ИФП 1976 год IEEE El.Dev.v.56N4,apr.2009

ИФП :Микроэл.т.5,в.4; 1976 г Thin Sol.Films,58(1979) IEEE El.Dev.v.56,N4,Apr.2009 Цитата из статьи: We reported the highest electron mobility (μn) for Ge NMOS in the literature

Основные идеи А.В.Ржанова, положенные в основу формирования совершенной границы раздела, и выполненные под его руководством работы по созданию МДП – транзистора на основе германия привели к получению прибора, характеристики которого не могут превзойти даже через 30 лет! Они до сих пор являются лучшими в мире!

Учёный сосет ИФП СО РАН в 1970 году

Большое спасибо всем, кто пришёл на этот учёный совет, посвящённый памяти организатора и первого директора нашего института академика РАН Анатолия Васильевича Ржанова