Скачать презентацию
Идет загрузка презентации. Пожалуйста, подождите
Презентация была опубликована 8 лет назад пользователемАнна Прушинская
1 Ионно-лучевая обработка пленок GaN А.И. Стогний, А.С. Шуленков
2 LOGO Установка ионно-лучевого нанесения, если надо - травления 1 – широкоапертурный источник ионов для распыления мишени 2 – держатель мишеней 3 – источник низкоэнергетических ионов 4 – подложкодержатель 5 – крышка 6 – подвижная заслонка
3 LOGO Контроль толщины АСМ-изображение пористой поверхности стеклянной подложки АСМ-изображение пленки золота толщиной около 4 нм АСМ-изображение бислойной структуры NiO X /Au
4 LOGO Оптические свойства пленок золота Расчётная толщина <0.8 нм Толщина >1.2 нм
5 LOGO Оптические свойства пленок золота
6 LOGO Формирование контактного слоя Исходная поверхность p-GaN Поверхность контактной структуры Au(4nm)/BeO(4nm)/p-GaN
7 LOGO Формирование контактного слоя
8 LOGO ВАХ-контактов
9 LOGO Исходная поверхность, борьба за гладкость
10 LOGO Имплантированная поверхность 120 кэВ, 16 м Кл, Ar +. Жалко, не получилось
11 LOGO Имплантированная поверхность 120 кэВ, 16 м Кл, Ar + после травления
12 LOGO Имплантированная поверхность 120 кэВ, 5 м Кл, Ar + после травления
13 LOGO Исходная поверхность после травления
14 LOGO Спасибо за внимание, мы и так ярче всех!!!!
15 Click to edit company slogan.
Еще похожие презентации в нашем архиве:
© 2024 MyShared Inc.
All rights reserved.