р-n переход Электрический запирающий слой Прямой и обратный ток.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Электронно-дырочный переход. В современной электронной технике полупроводниковые приборы играют исключительную роль. За последние три десятилетия они почти.
Advertisements

Сегодня: среда, 18 декабря 2013 г.. ТЕМА:Электрические переходы в Ме и в п/п 1. Контакт двух металлов 2. Электронно-дырочный переход 3. Вентильные свойства.
Полупроводники Электронно-дырочный переход. Полупроводники Полупроводники – элементы IV группы таблицы Менделеева Наиболее часто используются Ge,Si При.
Полупроводниковыми или электропреобразовательными называются приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. K полупроводникам.
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. Полупроводник - вещество, у которого удельное сопротивление может изменяться в широких пределах и очень быстро убывает.
11 класс вещество, у которого удельное сопротивление может изменяться в широких пределах и очень быстро убывает с повышением температуры, а это значит,
Электронно-дырочный переход Принципы действия большинства полупроводниковых приборов основаны на явлениях и процессах, возникающих на границе p- и n- областей.
Лекция 2 Силовые диоды Электронно-дырочный переход Принципы действия большинства полупроводниковых приборов основаны на явлениях и процессах, возникающих.
Примесная проводимость полупроводников. Электронно–дырочный переход и его использование в технике.
Собственная и примесная проводимость полупроводников. Полупроводниковые приборы. Автор : Ирина Владимировна Бахтина, учитель физики МОУ « СОШ 3» г. Новый.
Электрический ток в полупроводниках.
Полупроводники и их применение Работу выполнил: Рассадин А.А.
Диоды на основе p-n перехода Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами. Существуют следующие типы полупроводниковых.
Кузнецов Георгий Фридрихович учитель физики МБОУ «Ижемская СОШ»
Полупроводники. Содержание Проводники, диэлектрики и полупроводники. Собственная (электронно-дырочная) электрическая проводимость. Примесная (электронно-дырочная)
2530 Всего заданий Время тестирования мин. Готовимся к ЕНТ Готовимся к ЕНТ Автор: Макарова Е.Г. школа-гимназия 17 г.Актобе Электрический ток в различных.
Исследования проводимости различных материалов начались непосредственно в XIX веке сразу после открытия гальванического тока. Первоначально материалы делили.
Процессы в биполярном транзисторе Выполнил: Соколов А. А
Электрический ток в вакууме Prezentacii.com. Сегодня на уроке Вакуум – это « ничто» или « что-то»? Вакуум – это проводник или диэлектрик? Для чего нужен.
Электрический ток в полупроводниках. Разные вещества имеют различные электрические свойства, по электрической проводимости их можно разделить на 3 основные.
Транксрипт:

р-n переход Электрический запирающий слой Прямой и обратный ток

1.Полупроводниковый диод Назначение Схематическое изображение Вольт - амперная характеристика Достоинства полупроводниковых диодов Недостатки

Электронно-дырочный переход (р-n переход).Полупроводниковый диод и его применение для выпрямления тока. Область контакта между полупроводниками р- и n- типа называют электронно- дырочным (р-n) переходом.При установлении контакта часть электронов вследствие диффузии из полупроводника n-типа переходит в полупроводник р-типа, а часть дырок из р-типа – в n-тип и в результате полупроводник n-типа заряжается положительно, а р-типа отрицательно. Вследствие этого между двумя слоями объемного заряда возникает электрическое поле. Это поле будет препятствовать диффузии электронов и она прекратится в тот момент, когда созданное поле возрастет настолько, что электроны не смогут перемещаться через поверхность контакта. Таким образом, в узкой области поверхности контакта образуется запирающий слой. При перемещении полупроводника с р-n переходом в электрическую цепь так, что область с электронной проводимостью была соединена с положительным полюсом источника тока, ширина запирающего слоя увеличивается, так как электроны и дырки отодвигаются от запирающего слоя в разные стороны. Ток в этом случае обусловлен наличием небольшой концентрации свободных электронов в р- полупроводнике и дырок – n- полупроводнике и называется обратным. При перемещении полупроводника в электрическую цепь так, что положительный полюс соединен с областью р-проводимости, ширина запирающего слоя уменьшается, вследствие чего движение основных носителей облегчается и через р-n – переход будет течь ток, называемый прямым. Таким образом, р-n переход обладает односторонней проводимостью, которая используется для выпрямления переменного тока в полупроводниковых диодах.

Схематическое изображение диода: Вольтамперная характеристика полупроводникового диода имеет следующий вид: Достоинства: малые размеры, длительный срок службы, высокая механическая прочность, высокий КПД. Недостатки: не могут работать при температуре – 70 ºС, плохо работают при температурах выше 80 ºС.