ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ПОЛИМЕРА В ПЕРЕМЕННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ И. Г. Каримов а, А. Н. Лачинов а, б, Э. Р. Жданов а а Башкирский государственный.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Устройство полевого транзистора Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей,
Advertisements

Л.Р. Калимуллина *, А.Н. Лачинов*, Г.Ш. Султанбаева** *Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН, г. Уфа, **Башкирский государственный педагогический.
МДП транзисторы Выполнил студент группы : Тетерюк И.В.
МДП транзисторы Стефанович Т.Г.
Выполнили студенты группы Никитин Н.Н. Дроздов А. В.
Устройство диодов Ганна Площадь торцов кристалла S = 100 x 100 мкм^2, длина d = 5 – 100мкм. На торцы кристалла нанесены металлические контакты.
Электрический ток © Орлова Н.Г. ТСОШ 3. Электрический ток – это упорядоченное движение заряженных частиц. Наличие свободных носителей заряда (электроны,
Выполнили: Миков А.Г., Пронин Е.Х. Руководитель: Гуртов В.А. Полевые Транзисторы 01 Старт !
Расчет электрических характеристик структур на основе высокоомного GaAs:Cr,Sn Студент 703 группы Суранов Я. С. Руководитель работы – старший преподаватель.
Компьютерная электроника Лекция 8. Устройство биполярного транзистора.
Закон Ома Подготовила учениця 9-В Оборок Карина. V напряжение, I сила тока, R сопротивление.
Дома:§120 1.Термистор.2.Фоторезистор. 3.Транзистор. Солнечная батарея. 4. Почему при изготовлении полупроводниковых материалов исключительное внимание.
Диоды на основе p-n перехода Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами. Существуют следующие типы полупроводниковых.
Переходные характеристики МДП транзистора Разгуляев О. А.
* ** - это полупроводниковый прибор с тремя и более р-n переходами, вольт-амперная характеристика которого имеет участок с отрицательным.
ПОДГОТОВИЛИ СТУДЕНТЫ 3 КУРСА Крупянский Юрий и Товпенец Никита.
Лекция 3 Сканирующая туннельная микроскопия План: 1. Эффект туннелирования через потенциальный барьер. 2. Принцип работы туннельного микроскопа. 3. Зонды.
Диод Шоттки Выполнил студент группы Яппинен Н.С.
1 Программа фундаментальных исследований Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект 46: «Создание светоизлучающих.
Зависимость силы тока от напряжения. Электрическое сопротивление проводников. Единицы сопротивления Закон Ома для участка цепи(§42-44) I I UR Сопротивление.
Транксрипт:

ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ПОЛИМЕРА В ПЕРЕМЕННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ И. Г. Каримов а, А. Н. Лачинов а, б, Э. Р. Жданов а а Башкирский государственный педагогический университет им. М. Акмуллы, б Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН, г. Уфа

Цель работы исследование электрофизических свойств тонких пленок полиариленфталидов в переменных электрических полях

Структура исследуемого образца 1- металлический контакт 2- полимерная пленка 3- электропроводящий слой ITO 4- стеклянная подложка

Толщина пленки полимера Изображение края полимерной пленки, нанесенной на ITO, полученное с помощью атомно - силового микроскопа, профиль поверхности вдоль измерительной линии ( линия показана стрелкой ).

Схема измерительной установки ПК – компьютер, R – сопротивление, ФЭУ – фотоэлектронный умножитель

Показания осциллографа а ) U 1 – величина падения напряжения на эталонном сопротивлении б ) U G - напряжение на выходе генератора а) б)

Вольт – амперные характеристики при разной амплитуде и разных полярностях переменного напряжения

Зависимость интенсивности электролюминесценции и тока протекающего через образец от времени

Выводы транспорт зарядов в структуре Al- ПДФ - ITO осуществляется как за счет собственных носителей зарядов так и за счет инжекции носителей зарядов ( двойная инжекция ) наблюдается рекомбинационная электролюминесценция при обоих полярностях приложенного напряжения

Спасибо за внимание !