РЕПРОГРАММИРУЕМЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ МДП - ТРАНЗИСТОРОВ.

Ячейка памяти на основе МДП - транзистора

Типы МДП - транзисторов для репрограммируемых элементов памяти Пороговое напряжение МДП транзистора Для изменения величины порогового напряжения необходимо: а) Изменить легирование подложки N А б) изменить плотность поверхностнх состояний N ss в) изменить встроенный в диэлектрик заряд Q ox г) изменить напряжение смещения канал-подложка V ss

Типы МДП - транзисторов для репрограммируемых элементов памяти

МНОП - транзистор

МОП ПТ с плавающим затвором

Характеристики флэш - памяти

Туннельная инжекция Фаулера - Нордгейма.

Инжекция горячих электронов из области канала вблизи стока, обусловленная разогревом электронного газа в сильном электрическом поле в этой области

Инжекция горячих электронов и дырок при межзонном туннелировании.

Режимы записи / стирания в МДП – транзисторах флэш – элементов памяти Запись за счет ижекции горячих электронов вблизи стока ; стирание за счет туннелирования Фаулера – Нордгейма в область истока.

Режимы записи / стирания в МДП – транзисторах флэш – элементов памяти Запись за счет туннелирования Фаулера – Нордгейма из области канала ; Стирание за счет туннелирования в область стока.

Режимы записи / стирания в МДП – транзисторах флэш – элементов памяти Запись и стирание за счет туннелирования Фаулера – Нордгейма из / в область канала.

Источники. В. А. Гуртов « Твердотельная электроника »

Спасибо за внимание !