С.Н. Галкин Зав. отделом Института сцинтилляционных материалов НАН Украины, г.Харьков, пр. Ленина 60, galkin@isc.kharkov.com Возможности разработки, исследования,

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
1 Новые сцинтилляционные мате- риалы для поиска темной материи и двойного бета-распада Институт сцинтилляционных материалов НАН Украины ИС А Харьков, 61001,
Advertisements

Возможный след динамической массы вихря в ErNi2B2C В.Д.Филь(1), И.А.Билыч(1), К.Р.Жеков(1), Г.А.Звягина(1), Д.В.Филь(2),S.I.Lee(3) 1.ФТИНТ НАН Украины.
Монокристаллы TeO2 для Акустооптики и Оптоэлектроники.
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УДК Выпускная работа по Основам информационных технологий Магистрант кафедры физики полупроводников и наноэлектроники.
Плотность вещества. п ь К р о с с в о р д 1. «Маленькая масса» М О Л Е К У Л А 2. Быстрота движения С К О Р О С Т Ь 3. Единица длины 4.
Исследование влияния примесей ниобия и тантала на полиморфизм вольфрамата висмута Маслов Антон Научный руководитель: с.н.с., к.ф.м.н., Харитонова Е.П.
1 ИСМА Роль организаций НАН Украины в трансфере технологий академик НАН Украины Б.В.Гринев г. Харьков.
КОНЦЕПЦИЯ МУЛЬТИИЗОТОПНОГО ПРОИЗВОДСТВА НА БАЗЕ УСКОРИТЕЛЯ ЭЛЕКТРОНОВ А.Н.Довбня, В.И.Никифоров, В.Л.Уваров (ННЦ ХФТИ, Харьков, Украина)
Полупроводниковые лазеры Выполнила: Вартанова Анна У4-02.
Проект Мюоний тема: Исследование магнитной структуры твердых тел на μ-канале ПИЯФ. В.П.Коптев.
«Сибастро » 1 ФГУП ПО НПЗ имени Ленина Методы устранения рассеянного излучения в телескопах – рефракторах. Просветление склейки. Зам. главного оптика,
Разработка приборов широкого спектра действия на основе полупроводниковых сенсоров из CdTe, CdZnTe для радиационного и ядерного технологического контроля.
КАТАЛИЗАТОР ГИДРОДЕПАРАФИНИЗАЦИИ ДИЗЕЛЬНЫХ ФРАКЦИЙ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ БАЗОВЫХ ОСНОВ ГИДРАВЛИЧЕСКИХ МАСЕЛ Магистрант 2 курса РГУ нефти и газа им. И.М. Губкина.
ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЙ СТАБИЛЬНОСТИ СТРУКТУРЫ И МЕХАНИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТИТАНА В СУБМИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ СОСТОЯНИИ, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ ABC- ПРЕССОВАНИЯ.
Кристаллы LiNbO 3 для электрооптики и оптоэлектроники.
Синтез и свойства нанокристаллов GeSn в слоях Si и SiO 2.
Белорусский государственный университет Физический факультет Кафедра атомной физики и физической информатики Электрофизические свойства водородосодержащих.
«Разработка прототипа сканирующей неразрушающей системы с высоким разрешением на основе линейного ускорителя электронов для досмотра крупногабаритных грузов»
1. Основные понятия и законы химии. Атом Демокрит: атом – наименьшая и неделимая частица материи (греч. – неделимый). Атом – это наименьшая частица химического.
Щербань Алексей Петрович ННЦ ХФТИ, Институт физики твердого тела, материалов и технологий (ИФТТМТ) ул. Академическая 1, г. Харьков,
Транксрипт:

С.Н. Галкин Зав. отделом Института сцинтилляционных материалов НАН Украины, г.Харьков, пр. Ленина 60, Возможности разработки, исследования, производства селенида цинка для криогенных экспериментов поиска редких событий г

Синтез бинарного соединения может быть проведен согласно реакции: Zn + Se = ZnSe + q (T= °C) Квалификация чистоты, достигаемая в обычных условиях ИСМА НАНУ - 6N 2 изотопа цинка ( 64 Zn и 70 Zn) и 3 изотопа селена ( 74 Se, 80 Se и 82 Se) могут претерпевать двойной бета-распад. Наиболее интересны среди них изотопы 64 Zn (48,89%, Q = 1096 кэВ) и 82 Se (8,73%, Q = 2995 кэВ) г Селенид цинка как детектор для поисков двойного бета-распада Синтез шихты для роста кристаллов ZnSe

Физические свойства кристаллов селенида цинка ПараметрЗначение Температура плавления, о С1520 +/-15 Ширина запрещенной зоны 300 К, эВ2,67 СингонияКубическая Параметр решетки, Aa=5.668 Спайность Совершенная по (110) Плотность, при 20 о С, г/см Показатель преломления, n e 2.66 Микротвердость, Па(101 +/-3) г

4 e-e- e-e- e-e- e+e+ e+e+ e+e+ e+e+ Te Se V Zn L-635 L-605 Zn I M III O Se V Zn Conduction band Excitation Valence band Scheme of non-radiative and radiative transitions in ZnSe(IVD) crystals. C A E, eV 1 E CA = q, A d FC =0.66E T =0.6 EgEg E T =0E CA =1.05 V Диаграмма конфигурационных кривых для излучательных переходов в ZnSe(Te) Неравновесные электронные процессы в селениде цинка при температуре выше 80 К г

5 Temperature evolution of decay time constant 0.1 and light yield in ZnSe (open symbols) and ZnSe-Te (0.02) (filled symbols). Multiple photon counting technique for detection and analysis of slow scintillation processes H.Kraus, V.B.Mikhailik *, D.Wahl * Department of Physics, University of Oxford, Keble Road, Oxford OX1 3RH, United Kingdom Температурная зависимость люминесценции селенида цинка

Выращивание селенида цинка методом Бриджмена-Стокбаргера и основные этапы получения сцинтилляторов 1.Синтез или подготовка шихты; 2.Выращивание кристаллической були; 3.Разрезание були на заготовки; 4.Отжиг заготовок в парах собственных компонентов; 5.Шлифование и полирование заготовок; 6.Измерение характеристик сцинтилляторов г

Внешний вид ростовых установок ИСМА НАНУ г

Типоразмеры кристаллов ZnSe, выращиваемых в ИСМА НАНУ Диаметры: 25; 40 и 50 мм, длина – до 120 мм. Масса слитка диаметром 50 мм – около 1 кг г

Оборудование для резания кристаллов г

10 Выводы 1.Литературные данные свидетельствуют о высокой эффективности экситонной люминесценции ZnSe при низких температурах; 2.В ИСМА НАНУ имеется оборудование для получения и исследования электрических параметров полупроводниковых сцинтилляторов ZnSe для криогенных исследований; 3.Возможно управление структурой точечных дефектов в кристаллах селенида цинка с целью оптимизации их люминесценции при низких температурах.