ЗАО «ЭПИЭЛ» февраль 2010 презентация компании и результатов разработки КНС Ф100 и 150 мм Чумак Вячеслав Данилович главный конструктор структур КНС

КРАТКО О КОМПАНИИ ГОД ОСНОВАНИЯ РАСПОЛОЖЕНИЕ Зеленоград, Москва, РФ ПРОДУКЦИЯ ПЕРСОНАЛ Высококлассные специалисты в области эпитаксии с многолетним опытом работы ЗАО «Эпиэл» - российский лидер в производстве кремниевых эпитаксиальных структур и партнер ведущих производителей микроэлектронных приборов России и СНГ 1998 Кремниевые эпитаксиальные структуры диаметром до 150 мм (в 2010г. – 200мм) Эпиструктуры Кремний на Сапфире диаметром 100 мм (в 2010г. – 150мм) Особо чистые газы (Водород, Кислород) Научные исследования и разработки в сфере эпитаксиальных технологий

В компании работает 110 человек в нашей исследовательской лаборатории 10 инженеров-исследователей и научных сотрудников работают над совершенствованием эпитаксиальных технологий, среди них - 7 обладателей ученых степеней опыт наших ведущих специалистов в эпитаксии – более 30 лет 80% сотрудников непосредственно участвуют в процессе производства и разработке новых продуктов НАШ ПЕРСОНАЛ

ПРОДУКЦИЯ ИС Диоды Мало-сигнальные транзисторы IGBT Диоды Шоттки Силовые транзисторы ДМОП Ультра-быстрые диоды Тензомодули (76 и 100мм) СБИС спец. назначения (100мм) Система менеджмента качества Кремниевые эпиструктуры (применение) Cтруктуры КНС (применение) СБИС спец. Назначения (150мм) ИС нм (200мм) запуск в ISO 9001:2008 (с конца 2009) ISO 9001:2000 ISO 9002:1994

ЗАО «ЭПИЭЛ» - партнер ведущих производителей микроприборов в России и СНГ: ЭПИЭЛ В ОТРАСЛИ Кремниевые пластины Эпитаксиальные структуры и эписервис Полупроводниковые приборы Потребительская, Промышленная и Военная электроника ОАО «НИИМЭ и Микрон», Москва, РФ ОАО «Ангстрем», Москва, РФ ЗАО «ВЗПП Микрон», Воронеж, РФ НПО «Интеграл», Минск, Беларусь ФГУП «ГЗ Пульсар», Москва, РФ

Эпитаксиальные структуры мирового уровня диаметром 100, 125 и 150 мм PE2061 S PE2061 PE2061 S PE2061 PE2061 S Эпиквар ЛИНИЯ A ЛИНИЯ Б Эпитаксиальные структуры диаметром 76 и 100 мм ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ МОЩНОСТИ Импортное оборудование Отечественное модернизированное оборудование Эпиквар 1998

Максимальное кол-во в месяц, шт Максимальное кол-во в месяц, шт ПРОИЗВОДСТВЕННЫЕ МОЩНОСТИ ЛИНИЯ A ЛИНИЯ Б 3 установки 6 установок Диаметр

4-х зондовый измеритель (RS30 Omni Map, ResMap178) Измеритель сопротивления растекания (SSM130) Измеритель пробивного напряжения эпислоя CV-измеритель (SSM 495) Фурье-спектральный измеритель (ФС1201П) Установка контроля качества поверхности (Reflex300, Reflex375) Микроскопия («Jenatech», «Ergolux», «Latimet») ЗАО «ЭПИЭЛ» имеет собственную исследовательскую лабораторию проведения исследований и разработок в сфере эпитаксиальных технологий ПАРК ИЗМЕРИТЕЛЬНОГО ОБОРУДОВАНИЯ

Диаметр подложки, мм76, 100, 125, 150 Ориентация(111), (100) Легирующая примесьСурьма, Бор, Мышьяк Толщина эпислоя, микрон3, 0 – 150 Легирующая примесь эпислояФосфор, Бор, Мышьяк Удельное сопротивление, Ω*cm n-тип p-тип 0,01 – 150 0,1 – 50 Типы однослойных структурn-n +, p-n +, p-p +, n-p + Типы двухслойных структурn 1 -n 2 -n +, n 1 -n 2 -p + Параметры структур соответствуют требованиям стандартов SEMI ПАРАМЕТРЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР Структуры Кремний на Кремнии

Диаметр подложки, мм76, 100, 150 Ориентация(1012) ± 1º Легирующая примесьФосфор, Бор Толщина ГЭС кремния, мкм0,3 – 2,0 Удельное сопротивление, Ω*cm n-тип p-тип Более 30; 5-30; 2,5-10 1,0 - 0,001 Прочие параметры – в соответствии с ТУ и ТУ sh bad find_related.js lib stem_test.js - в 2009 году мы освоили производство структур КНС диаметром 100 и 150 мм с толщиной кремниевого слоя 0,3 мкм ПАРАМЕТРЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР Структуры Кремний на Сапфире

Параметры эпитаксиальных структур соответствуют международным стандартам SEMI для дискретных приборов Методы измерения и контроля полностью соответствуют стандартам ASTM Система менеджмента качества сертифицирована на соответствие стандарту ISO 9001:2008 Индивидуальный подход и тесное взаимодействие с Заказчиком по вопросам качества продукции Гарантированное выполнение согласованных с заказчиком требований КАЧЕСТВО – НАШ ПРИОРИТЕТ 1 КАЧЕСТВО ПРОДУКЦИИ РАБОТА С ЗАКАЗЧИКОМ

НАШ СЕРТИФИКАТ ISO 9001:2008

ЗОНА ЗАГРУЗКИ ПЛАСТИН Чистое производственное помещение

Установки PE2061S - вид из зоны обслуживания Силовые генераторы ЗОНА ОБСЛУЖИВАНИЯ ОБОРУДОВАНИЯ

Газовые панели ИспарителиПанели управления СИСТЕМЫ ПОДАЧИ И РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ХЛОРИДОВ

Газовый шкаф и панель для PH3 Автоматический шкаф для HCl СИСТЕМА ПОДАЧИ И РАСПРЕДЕЛЕНИЯ HCl & PH3

Очистка водорода Точка росы минус 100ºC Панель управления СИСТЕМА ДООЧИСТКИ ВОДОРОДА

ГЕОМЕТРИЯ ПЛАСТИН ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ОКР «ФИЕСТА» Наименование параметра Диаметр структуры 100 мм150 мм Норма ТУФакт.знач.Норма ТУФакт.знач. D, мкм 100 ± 0,3100 ± 0,2150 ± 0,5150 ± 0,3 BOW, мкм TIR, мкм TTV, мкм

ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ СЛОЙ ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ОКР «ФИЕСТА» Наименовани е параметра КНС Ф100 ммКНС Ф150 мм КНС-0,6КНС-0,3 Факт Норма ТУ Факт Норма ТУ ФактНорма ТУ d (ц) ном., мкм(%) 0,018 (3,0) 0,06 (10) 0,01 (3,0) 0,03 (10) 0,015 (5,0) 0,03 (10) d (пл.)ном, мкм(%) 0,031 (5,17) 0,09 (15) 0,0095 (3,2) 0,05 (16,67) 0,016 (5,3) 0,05 (16,67) J уф., отн.ед 0,5 0,75 0,6 1,0 0,5 0,75 Nd 1/кв.см ,0 3 TIR, мкм

ПАРАМЕТРЫ ЭС, ВЫПУСКАЕМЫХ НА УСТАНОВКЕ PE 2061S

ОДНОРОДНОСТЬ ТОЛЩИНЫ ЭС, ВЫПУСКАЕМЫХ НА УСТАНОВКЕ PE 2061S

Изменение толщины ГЭС по площади структур КНС Ф150 мм при изменении плана контроля (9 5 точек контроля) ЗАО «Эпиэл»Фирма SVM 2.35% 2.18%1.46% 1.3% 3.93% 1.47% 1.53% 0.86%2.3% 2.0% ИЗМЕНЕНИЕ ПЛАНА КОНТРОЛЯ

ОДНОРОДНОСТЬ ТОЛЩИНЫ ГЭС КНС Ф150 ММ Распределение толщины слоя кремния по площади пластины (верхний ярус, контроль по 9 точкам)

ОДНОРОДНОСТЬ ТОЛЩИНЫ ГЭС КНС Ф150 ММ Распределение толщины слоя кремния по площади пластины (нижний ярус, контроль по 9 точкам)

НАПРАВЛЕНИЕ ДАЛЬНЕЙШИХ РАБОТ Повышение воспроизводимости и однородности параметров кремниевых слоев в структурах КНС Ф150 мм. Разработка промышленного метода контроля остаточных загрязнений (частиц) на пластинах сапфира и структурах КНС ( по типу Surfscan для кремния). Разработка метода контроля и технологии удаления статического заряда на пластинах сапфира и структурах КНС. Разработка установки контроля границы раздела «кремний – сапфир» методом фото-ЭДС с применением картографирования поверхности. Разработка структур КНС Ф150 мм с улучшенным кристаллическим совершенством границы раздела «кремний – сапфир». Разработка структур КНС Ф150 мм с ультратонким приборным слоем.

Спасибо за внимание! , Москва, Зеленоград, 1-й Западный проезд 12, строение 2 Тел.: (495) Факс: (495) ЗАО «ЭПИЭЛ»