Лабораторная работа 2Моделирование полевого транзистора Шотки в рамках диффузионно-дрейфовой и гидродинамической моделей Выполнил: Бобков А.А. Группа:8208.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Лекция 6. Кинетические явления в полупроводниках Применимость зонной теории в слабых электрических полях. Приближение эффективной массы. Блоховские колебания.
Advertisements

Диоды на основе p-n перехода Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами. Существуют следующие типы полупроводниковых.
Проходные и переходные характеристики МДП- транзистора Трифонова Н. Харлукова О. гр
Псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью 2D-электронов в канале (pHEMT) Выполнила : Якушева Ю.В. Научный руководитель: Гуртов В.А.
Полевые транзисторы Мытарев А.В. Мытарев А.В. Яковлева Д.А. гр
Характеристики идеального диода на основе p-n перехода. Полупроводниковый диод Нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней.
Компьютерная электроника Лекция 8. Устройство биполярного транзистора.
Полупроводниковые устройства Лекция 15 Весна 2012 г.
Процессы в биполярном транзисторе Выполнил: Соколов А. А
Полевые транзисторы со структурой МДП Выполнили: Водакова В.Ю Семаков Н.В гр
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В МЕТАЛЛАХ. Вывод: Не происходит переноса вещества => 1) Ионы металла не принимают участия в переносе электрического заряда. 2) Носители.
Выполнили студенты группы Никитин Н.Н. Дроздов А. В.
{ основные типы уравнений второго порядка в математической физике - уравнение теплопроводности - уравнения в частных производные - уравнения переноса количества.
Биполярный транзистор. Процессы в биполярном транзисторе.
Переходные характеристики МДП транзистора Разгуляев О. А.
МДП транзисторы Стефанович Т.Г.
А.В.Бурдаков.Физика плазмы. Теоретические модели, используемые при исследовании плазмы.
Общие сведения. Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирования.
Приборно-технологическое моделирование тиристоров Матюхин С.И., Ставцев А.В.* Госуниверситет – УНПК, *ЗАО «Протон-Электротекс»
Амплитудные фазочастотные зависимости биполярных транзисторов.
Транксрипт:

Лабораторная работа 2Моделирование полевого транзистора Шотки в рамках диффузионно-дрейфовой и гидродинамической моделей Выполнил: Бобков А.А. Группа:8208

Цель работы : исследование полевого транзистора с затвором Шотки в специализированном пакете Synopsys Sentaurus CTAD в зависимости от длины затвора и выбранной физической модели. Диффузионно-дрейфовая модель предполагает, что кинетические коэффициенты, описывающие перенос носителей заряда, определяются электрическим полем. Гидродинамическая модель кроме обычных уравнений непрерывности и уравнения Пуассона содержит уравнения баланса энергии носителей заряда.

Диффузионно-дрейфовая модель ВАХ для длин затвора : 1=0,5 мкм 2=0,8мкм 3=1мкм 4=1,2мкм

Гидродинамическая модель ВАХ для длин затвора : 1=0,5 мкм 2=0,8мкм 3=1мкм 4=1,2мкм

Диффузионно-дрейфовая модель ВАХ для длин затвора : 1=0,5 мкм 2=0,8мкм 3=1мкм 4=1,2мкм

Гидродинамическая модель ВАХ для длин затвора : 1=0,5 мкм 2=0,8мкм 3=1мкм 4=1,2мкм

Диффузионно-дрейфовая модель Распределение эквипотенциалей для длин затвора: 1=0,5мкм 2=0,8мкм 3=1мкм 4=1,2мкм

Гидродинамическая модель Распределение эквипотенциалей для длин затвора: 1=0,5мкм 2=0,8мкм 3=1мкм 4=1,2мкм

Диффузионно-дрейфовая модель Распределение концентраций электронов для длин затвора: 1=0,5мкм 2=0,8мкм 3=1мкм 4=1,2мкм

Гидродинамическая модель Распределение концентраций электронов для длин затвора: 1=0,5мкм 2=0,8мкм 3=1мкм 4=1,2мкм

Диффузионно-дрейфовая модель Распределение модуля электрического поля для длин затвора: 1=0,5мкм 2=0,8мкм 3=1мкм 4=1,2мкм

Гидродинамическая модель Распределение модуля электр потенциала для длин затвора: 1=0,5мкм 2=0,8мкм 3=1мкм 4=1,2мкм

Вывод : исходя из полученных данных видно что диффузионно- дрейфовая модель, которая является частным случаем гидродинамического приближения, подходить для исследования протяженных структур с малым временем релаксации.