Конструкции п/п приборов и ИС. 1949-1950 гг 1959 г 1960 г. - презентация

1 Конструкции п/п приборов и ИС

2 гг

3

4 1959 г 1960 г

5

6

7 1958 г (Ge)

8 1962 г

9

10

11

12 r коллектора меньше в 3 раза

13 0,25 ρ s ˂ R ˂ ρ s 15 – 20 % 0,15 – 0,3 % / o C0,01 – 0,02 % / o C

14 к Ом 50 % 0,3 – 0,5 % / о С

15

16

17

18 d1 = d2 / 2

19 Изменения кремниевой структуры со скрытыми слоями при формировании полупроводниковых микросхем по эпипланарной технологии

20

21

22

23 Схема изготовления КМОП-КНС-ИМ

24 Si 3 N 4 Si* SiO 2 Si 3 N 4 SiO 2 Самосовмещение Si n p n

25 Л.А. Коледов Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок Учебник для вузов. - М.: Радио и связь, 1989.