Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство СВЧ- оптоэлектроники ИСВЧПЭ РАН Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Сверхширокополосные СВЧ устройства на основе радиофотонной элементной базы 1.
Advertisements

Электронно-лучевая литография на оборудовании Raith GmbH: от идеи до реализации Научно-практический семинар 28 мая 2012 года.
Кафедра радиотехники Факультета электронной техники и приборостроения Саратовского государственного технического университета Год основания 1989 Первый.
Нормативно-правовое регулирование в области использования радиочастотного спектра в годах Степаненко Кирилл Алексеевич Директор Департамента.
Магистерская программа Инжиниринг в электронике – Электроника и наноэлектроника Кафедра РЭТ МИЭМ НИУ ВШЭ.
Научно-техническая программа Союзного государства «Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе, шифр «Прамень» г.
ПОЛИТЕХНИКИ - ЛУЧШИЕ В КОНКУРСЕ ГРАНТОВ ПРАВИТЕЛЬСТВА САНКТ-ПЕТЕРБУРГА Итоги конкурса 2012 года грантов Комитета по науке и высшей школе Правительства.
Кафедра Микро- и наноэлектроники МИФИ Научная группа «Микроэлектронные Специализированные Измерительные Системы и Датчики» Б.И. Подлепецкий Руководитель.
Отчет профессора кафедры микро- и наноэлектроники, д. ф.-м. н. Мигаса Дмитрия Борисовича о стажировке в университете Милано-Бикокка (Италия ) (с
Никишов Артём Юрьевич 1,2 Энергетическая эффективность генераторов хаотических колебаний микроволнового диапазона, реализованных на КМОП структурах 1 Московский.
Национальная академия наук Республики Беларусь Институт физики им. Б.И. Степанова Космос-НТ, Программное мероприятие 3.4, Договор 232, доп. согл
Мершиев И.Г. Разработка мобильного спектрометра ядерного магнитного резонанса.
О формировании государственного задания подведомственным Минобрнауки России вузам на выполнение НИОКР 18 ноября 2011 г.
ДоплеровскийметеолокаторС-диапазонаДМРЛ-С НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕОБЪЕДИНЕНИЕЛИАНОЗОВСКИЙЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЙЗАВОД К О Н Ц Е Р Н ПВО «А Л М А З – А Н Т Е.
ОКР «Парад» ФГУП «НИИЭТ» Начальник лаборатории Грищенко Сергей Викторович.
В.И. Зинченко Заместитель Губернатора Томской области КС по инновационной деятельности 22 декабря 2010 года Итоги участия Томской области в конкурсах,
О МЕРАХ ПОДДЕРЖКИ ПОДГОТОВКИ АСПИРАНТОВ В УНИВЕРСИТЕТЕ Докладчик Л.А. Свисткова.
МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ КАБАРДИНО-БАЛКАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ПРОЕКТ. Разработка.
Александр Михайлович Прохоров Девяносто лет 90 И. А. Щербаков.
Транксрипт:

Оптоэлектронный генератор – первое практическое устройство СВЧ- оптоэлектроники ИСВЧПЭ РАН Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) Директор ИСВЧПЭ РАН, П.П. Мальцев д.т.н., профессор

Объединенная научно-исследовательская лаборатория «Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ) Объединенная научно-исследовательская лаборатория «Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ) создана в 2007 году согласно Генеральному соглашению между МГТУ МИРЭА и ИСВЧПЭ РАН от 01 ноября 2007 года. Заведующий лабораторией - д.т.н. Белкин Михаил Евсеевич. Целью деятельности ОНИЛ СОУ является решение комплексных научных, производственных и учебных задач в области исследования, разработки, проектирования и опытного производства изделий СВЧ микро- и наноэлектроники, микро- и нанофотоники для перспективных телекоммуникационных и радиолокационных применений. ИСВЧПЭ РАН

Структурная схема оптоэлектронного генератора (ОЭГ) L.Maleki. Recent Progress in Opto-Electronic Oscillator.– Microwave Photonics International Topical Meeting, 12–14 Oct. 2005, p. 81–84. ИСВЧПЭ РАН

Структурная схема связанного оптоэлектронного генератора (СОЭГ) X. S. Yao, L. Maleki, L. Davis. Coupled opto-electronic oscillators. – Proceedings of the 1998 IEEE International Frequency Control Symposium, 1998, p X. S. Yao, L. Davis, L. Maleki. Coupled opto-electronic oscillator for generating both RF signals and optical pulses. – Journal of Lightwave Technology, vol. 18, 2000, p.73. ИСВЧПЭ РАН

Оптоэлектронный генератор сигналов СВЧ-диапазона Патент на изобретение Оптоэлектронный генератор сигналов СВЧ-диапазона. М.Е. Белкин, Л.М. Белкин ИСВЧПЭ РАН

Общий вид экспериментального образца оптоэлектронного генератора СВЧ диапазона, разработанного в ОНИЛ СОУ ИСВЧПЭ РАН Государственный контракт «Исследования по созданию конструктивно-технологического базиса монолитных интегральных схем крайне высоких частот в диапазоне ГГц» Сроки: По ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на гг. заказчик Минобрнауки России

Сравнение ОЭГ с серийно выпускаемыми изделиями известных зарубежных изготовителей МИС генераторов СВЧ диапазона, как на базе генератора, управляемого напряжением, (ГУН) с варакторной перестройкой частоты, так и на базе современного синтезатора частот ИСВЧПЭ РАН Мощность генерации, дБм Полоса перестройки частоты, ГГц Подавление побочных мод в спектре, дБ Уровень ЧМ-шумов при отстройке от несущей частоты: 10 кГц100 кГц1 МГц СВЧ генератор HMC388LP44,93,15-3, СВЧ генератор CHV ,6-12, Синтезатор частот ADF435052,2-4, ОЭГ, разработанный в ОНИЛ СОУ9,12, ,4-128,2-137,4

ПОСТАНОВЛЕНИЕ ПРЕЗИДИУМА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК ( 279 от 25 декабря 2012 года) Согласовать следующие дополнительные Основные научные направления ИСВЧПЭ РАН: - расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот в диапазоне от 50 до 250 ГГц; ИСВЧПЭ РАН - исследование принципов функционирования и разработка СВЧ оптоэлектронных генераторов в частотном диапазоне от сотен мегагерц до сотен гигагерц; - создание терагерцовых устройств на полупроводниковой электронике в частотном диапазоне от 300 до 900 ГГц.