ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов Работу выполнили студенты группы 21303 Федотов Роман Филиппов Артём. - презентация

1 ГОСТы и обозначения полупроводниковых приборов Работу выполнили студенты группы Федотов Роман Филиппов Артём

2 Обозначения полупроводниковых приборов на принципиальных электрических схемах УЭ А + К - А + К - «А» - Анод «К» - Катод «УЭ» - Управляющий Электрод Диод Тиристор

3 P N А К А К УЭ

4 Обозначения выводов биполярного транзистора ЭК Б «Э» - Эмиттер «К» - Коллектор «Б» - База P N P Э К Б

5 Транзисторы

6 Обозначения выводов полевого транзистора З ИС З И П С «З» - Затвор «С» - Сток «И» - Исток «П» - Подложка N P+ З И П С З

7

8 Фотодиод

9 Буквенно-цифровые обозначения полупроводниковых приборов на основе государственного стандарта ГОСТ Диоды Первый элемент Г(1) - для германия или его соединений К(2) - для кремния или его соединений Обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен прибор А(3) - соединения галлия (например арсенид галлия) И(4) - соединения индия (например фосфид индия)

10 Второй элемент Буква, определяющая подкласс (или группу) приборов Д -Диоды выпрямительные и импульсные Ц - выпрямительные столбы и блоки В - варикапы И - туннельные диоды А - сверхвысокочастотные диоды С - стабилитроны Г - генераторы шума О - оптопары Н - диодные тиристоры У - триодные тиристоры

11 Третий элемент Назначение прибора: Диоды выпрямительные с прямым током А: 1. менее Генераторы шума: 1.низкочастотные 2.высокочастотные Туннельные диоды: 1.усилительные 2.генераторные 3.переключательные 4.обращенные Условное обозначение: «1» «2» «1» «2» «3» «4»

12 Четвертый элемент Число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа Пятый элемент Буква, условно определяющая разбраковку по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии

13 Пример КД213Б 8612 КД213Б 2Д106А КЦ405А 8503 КЦ405А

14 Транзисторы Первый элемент Обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор Г(1) - для германия или его соединений К(2) - для кремния или его соединений А(3) - соединения галлия (например арсенид галлия) И(4) - соединения индия (например фосфид индия) Второй элемент Буква, определяющая подкласс (группу) транзисторов Т - для биполярных П - для полевых

15 Третий элемент Цифра, определяющая основные функциональные возможности цифра максимальная граничная частота максимальная мощность не более 3 МГц от 3 до 30 МГц более 30 МГц не более 3 МГц от 3 до 30 МГц более 30 МГц не более 3 МГц от 3 до 30 МГц более 30 МГц 0,3 Вт 1,5 Вт Больше 1,5 Вт

16 Четвёртый элемент Число, обозначающее порядковый номер разработки Пятый элемент Буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзистора, изготовленного по единой технологии

17 Пример Б А 8 КТ315Б КТ805АМ lll-83 КТ805АМ

18 Обозначения транзисторов по ГОСТам: ГОСТ ГОСТ П217Г КлассНомер разработки, указывающий на материал и функциональные возможности Группа ВЗР П217Г 2-79

19 Зарубежные обозначения полупроводниковых приборов -Американская система JEDEC -Японская система JIS

20 Американская система JEDEC Первый элемент Число p-n переходов: 1 – диод 2 – транзистор 3 – тиристор 4 – оптоприбор Второй элемент Буква N Третий элемент Серийный номер прибора ( ) Четвертый элемент Буква модификации прибора

21 Пример 2N 5551 S CB N 2N5551 1N4007

22 Японская система JIS Пример: 2SB247 Первый элемент 0 - фотодиод, фототранзистор 1 - диод 2 - транзистор 3 - тиристор Второй элемент Буква: S Буква: S Третий элемент Буква - тип прибора: Буква - тип прибора: A - высокочастотный PNP транзистор B - низкочастотный NPN транзистор C - высокочастотный NPN транзистор D - низкочастотный PNP транзистор F - тиристор I – Полевой транзистор с Р-каналом

23 К - Полевой транзистор с N-каналом М - Симметричный Тиристор (Семистор) Q - Светодиод R - Выпрямительный диод V - Варикап Z – Стабилитрон Четвертый элемент Серийный номер: Серийный номер: Пятый элемент Одна или две буквы: модификации прибора Одна или две буквы: модификации прибора