Влияние формы напряжения на энергетиченские и частотные характеристики диодов Ганна на основе AlInN Дипольный домен Харків 2011.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Описание, основные характеристики и принцип работы.
Advertisements

Работу выполнили: Красяков Антон Тидякин Юрий Группа
Устройство диодов Ганна Площадь торцов кристалла S = 100 x 100 мкм^2, длина d = 5 – 100мкм. На торцы кристалла нанесены металлические контакты.
Выполнила: студентка группы Потарина Жанн а 1.
ДИОДЫ ГАННА Составили : Артюгин А. В. Суриков Д. А.
Генерація та помноження частоти напівпровідниковими діодами з тунельними межами Виконала Ольга Олександрівна Клименко.
Нестационарная генерация антистоксового излучения ВКР в газовых и кристаллических средах при выполнении условий фазового квазисинхронизма. Н. С. Макаров,
Белорусский государственный университет Физический факультет Кафедра атомной физики и физической информатики Электрофизические свойства водородосодержащих.
1 Энергетическая электроника Негативные факторы ШИМ. Dead-Time – Мертвое время.
Компьютерная электроника Лекция 8. Устройство биполярного транзистора.
СВЯЗАННЫЕ КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ КОНТУРЫ Автор Останин Б.П.Конец слайда Связанные контуры часть 2. Слайд 1 из 24 Основы теории цепей Часть 2.
Компьютерная электроника Лекция 20. Усилители. Усилители Усилителем называется устройство, с помощью которого путем затрат небольшого количества энергии.
Лекция 9 Электродинамика слабых сверхпроводящих связей.Генерация, преобразование, детектирование электромагнитных волн слабыми сверхпроводящими связями.
Устройство полевого транзистора Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей,
Нелинейный элемент в цепи постоянного тока Задача 1.
ПОДГОТОВИЛИ СТУДЕНТЫ 3 КУРСА Крупянский Юрий и Товпенец Никита.
Тиристоры Докладчики: студенты группы Гардер Александр Стафеев Федор Лебедев Константин Начать просмотр.
Характеристики идеального диода на основе p-n перехода. Полупроводниковый диод Нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней.
Одновременная генерация TE 1 и TE 2 мод с разными длинами волн в полупроводниковом лазере с туннельным переходом В.Я. Алешкин 1, Т.С. Бабушкина 2, А.А.
P-i-n-фотодиоды Выполнила: студентка группы Глазнева Н.А.
Транксрипт:

Влияние формы напряжения на энергетиченские и частотные характеристики диодов Ганна на основе AlInN Дипольный домен Харків 2011

Основная задача радиофизики, в частности твердотельной электроники, направлена на увеличение эффективной генерации и расширение частотных возможностей приборов. Это достигается различными путями: либо усовершенствованием прибора, либо поиск новых материалов, либо работа на гармониках. Основная задача радиофизики, в частности твердотельной электроники, направлена на увеличение эффективной генерации и расширение частотных возможностей приборов. Это достигается различными путями: либо усовершенствованием прибора, либо поиск новых материалов, либо работа на гармониках. В этом плане актуальной задачей является исследование новых п.п на основе нитридов и работа их в резонаторе сложной формы, поэтому определенный интерес представляет исследование энергетических и частотных характеристик этих диодов при работе их в одноконтурном и в двухконтурном резонаторе. В этом плане актуальной задачей является исследование новых п.п на основе нитридов и работа их в резонаторе сложной формы, поэтому определенный интерес представляет исследование энергетических и частотных характеристик этих диодов при работе их в одноконтурном и в двухконтурном резонаторе.

Контакт с высокоомной неоднородностью Омический контакт

Зависимость эффективности генерации от пролётной частоты для диода работающего в двухконтурном и одноконтурном резонаторе c дипольными домена при длине активной области la = 2,5 мкм для трех концентраций n1=1*1016 см-3, n2=1,6*1016 см-3,n3=2*1016 см-3

Зависимость эффективности генерации от пролётной частоты для диода работающего в двухконтурном и одноконтурном резонаторе c заряженными слоями при длине активной области la = 2,5 мкм

n3=2*10^16см^(-3) Форма тока для диода с концентрацией n3=2*10^16 см^(-3) с зарубкой на контакте n1=1*10^16 см^(-3) Форма тока для диода на омическом контакте с концентрацией n1=1*10^16 см^(-3)

Распределение поля по диоду для диодов с зараженными слоями для диодов с дипольными доменами

Зависимость эффективности генерации от длины активной области диода для различных концентраций

Зависимость частотного диапазона работы от длины активной области диода

Выводы 1. Диод конкретной длины имеет свою пролетную частоту, соответствующее значение эффективности генерации и частотный диапазон работы. 1. Диод конкретной длины имеет свою пролетную частоту, соответствующее значение эффективности генерации и частотный диапазон работы. 2. Эффективность генерации для диода с зарубкой при длине активной области 0,8-2,5мкм выше, чем для диода с однородным профилем легирования. 2. Эффективность генерации для диода с зарубкой при длине активной области 0,8-2,5мкм выше, чем для диода с однородным профилем легирования. 3. Напряжение сложной формы увеличивает эффективность генерации на основной гармонике, появляется генерация на второй гармонике, что существенно увеличивает частотный диапазон работы диода Ганна. 3. Напряжение сложной формы увеличивает эффективность генерации на основной гармонике, появляется генерация на второй гармонике, что существенно увеличивает частотный диапазон работы диода Ганна. 4. Частотные диапазоны на основной гармонике и на частоте второй гармонике перекрываются, что дает возможность работы диода на двух гармониках одновременно. 4. Частотные диапазоны на основной гармонике и на частоте второй гармонике перекрываются, что дает возможность работы диода на двух гармониках одновременно. 5. При определенной длине активной области для различных концентраций максимум КПД по частоте сдвигается. 5. При определенной длине активной области для различных концентраций максимум КПД по частоте сдвигается. 6. Уменьшение длины активной области приводит к уменьшению эффективности генерации, увеличению частотного диапазона работы диода, и продвижению к частотам субмиллиметрового диапазона. 6. Уменьшение длины активной области приводит к уменьшению эффективности генерации, увеличению частотного диапазона работы диода, и продвижению к частотам субмиллиметрового диапазона. 7. Увеличение концентрации в активной области ведет к увеличению эффективности генерации. 7. Увеличение концентрации в активной области ведет к увеличению эффективности генерации.