ГРИД

Грид для обработки и анализа данных БАК НИИЯФ является пионером в области грида в России. Развитие грида началось в тесном сотрудничестве с ЦЕРН в рамках европейских проектов EGEE/EGI/WLCG в 2002 году. Грид один из ключевых компонентов выдающегося успеха нашего времени открытие бозона Хиггса. Генеральный директор ЦЕРН Р.Хойер: The results today are only possible because of the extraordinary performance of the accelerators, including the infrastructure, the experiments, and the Grid computing. В НИИЯФ в рамках реализации ПНР развернут и работает сайт уровня Tier2 и центр базовых грид-сервисов, обслуживающих все российские сайты. Сайт НИИЯФ имеет хранилище данных, объем которого составляет 400 Терабайт, и вычислительные серверы, имеющих 450 ядер. Только за март было обработано более 43 тысяч задач!

ГридННС грид для Национальной нанотехнологической сети Проект стартовал в 2008 году и выполнялся силами НИИЯФ МГУ, НИЦ «Курчатовский институт», ОИЯИ и ПИЯФ. Ведущий разработчик НИИЯФ МГУ. В первые в мире ПО ГридННС было разработано на основе RESTful сервисов. ГридННС объединяет ведущие российские суперкомпьютерные центры, включая самый мощный из них, находящийся в МГУ, - Ломоносов Пользователям ГридННС доступны прикладные пакеты в области квантовой химии, молекулярной динамики, гидро- и аэродинамики, материаловедения.

ОМЭ

5 Институт ядерной физики МГУ им. М.В. Ломоносова А. Т. Рахимов Развитие плазменных технологий для создания новой элементной базы наноэлектроники Развитие плазменных технологий для создания новой элементной базы наноэлектроники.

6 Основные направления исследований Основные направления исследований Исследование ключевых плазменных процессов (как объемных, так и приповерхностных), которые определяют характер взаимодействия плазмы с поверхностью. Исследование ключевых плазменных процессов (как объемных, так и приповерхностных), которые определяют характер взаимодействия плазмы с поверхностью. Исследование процессов травления и осаждения тонких пленок (рост нанокристаллических углеродных пленок, гетероэптаксиальное осаждение иридиевых и алмазных пленок). Исследование процессов травления и осаждения тонких пленок (рост нанокристаллических углеродных пленок, гетероэптаксиальное осаждение иридиевых и алмазных пленок). Исследование взаимодействия плазмы с low K материалами. Исследование взаимодействия плазмы с low K материалами. Исследование процессов плазменной очистки зеркал, применяемых в современных установках нанолитографии - EUV lithographs. Исследование процессов плазменной очистки зеркал, применяемых в современных установках нанолитографии - EUV lithographs. Исследование и развитие новых методов возбуждения плазменных источников Исследование и развитие новых методов возбуждения плазменных источников Разработка новых приборов, базирующихся на использовании полученных наноструктурированных материалов. Разработка новых приборов, базирующихся на использовании полученных наноструктурированных материалов.

7 DF CCP плазменный источник Определение области плазменных параметров, позволяющих независимо управлять плотностью и энергией ионов.

Подложка Металл Межслойный диэлектрик Подложка Металл Межслойный диэлектрик Традиционный межслойный диэлектрик (SiO 2 ) k ~ 4.0 Low-k диэлектрик (k < 3.0) Ultra low-k диэлектрик (k < 2.0) 250 нм 1 ГГц 22 нм 3 ГГц Уменьшение размера элементов, рост рабочей частоты Ключевой момент технологии СБИС с топологической нормой менее 30 нм: нахождение и использование диэлектрических материалов с низкой константой (k~2.5 и меньше) диэлектрической проницаемости

-OH Low-K Главная проблема -> можно ли осуществить плазменное структурирование low-k материалов без образования дефектов? радикалы ионы плазма ВУФ фотоны Low-K -OH Увеличение K! -OH Проблемы связанные с внедрением low-k материалов

ЛОСП

В НИИЯФ открыта новая программа дополнительного образования «Физика радиационной медицины» (руководитель - профессор А.П. Черняев) Около 20 врачей, инженеров и физиков из разных регионов России прошли в течение года обучение по этой программе на базе кафедры физики ускорителей и лаборатории общего и специального практикума

Молодёжные научные школы «Микромир и макромир» Апрель 2012г. Москва. (35 студентов и аспирантов из Москвы, Сургута, Минска, Душанбе, Ульяновска, Псков слушали лекции и работали в практикумах НИИЯФ) Ноябрь 2012г. Чебоксары. ( в течение недели сотрудники НИИЯФ и преподаватели ОЯФ прочитали более 20 лекций студентам, учителям и старшекласникам в ВУЗах и школах Чувашии)

НИИЯФ стал инициатором и организатором первого российскогo чемпионата по проекту «CanSat» 50 школьных команд от Якутска до Минска соревновались в конструировании, программировании и запуске на высоту 2 км действующих моделей космических аппаратов, выполняющих различные научные и инженерные задачи. Базовый конструктор был разработан в НИИЯФ. Второй чемпионат состоится в июле на базе филиала НИИЯФ в Дубне

Отборочная сессия чемпионата CanSat в НИИЯФ. Январь 2013

Участники Первого российского чемпионата «CanSat» Калуга 1-5 мая 2012г.

ОФПКЭ

А.О.Рыбалтовский, В.Н.Баграташвили, С.С.Илюхин, Д.А.Леменовский, Н.В.Минаев, В.В.Фирсов, В.И.Юсупов.Российские нанотехнологии, 2013,Т.8, в печати; Bagratashvili V.N., Minaev N.V., Rybaltovskii A.O. a. Yusupov V.I. Laser Phys.Lett., 2011, V.8, P.853 Рис.1 Фотографии импрегнированных образцов полимера ОУМ молекулами AgNO 3 а, нанопористого стекла Vycor молекулами H[AuCl 4 ] б, полученные при воздействии несфокусированного лазерного излучения с λ =473 нм вдоль поверхности образца толщиной 1мм, и снятые сразу после облучения. ОУМ + AgNO3 Vycor + H[AuCl4] Были продолжены исследования механизмов формирования наночастиц (НЧ) благородных металлов и структур из них под действием непрерывного лазерного излучения в легированных образцах прозрачных диэлектриков. Обнаружен и получил объяснение новый эффект филаментации структур из НЧ, возникающих под действием низкоинтенсивного видимого лазерного излучения в таких образцах.

А.О. Рыбалтовский, В.Н. Баграташвили, С.С.Илюхин, Н.В. Минаев,. Тимашев, В.И. Юсупов. Российские нанотехнологии, 2013, в печати Рис.2б Изображение с атомно-силового микроскопа того же образца в месте облучения показывает, что данная пленка состоит из островковых структур сросшихся наночастиц серебра размером в десятки и сотни нанометров. Появление такой пленки объясняется термостимулированным выносом к поверхности образца атомов серебра и его молекул при воздействии лазерного облучения. Рис.2а Фотографии с оптического микроскопа образца ОУМ толщиной 200мкм, легированного молекулами Ag(hfac)COD через сверхкритический диоксид углерода, после облучения непрерывным лазером (λ изл = 532 нм) в направлении перпендикулярно поверхности пленки. Обнаружен терморадиационный эффект формирования я серебряной плёнки на поверхности облученного образца.

Люминесцентная спектроскопия перспективных пленочных сцинтилляторов Gd 3 (Al X Ga 1-X ) 5 O 12 :Ce µm Результаты: 1. Методом жидкофазной эпитаксии выращены пленки Gd 3 (Al x Ga 1-x ) 5 O 12 :Ce. Мотивация. Gd 3 Al 2 Ga 3 O 12 :Ce - новый сцинтилляционный кристалл с отличными свойствами - световой выход фот/МэВ, время затухания свечения 88 нс, энергетическое разрешение 4.6%. Проблема. Высокая температура роста кристаллов приводит к неизбежному появлению дефектов кристаллической структуры, что негативно влияет на сцинтилляционные свойства. Решение. Пленки гранатов лишены этого недостатка из-за низкой температуры роста при сохранении (и возможном улучшении) сцинтилляционных свойств. 2. Показано значительное усиление интенсивности свечения Ce 3+ при замещении Ga на Al в гранате. фото пленок: 3. Эффект связан с постепенным смещением 5d уровней Ce 3+ в запрещенную зону граната при введении в гранат Al 3+. N.V. Vasileva, D.A. Spassky et al., Optical spectroscopy of Ce 3+ ions in Gd 3 (Al x Ga 1-x ) 5 O 12 epitaxial films, submitted to Materials Research Bulletin

Люминесцентная спектроскопия перспективных пленочных сцинтилляторов Gd 3 (Al X Ga 1-X ) 5 O 12 :Ce µm Результаты: 1. Методом жидкофазной эпитаксии выращены пленки Gd 3 (Al x Ga 1-x ) 5 O 12 :Ce. Мотивация. Gd 3 Al 2 Ga 3 O 12 :Ce - новый сцинтилляционный кристалл с отличными свойствами - световой выход фот/МэВ, время затухания свечения 88 нс, энергетическое разрешение 4.6%. Проблема. Высокая температура роста кристаллов приводит к неизбежному появлению дефектов кристаллической структуры, что негативно влияет на сцинтилляционные свойства. Решение. Пленки гранатов лишены этого недостатка из-за низкой температуры роста при сохранении (и возможном улучшении) сцинтилляционных свойств. 2. Показано значительное усиление интенсивности свечения Ce 3+ при замещении Ga на Al в гранате. фото пленок: 3. Эффект связан с постепенным смещением 5d уровней Ce 3+ в запрещенную зону граната при введении в гранат Al 3+. N.V. Vasileva, D.A. Spassky et al., Optical spectroscopy of Ce 3+ ions in Gd 3 (Al x Ga 1-x ) 5 O 12 epitaxial films, submitted to Materials Research Bulletin