Растровый микроскоп Подготовил: Воробьев Н.В. Схема растрового электронного микроскопа. - презентация

1 Растровый микроскоп Подготовил: Воробьев Н.В

2 Схема растрового электронного микроскопа

3 Взаимодействие электронного пучка с образцом Рисунок 2-Область взаимодействия

4 Глубина генерации сигналов

5 Детектор вторичных электронов Рисунок 4 - Схема детектора Эверхарта–Торнли

6 Детектор отраженных электронов Рисунок 5-Полупроводниковый детектор отраженных электронов Рисунок 6-Принцип формирования композиционного и топографического контраста

7 Электронный микроскоп ТМ 1000 Рисунок 7 – внешний вид установки

8 Основные характеристики электронного микроскопа ТМ 1000 Ускоряющее напряжение -15 кВ Степень увеличения - От 20 до Максимальная просматриваемая область: 3,5 мм (квадратная) Степень разряжения в электронной пушке - Свыше 5 х 10-2 Па Степень разрежения в камере для образца - Около 30 ~ 50 Па; изменение от 1 до 15 Па (без регулирования степени разрежения) Размер образца -70 мм (диаметр) Толщина образца - Менее 20 мм Способ управления - С помощью портативной вычислительной машины (специализированного компьютера) Детектор - Высокочувствительный полупроводниковый детектор обратно рассеянных электронов Конденсорная линза и линза объектива - Постоянный магнит + электромагнит Размер запоминаемого кадра х 960, 640 х 480 элементов изображения (только изображение)