Устройство диодов Ганна Площадь торцов кристалла S = 100 x 100 мкм^2, длина d = 5 – 100мкм. На торцы кристалла нанесены металлические контакты.

Структура зоны проводимости арсенида галлия

N-образная вольт-амперная характеристика

Генерация СВЧ колебаний в диодах Ганна

Образование доменов сильного поля

Ток во внешней цепи

Режимы работы диодов Ганна

Режимы работы ДГ

Доменный режим

Пролетный режим

Режим с задержкой

Режим с гашением

Мощность генерируемых СВЧ - колебаний зависит от полного сопротивления z площади рабочей части высокоомного слоя полупроводника.

Примеры зависимости диодов Ганна а) типичная зависимость генерируемой диодом Ганна мощности от приложенного напряжения; б) зависимость генерируемой диодом Ганна мощности от приложенного напряжения и температуры

Электрические параметры КПД зависит от частоты f, ГГцКПД

Выходная мощность P вых f = A Где А- допустимый перегрев структуры Типовые мощности: *1 – 2Вт при КПД до 14%; *f60-100Гц-до 100мВт

Недостатки диодов Ганна Низкий КПД Малый срок службы

Эквивалентная схема диода Ганна

ПОДКЛЮЧЕНИЕ ДГ К ИСТОЧНИКУ ПИТАНИЯ