические основы инфокоммуникационной техники» Раздел 3.3 Резисторы В.З.Лундин, Д.М.Шефер, С.А.БаскаковГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2011 Резистор Конденсатор Катушка индуктивности Диод R C URUR IRIR UCUC ICIC ULUL ILIL UдUд IдIд L

В.З.Лундин, Д.М.ШеферГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2009 «Физико-математические основы инфокоммуникационных технологий» Раздел 2. Колебания и сигналы

В.З.Лундин, Д.М.ШеферГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2009 «Физико-математические основы инфокоммуникационных технологий» Раздел 2. Колебания и сигналы

В.З.Лундин, Д.М.ШеферГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2009 «Физико-математические основы инфокоммуникационных технологий» Раздел 2. Колебания и сигналы

В.З.Лундин, Д.М.ШеферГОУ «Лицей при СПбГУТ», 2009 «Физико-математические основы инфокоммуникационных технологий» Раздел 2. Колебания и сигналы

Спасибо за внимание