Лекции 5,6 Критический ток. Нестационарный эффект Джозефсона.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Лекции 3,4 Эффект Джозефсона. Разность фаз параметра порядка 1. Конденсат куперовских пар в СП-ке описывается единой комплексной волновой функцией – параметром.
Advertisements

Лекция 7 Резистивная модель Джозефсоновского перехода.
Лекция 9 Электродинамика слабых сверхпроводящих связей.Генерация, преобразование, детектирование электромагнитных волн слабыми сверхпроводящими связями.
Лекция 8 Резистивная и вихревая модели Джозефсоновского перехода.
Лекция 10 Квантовая интерференция. Характеристики интерферометра Одинаковые переходы.
Лекции 13,14 Явления в сверхпроводящем кольце, содержащем один Джозефсоновский переход. ВЧ-СКВИД.
Поверхностная сверхпроводимость. Контактные явления. Тонкие пленки Размерные эффекты.
Образовательный семинар для аспирантов и студентов, ИФМ РАН, 24 февраля 2011 Квантово-размерные эффекты и зарождение сверхпроводимости в гибридных структурах.
Джозефсоновские плазменные волны в слоистых сверхпроводниках Ямпольский В. А. Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова НАН Украины.
Лекция 17 Применения СКВИДов и СП слабых связей. Метрология на основе СКВИДов и слабых связей Определение отношения e/h. 1) Основное Джозефсоновское соотношение:
Презентация по теме: «Полупроводниковые диоды» Выполнили: Бармин Р.А. Гельзин И.Е.
Лекции 11,12 Квантовая интерференция СКВИДы. Характеристики интерферометра Одинаковые переходы.
Лекция 1,2 Введение. Слабые связи.. Понятие о слабой связи Определение: Слабая сверхпроводящая связь – это проводящее соединение между массивными сверхпроводниками.
Лекция 18 Применения СКВИДов и СП слабых связей. Применения СП слабых связей для ЭВМ и цифровых устройств Туннельный криотрон Это элемент с двумя устойчивыми.
Особенности электронного строения. Эксперимент. Симметрия сверхпроводящей щели, s- и d-спаривание 2.8. Особенности электронного строения.
Основные экспериментальные факты для сверхпроводников. Обзор феноменологических теорий сверхпроводимости. Теория Лондонов. Природа эффективного притяжения.
Электрофизические свойства проводниковых материалов Автор Останин Б.П. Эл. физ. свойства проводниковых материалов. Слайд 1. Всего 12 Конец слайда.
1 Лекции по физике. Механика Волновые процессы. Релятивистская механика.
Постулаты Бора Нильс Бор Первый постулат Бора : атомная система может находится только в особых стационарных, или квантовых, состояниях, каждому.
Закон Ома Подготовила учениця 9-В Оборок Карина. V напряжение, I сила тока, R сопротивление.
Транксрипт:

Лекции 5,6 Критический ток. Нестационарный эффект Джозефсона.

Температурные зависимости критического тока Джозефсона Туннельный Джозефсоновский переход S-I-S (сверхпроводники с двух сторон одинаковы) R n =R N S – сопротивление единицы площади перехода в нормальном состоянии

Температурные зависимости критического тока Джозефсона T=0 (Андерсон) (3.30) Здесь о = (0) Мостик (3.32) т.е. j c ~T c -T – аналогия туннельного перехода Джозефсона

Температурные зависимости критического тока Джозефсона Т 0 Грязная слабая связь (l

Температурные зависимости критического тока Джозефсона

Зависимость свойств слабых связей от геометрических размеров Зависимость I c от толщины барьера в S-I-S переходе j c ~exp(- d o ) Здесь -постоянная При изменении d o в интервале 20Å d o 30Å, т.е. на 50%, величина тока менялась как 10 3 A/cm 2 j с 5A/cm 2 (3.35) Зависимость свойств мостика от длины (3.36) где L-длина мостика, - длина когерентности для мостика

Зависимость свойств слабых связей от геометрических размеров Для S-N-S перехода При Т Т с (3.37) Здесь N – длина когерентности для слоя нормального металла L – толщина слоя нормального металла

Зависимость свойств слабых связей от геометрических размеров Отклонение от закона sin при росте L Рассмотрим слабую связь типа S-S -S (S может быть, например, СП мостик) Пусть L. Ток запишем в виде I=I c f( ). Мы знаем, как при этом себя ведет I c : I c ~exp(-L/ ) А как себя ведет f( )?

Зависимость свойств слабых связей от геометрических размеров Отклонение от закона sin при росте L

Зависимость свойств слабых связей от геометрических размеров Отклонение от закона sin при росте L 1. L/ =1I~sin. 2. L/ =2Отклонение от I~sin 3. L/ =4Явно не I~sin 4. L/ =8I/I c 2/(3 ) 0.4 Неоднозначная зависимость от (периодичность остается)

Зависимость свойств слабых связей от геометрических размеров Отклонение от закона sin при росте L В случае 3. Пусть V=Const Тогда V t( / t V). Т.е. ~t Т.е. однозначная зависимость I( )=классический эффект Джозефсона сохраняется при L (2-4)

Нестационарный эффект Джозефсона

Физические основы ВАХ Если V 0 на барьере (см. ВАХ) и V=Const, то сверхток (ток пар) становится переменным во времени. Т.е. через барьер при V 0 текут две компоненты тока: сверхток (ток пар) и нормальный ток (ток квазичастиц, нормальных электронов). Ведь I>I c ! Частота переменного сверхтока ħ = 2eV (3.38) А «частота перехода» между двумя энергетическими уровнями, согласно квантовой механики = E/ħ = 2eV/ħ

Основные закономерности Разность фаз на барьере меняется с t (I>I c ) j=j c sin (3.7) / t=(2e/ħ)V (3.8) Наиболее простой случай: V=V o =Const; H=0 Собственным полем пренебрегаем – токи малы. 1) Интегрируя (3.8), получим = о +(2e/ħ)V o t(3.39) 2) Подставим (3.39) в (3.7): j=j c sin[(2e/ħ)V o t+ о ]= j c sin( o t+ о ) Мы получили переменный (!) ток. Частота тока: = o =(2e/ħ)V o.

Основные закономерности Частота переменного тока ~ V (!!) Т.е. Дж. контакт – генератор, перестраиваемый с помощью напряжения Частота излучение ~ Гц от V=10 -6 В Схема его опыта -Наносился слой СП металла 1. Сильно окислялся (слой окисла нм). -Наносился слой металла 2. Т.е.1-2 – это обычный туннельный переход (толстый слой окиси). -Слой 2 слабо окислялся (слой окисла 1-2 нм). -Наносился слой металла 3. Т.е. 2- это Джозефсоновский переход (тонкий слой окиси)

Основные закономерности а. К переходу 2-3 (переход Джозефсона) прикладывается напряжение V 23. б. Переход генерирует излучение с частотой 23 =(2е/ħ)V 23 в. Это излучение попадает на переход 1-2 (туннельный) – приемник. г. На его ВАХ вблизи V=2 /e наблюдаются особенности (индуцированное излучением туннелирование). Электрон поглощает квант ħ 23 и может туннелировать, хотя до поглощения кванта ему для этого нехватало энергии

Основные закономерности Особенности наблюдаются при eV n =2 nħ

Основные закономерности Случай V=V o +ũ·cosωt(3.40) Обычно ũ

Основные закономерности Разложим (3.43) в ряд Фурье-Бесселя: j=j c · J n ( ũ)·sin{(nω+ V o )t+φ o } Здесь J n ( ũ) – амплитуда гармоник J n – функция Бесселя n-ного порядка Если nω+ V o =0, то соответствующий член постоянен. Т.е. для V o =-n· (3.44) j пост. сост. =j c ·J n ( ũ)·sinφ o = j c ·J n (nũ/V o )·sinφ o

Основные закономерности Ступеньки тока (ступеньки Шапиро, 1963 г) Vo=Vn=n·Vo=Vn=n·

Высокочастотный предел эффекта Частота Джозефсоновской генерации ħ =2eV. Если V, что будет? Свет? Естественный физический предел: ħ =2 Почему? Энергия кванта Джозефсоновского излучения достаточна, чтобы разорвать «пару». Т.е. будут рождаться квазичастицы, «нормальные» электроны. При этом все явления затухают (критток, ступеньки на ВАХ,...). Но предел не абсолютный. Эксперимент: эффект Джозефсона наблюдался и в высокочастотных полях при ħ >2 (до нескольких раз, до 12!). Амплитуда тока Джозефсона падает как 1/, т.е. как 1/V при ħ 2. Теория: при ~ D ~10 2 o /ħI J ~1/ 3 ~1/V 3

Другие нестационарные процессы в слабых связях Импеданс на сверхпроводящем участке 1) I

Другие нестационарные процессы в слабых связях Стимуляция сверхпроводимости СВЧ полем

Другие нестационарные процессы в слабых связях Стимуляция сверхпроводимости СВЧ полем

Другие нестационарные процессы в слабых связях Стимуляция сверхпроводимости СВЧ полем