Исследование переноса тепла через нанометровые диэлектрические слои и вакуумные зазоры Научный руководитель проекта: г.н.с., д.ф.-м.н. Овсюк Виктор Николаевич.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Работу выполнили: Красяков Антон Тидякин Юрий Группа
Advertisements

Фотоприемники и солнечные батареи. Выполнили: Гвоздев В. А. Хасаев М. Л.
Программа Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект 35: «Исследование, разработка и изготовление двухцветного.
И солнечные батареи ПРЕЗЕНТАЦИЮ ПОДГОТОВИЛИ СТУДЕНТЫ 3-ЕГО КУРСА ГРУППЫ ЗУБЕНКО А.А. и ПОЯРКОВ Р.А.
Фотоприемники: фотосопротивления, фотодиоды, фототранзисторы Зелемоткин А.В.
Системы оптимального охлаждения гамма- и ИК- спектрометров для планетных и астрофизических исследований Антон Черненко ИКИ РАН.
Артемов И.С., Общие сведения Биполярным транзистором (БТ) называют полупроводниковый прибор, состоящий из трех слоев (эмиттера, базы и коллектора)
Криогенные детекторы терагерцового диапазона.
1 Программа фундаментальных исследований Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект 46: «Создание светоизлучающих.
Программа Президиума РАН Отделение нанотехнологий и информационных технологий Проект 27.4 «Физические основы электронно-пучковой наноструктуризации металлов.
Формирование и исследование наноразмерных объектов с помощью экспериментальных методик развитых в НИИЯФ МГУ Автор: Черн ых Павел Николаевич..
Разработка фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния с конкурентными на мировом рынке энергетическими и экономическими показателями.
Разработка способа и системы ускоренного охлаждения вакуумных печей с теплоизоляцией на основе углерод-углеродного композиционного материала 1 Студент:
Лавинные фотодиоды Выполнила студентка группы Сыромолотова А.В.
Белорусский государственный университет Физический факультет Кафедра энергофизики Минск 2005 г. Демонстрационно-измерительная система «ДОМ»
Устройство полевого транзистора Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей,
Мастер производственного обучения Боровикова Марина Владимировна.
Лекционный курс «Экспериментальные методы физических исследований» Раздел МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУР (ЭЛЕМЕНТЫ КРИОГЕННОЙ ТЕХНИКИ) Тема ЭФФЕКТ.
Электронно-дырочный переход. В современной электронной технике полупроводниковые приборы играют исключительную роль. За последние три десятилетия они почти.
Биполярный транзистор. Введение Биполярными транзисторами называются полупроводниковые приборы с двумя очень близко расположенными и взаимодействующими.
Транксрипт:

Исследование переноса тепла через нанометровые диэлектрические слои и вакуумные зазоры Научный руководитель проекта: г.н.с., д.ф.-м.н. Овсюк Виктор Николаевич Организация-исполнитель: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН

Аннотация Основная цель проекта в целом – разработка технологии миниатюрного и экономичного охлаждающего устройства («холодильника») на основе твердотельной структуры. Конструкция холодильника – слоистая структура, состоящая из двух слоев полупроводника («эмиттера» и «коллектора»), разделенных вакуумным зазором нанометровой толщины примерно нм, к которым приложена разность потенциалов 0,1–1,0 В. Принцип работы холодильника – автоэлектронная эмиссия и т. н. отрицательный эффект Ноттингхема, который заключается в охлаждении эмиттера за счет преимущественной туннельной эмиссии «теплых» электронов с энергиями выше уровня Ферми эмиттера.

Аннотация Расчетные параметры холодильника: a) Масса холодильника – 0,5 г на 1 см2 охлаждающей поверхности. b) Расчетная мощность охлаждения – до 400 Вт/см2 (при практическом отсутствии обратного теплового потока) c) Теоретический предел температуры холодной поверхности эмиттера – около 100 К. d) КПД 70–75 % по отношению к циклу Карно.

Основные проблемы: 1.Получение гладких поверхностей эмиттера и коллектора с шероховатостью менее 1 нм. 2.Получение вакуумных зазоров между эмиттером и коллектором с отклонением от среднего значения не выше нескольких процентов. 3.Разработка эмиссионных покрытий для эмиттера с эффективной работой выхода не выше 1 эВ. 4.Минимизация величины обратных тепловых потоков между нагреваемым коллектором и охлаждаемым эмиттером, обусловленных теплопроводностью торцевых изоляционных стенок из диоксида кремния, а также увеличением интенсивности радиационного переноса тепла через узкие зазоры, которое предсказывается флуктуационно-диссипативной теоремой.

Перспективы НИР Твердотельные охлаждающие наноэлектронные устройства, в силу их миниатюрности и экономичности, легко могут быть встроены в управляющие электронные чипы микро-, фото- и наноэлектроники для традиционного охлаждения ответственных элементов и узлов с целью понижения уровня их шумов и повышения быстродействия кристаллов. Охлаждение современных высокочувствительных матричных приемников излучения в фотоприемных устройствах (ФПУ) среднего и дальнего ИК- диапазонов обеспечивается исключительно механическими микрокриогенными системами (МКС). Замена МКС твердотельными охлаждающими устройствами с чисто электронным управлением обеспечит радикальное уменьшение массогабаритных характеристик ФПУ, их энергопотребления и цены с одновременным увеличением надежности ФПУ.

Перспективы НИР Легко транспортируемые и экономичные твердотельные холодильники в миниатюрном исполнении с объемом холодильной камеры от одного до нескольких десятков кубических сантиметров способны обеспечить длительное сохранение биологических объектов при криогенных температурах. Предполагаемое исследование теплового сопротивления нанометровых диэлектрических слоев позволит, во-первых, выявить соотношение ролей собственно теплопроводности и фононного отражения на границах в формировании теплового сопротивления слоев, а во-вторых, рассчитывать оптимальные тепловые режимы работы сложных электронных кристаллов с силовыми элементами, нуждающимися в эффективном пассивном отводе тепла.

Перспективы НИР Предполагаемая разработка метода исследования переноса излучения между поверхностями, разделенными нанометровыми зазорами, позволит экспериментально проверить основные предсказания т. н. флуктуационно- диссипативной теоремы.

Планируемые результаты на 2009 год Теоретический анализ эффективности охлаждающего устройства на основе эффекта Ноттингхема и автоэлектронной эмиссии через вакуумный зазор нанометровой ширины. Определение оптимальной величины работы выхода из эмиттера. Разработка измерительного устройства и определение особенностей теплопроводности тонких диэлектрических слоев диоксида кремния в зависимости от толщины в диапазоне толщин примерно 10–100 нм. Разработка принципов построения экспериментального прибора для измерения переноса лучистой энергии через (регулируемые) вакуумные зазоры нанометровой ширины.