Скачать презентацию
Идет загрузка презентации. Пожалуйста, подождите
Презентация была опубликована 10 лет назад пользователемportalnano.ru
1 Аналитический обзор значимых разработок и их связи с учебным процессом по тематическому направлению деятельности национальной нанотехнологической сети «Наноинженерия» Заведующий кафедрой МГТУ им. Н.Э. Баумана, д.т.н., профессор Шахнов Вадим Анатольевич. Тел. (499)
3 РАЗВИТИЕ НАУЧНОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО ЦЕНТРА (НОЦ «Наноинженерия») Уровень университета: НОЦ – как центр коллективного пользования уникальными методиками и оборудованием для решения прорывных задач в рамках внутригосударственной и международной научной кооперации. Уровень кафедры: НОЦ – как образо- вательная инфра- структура подго- товки кадров на основе проектных методов обучения. Уровень факультета: НОЦ – как научно- образовательная инфраструктура обеспечения межкафедральных учебных курсов, НИОКР и проектов СНТО.
4 Трехуровневая модель кадровой инфраструктуры НОЦ наноиндустрии Структура управления кадровой инфраструктурой Университетский (региональный) уровень Создается кооперацией региональных, межрегиональных и международных участников ННС, оснащен единичным уникальным оборудованием, ориентирован на выполнение фундаментальных прорывных исследований, подготовку и переподготовку кадров высшей квалификации. Университетский НОЦ (региональный и межуниверситетский) Уровень факультета Создается кооперацией факультета (ведущего подготовку по направлениям наноиндустрии) и партнеров – организаций ННС, оснащен серийным нанотехнологическим опытно-экспериментальным оборудованием, проводит заказные НИОКР, подготовку и переподготовку кадров (отдельные группы по заказу партнеров по кооперации), а также «бакалавров-магистров» и кадров высшей квалификации Тематические НОЦ по направлениям Уровень кафедры Создаются при кафедрах, ведущих подготовку по профилям направлений и специализациям наноиндустрии согласно ГОС 3-ого поколения, укомплектованы учебным и опытно-исследовательским оборудованием, осуществляют подготовку и переподготовку по программам инженерного образования, проводит НИОКР, обеспечивает разработку учебно-методического контента и реализацию проектных методов обучения специалистов наноиндустрии Программы Минобрнауки Региональные программы, РФФИ Программы инвест. и инновац. фондов Международные программы Уровни управления Кадровая инфраструктура НОЦ Профильные НОЦ (по профилям подготовки, осуществляемых кафедрами)
5 Пилотный проект МГТУ им.Н.Э.Баумана Структура и состав НОЦ на различных уровнях формирования компетенций НОЦ факультета «Информатика и систем управления» СНТО Учебно-иссле- довательские лаборатории НОЦ кафедр НОЦ кафедр НОЦ кафедр НОЦ факультета «Специальное машиностроение» СНТО Учебно-иссле- довательские лаборатории НОЦ кафедр НОЦ кафедр НОЦ кафедр НОЦ факультета «Радио- электронная, лазерная и медицинская техника» СНТО Учебно-иссле- довательские лаборатории НОЦ кафедр НОЦ кафедр НОЦ кафедр НОЦ факультета «Машиностроительные технологии» СНТО Учебно-иссле- довательские лаборатории НОЦ кафедр НОЦ кафедр НОЦ кафедр НОЦ факультета «Робототехника и комплексная автоматизация» СНТО Учебно-иссле- довательские лаборатории НОЦ кафедр НОЦ кафедр НОЦ кафедр НОЦ факультета «Энергомашиностроение» СНТО Учебно-иссле- довательские лаборатории НОЦ кафедр НОЦ кафедр НОЦ кафедр Инновационная образовательная инфраструктура ПЕРСПЕКТИВНАЯ ИНФРАСТРУКТУРА НОЦ «Наноинженерия» МГТУ им. Н.Э.Баумана ЦКП «Учебно- инженерный центр нанотехнологий, нано- и микросистемной техники»
6 Структура и состав НОЦ на различных уровнях формирования компетенций ПЕРВЫЙ УРОВЕНЬ – УНИВЕРСИТЕТСКИЙ НОЦ (ЦКП) (обеспечение подготовки кадров высшей квалификации, фундаментальные и прикладные исследования) В годах в МГТУ им. Н.Э.Баумана по проекту «Нанотехнологическая база микросистемной техники» инновационной образовательной программы «Научное и кадровое обеспечение инновационного развития технических систем, объектов и технологий, отвечающих требованиям мирового уровня и качеству, надежности и безопасности», реализуемом в рамках национального проекта «Образование» создан «Учебно-инженерный центр нанотехнологий, нано- и микросистемной техники» (центр коллективного пользования). Лаборатория микроскопии Лаборатория наноструктур и материалов Лаборатория спектроскопии Лаборатория нанооптики
7 Структура центра Отделнаноэлектроники, нано- и микросистемОтделнаноэлектроники, микросистем Лабораторияинформационнойподдержки учебно-научных учебно-научных работ работЛабораторияинформационнойподдержки учебно-научных учебно-научных работ работ Отделнано-оптоэлектроникиОтделнано-оптоэлектроники Отделвакуумно-плазменных методов в нанотехнологияхОтделвакуумно-плазменных нанотехнологияхОтдел гель-структур и нано-гидротехнологийОтдел нано-гидротехнологий Отделсложныхнаноструктури-рованныхсистемОтделсложныхнаноструктури-рованныхсистем Лабораториятехническойподдержки учебно-научных учебно-научных работ работЛабораториятехническойподдержки учебно-научных учебно-научных работ работ Отдел теоретических теоретическихисследованийпроблемнанотехнологийОтдел исследованийпроблемнанотехнологий Отдел наноструктур и наноматериаловОтдел наноматериалов Научное руководство центра - Научно-координационный совет по наноинженерии Оперативное руководство центра - Директор Научное руководство центра - Научно-координационный совет по наноинженерии Оперативное руководство центра - Директор
8 Нанотехнологический комплекс «Нанофаб-100» (Россия) ионно-лучевое травление, с помощью остросфокусированного ионного пучка; сверхлокальное препарирование гомогенных и гетерогенных объектов и анализ их внутреннего строения с использованием различных видов контрастов; ремонт и реконструкция объектов МЭМС и МСТ приборов; изготовление объёмных и планарных микро- и наноразмерных объектов. нанолитографические операции и наноманипуляции с помощью зондовых методов Планируемые работы: Исследование диффузионных процессов в гетероструктурах для нанодиодов и транзисторов. Исследование свойств антидиффузионных покрытий для полупроводниковых материалов Bi 2 Te 3. Исследование углеродных волокон с осажденными нанотрубками. Исследование 3D структур для устройств на ПАВ (РЧИДы).
9 Ионно-плазменная электродуговая установка с вращающимися катодами для нанесения наноструктурных покрытий на металлы Platit π-80 (Швейцария) нанесение наноструктурных покрытий различного класса для различных деталей и узлов микросистемной техники: однослойные, многослойные, наноградиентные, нанослойные, нанокомпозитные, комбинации этих покрытий (TiN, TiAIN, AITiN, nACRo, TiCN-MP, TiAICN). барьерные (антидиффузионные) покрытия на детали МЭМС и МСТ-приборов, упрочняющие покрытия на детали приборов, антикоррозионные покрытия, биосовместимые покрытия, алмазоподобные, бактерицидные покрытия. Планируемые работы: Нанесение защитных антидиффузионных покрытий на полупроводниковые элементы Bi 2 Te 3. Нанесение бактерицидных покрытий на изделия медицинской техники. Нанесение износостойких и антикорозионных покрытий.
10 Ионно-плазменная электронно-лучевая установка для нанесения различных наноструктурных покрытий на металлы и неметаллы Leybold Univex-300 (Германия) Нанесение тонких пленок методом электронно-лучевого испарения широкой номенклатуры материалов на опытные и макетные образцы деталей приборостроения, электроники, нанооптоэлектроники и др.
11 Автоматическая установка реактивно-ионного и плазмохимического травления «КАРОЛИНА 15» изготовление рельефно-фазовых голограммных оптических элементов (ГОЭ), дифракционных оптических элементов (ДОЭ) и киноформных оптических элементов (КОЭ) на стеклянных и полупроводниковых пластинах диаметром до 200 мм методами плазмохимического, ионнохимического травления и плазмостимуллированного осаждения слоёв предельный вакуум в рабочей камере 2,5*10 -4 Па количество каналов рабочих газов (шт.) до 9, из них 4х каналов агрессивных газов (Cl 2 Si 2 Cl 4, и др.) диаметр обрабатываемых изделий до 200 мм равномерность на Ø150 мм при травлении SiO 2 ±1 (%) Планируемые работы: Исследование и получение нанооптоэлектронных элементов методами лазерной литографии и ионно-плазменного травления.
12 Лазерная установка для микрогравировки оптических деталей и материалов KineMax HighSec создание 2D/3D стереограмм, получение полноцветных голограмм (true colour) и голограмм с наличием кинематических эффектов, скрытых единичных и анимированных изображений, микротекстов размером от 20 микрометров, специальных текстурных изображений, рельефного 2D/3D фона; создание защитных голограмм с комбинированием всех свойств и особенностей, а также возможность их создания различного размера из одного графического файла. Планируемые работы: Разработка и исследование нанооптоэлектронных элементов для системы голографической памяти: -дифракционные оптические элементы; -голографические оптические элементы; -зеркальные дифлекторы; -структуры типа МОЭМС.
13 Сверхвысоковакуумный сканирующий зондовый микроскоп JSPM-4610, фирма JEOL (Япония) Планируемые работы: Исследование диффузионных процессов в гетероструктурах для нанодиодов и транзисторов. Исследование свойств антидиффузионных покрытий для полупроводниковых материалов Bi 2 Te 3. Исследование углеродных волокон с осажденными нанотрубками. Исследование 3D структур для устройств на ПАВ. исследования свойств поверхности образцов наноструктурных материалов и нанообъектов при атмосферном давлении и в условиях сверхвысокого вакуума (10 -8 Па); подготовка образцов прямым и непрямым нагревом, а также ионной бомбардировкой в среде аргона получение рельефа поверхностей с разрешением от атомарного 0,1 нм до 1-10 мкм; исследование химических и физических свойств поверхности с разрешением 1 нм – 10 мкм; осаждение пленок металлов (Au, Ag, Cu, Al, Ti, Ni и др.). Техпроцессы нанолитографии с разрешением менее 5 нм.
14 Растровый электронный микроскоп TESCAN VEGA II с системой микроанализа INCA Energy 350 (Чехия) анализ химических элементов следующих в периодической системе химических элементов за бериллием (Be); разрешение - 3 нм при ускоряющем напряжении в колонне 30 кВ; увеличение - от х4 до х ; ускоряющее напряжение - от 200 В до 30 кВ; ток электронного луча - от 1 пА до 2 мкА; рабочее значение вакуума - 5x10 -3 Па. Световой оптический микроскоп Leitz-Metallovert (Германия) разрешающая способность до 0,2 мкм; полезное увеличение: N пол = 500 А - нижний предел полезного увеличения N пол = 1000 А - верхний предел полезного увеличения глубина резкого изображения 0,65 мкм
15 Спектроскопический эллипсометр IR-VASE® J. A. Woollam Inc (США) исследование физико-химических свойств диэлектриков, полупроводников, полимеров и металлов; определение толщины и химического состава слоев при толщине от долей нм до 100 мкм; определение коэффициента преломления слоя в инфракрасном диапазоне волн; определение коэффициента оптического поглощения в инфракрасном диапазоне волн; определение концентрации (легирующей) примеси и других свойств материала, связанных с изменением оптических постоянных отраженного света. Планируемые работы: Исследование свойств антидиффузионных покрытий для полупроводниковых материалов Bi 2 Te 3. Исследование диффузионных процессов в гетероструктурах для нанодиодов и транзисторов.
16 Профилометр "Профи-130" (Россия) измерение 22 параметров шероховатости (высотные, шаговые, угловые, длинномерные, качественные) и 4 параметров волнистости наружных и внутренних поверхностей. размеры измеряемых высот неровностей от 0 до 350 мкм, точность измерения 0,1...0,5 мкм на длине 0,5…12,5мм. Сканирующий мультимикроскоп СММ 2000 (Россия) возможность работать в режимах сканирующего туннельного и атомно- силового микроскопов максимальное поле сканирования 15 мкм х 15 мкм с размахом высот до 2 мкм; разрешение в режиме СТМ по плоскости XY до 0,3 нм, по вертикали Z до 0,1 нм; разрешение в режиме АСМ по плоскости XY до 1нм, по вертикали Z до 0,3 нм.
17 Профилометр – профилограф Formcorder SEF3500 обеспечение автоматического контроля параметров шероховатости и формы поверхности исследуемых образцов диапазон измерения, мм по Y – 50 по X – 100 погрешность измерения, мм Y±0,2% / 5 X±0,1% / 5 разрешение, мкм 0,1 по X увеличение, кратность по X и Y скорость подачи, мм/с 0,02 – 2 при измерении 0,02 – 10 при возврате прямолинейность 5 мкм на 100 мм щуп карбид вольфрама радиус R = 25 мкм усилие 0-30 мН Многоспектральный комплекс «OPHIR» определение мощности, энергии и длины волны лазерного и оптического излучений диапазон измерения мощности - от 0,06 до 3 Вт точность измерения мощности ±3 % диапазон измерения энергии от 0,015 до 2 Дж время установления измеряемого значения (0-95%) 1,5 сек
18 Универсальные испытательные машины: Zwick/Roell - Z100, укомплектованная термокриокамерой Maytec (- 80…+250 С) и печью НТО-02 Maytec (до 1600 С) Zwick/Roell - Z050, укомплектованная печью НТО-08/1 Maytec (до 1000 С) (Германия) Универсальная испытательная машина Galdabiny Quasar – 50 (Италия)
19 Организации – потребители подготовленных кадров. ФГУП «МОКБ «Марс»; ФГУП ЦНИИ «Комета»; ФГУП «Центр эксплуатации объектов наземной космической инфраструктуры»; ОАО «Радиотехнический институт им. ак. А.Л. Минца»; ФГУП»НПП ВНИИЭМ»; ОАО «НИИРП»; ОАО «Альтаир»; ОАО «Концерн «Вега»; ФГУП «НПИ ИТ»; ФГУП «ЦНИРТИ им. ак. А.И. Берга»; ФГУП «ФНПЦ «Прибор»; ФГУП «РНИИ КП»; ОАО «Зенит»; ОАО «НПП «ЭлТом»; ОАО «МЗ «Сапфир»; ОАО «АО САМ»; ФГУП «ФНПЦ «Прибор»; ОАО МНПО «Спектр»; ОАО «Альтоника» и др. 1.Технология приборостроения 2.Теплофизика 3.Метрология и взаимозаменяемость 4.Материаловедение 5.Прикладная механика 6.Ракетные двигатели 7.Проектирование и технология производства электронной аппаратуры 8.Ракетно-космические композитные конструкции 9.Оптико-электронные приборы научных исследований 10.Вакуумная техника 11.Физика 12.Химия и др. Базовые кафедры НОЦ:
20 Учебные курсы в области нанотехнологий: 1.Элионные технологии 2.Физические основы наноэлектроники 3.Элементы и приборы наноэлектроники 4.Специализированные технологические методы в нанотехнологиях 5.Технологические системы в производстве наноэлектронных приборов 6.Методы диагностики в нанотехнологиях 7.Основы проектирования и производства микроэлектромеханических устройств 8.Нанотехнологии 9.Компьютерное моделирование нанотехнологических процессов 10.Наноматериалы в РЭС 11.Вакуумная и плазменная электроника 12.Вакуумная техника 13.Микроэлектромеханические устройства 14.Нанотехнологические процессы и оборудование И др.
21 Учебники и учебные пособия, изданные в МГТУ им. Н.Э. Баумана 1.Электронный учебник по нанотехнологиям. Компьютерный тренажер. 2.Наноматериалы РЭС: Ч. 1. Свойства нанослоев и нанонитей. 3.Наноматериалы РЭС. Ч. 2. Свойства нанотрубок, наночастиц и нанокомпозитов. 4.Нанотехнология и микромеханика:. Ч. 4. Зондовые технологии. 5.Углеродные нанотрубки. 6.Введение в инженерную нанотехнологию. 7.Физические основы электронных технологий. 8.Специальные технологические методы в нанотехнологии РЭС. Ч. 1. Молекулярно-лучевая эпитаксия нанослоев, нанонитей и наночастиц. 9.Физические принципы формирования надежных электронных приборов на основе нанотехнологий. Ч 1. Уравнения распределения вероятностей безотказной работы в фазовом пространстве. 10.Основы проектирования и производства электромеханических устройств. Ч. 1. Контактная сварка элементов микроэлектромеханических устройств и интегральных схем 11.Наноматериалы для электронных средств. Ч.1 и 2. Подготовка сканирующего туннельного микроскопа к исследованию материалов. И др.
22 Научные разработки, выполненные в НОЦ
23 в ба Электронно-микроскопическое изображение (а), электроннограмма (б) и топография поверхности (в) пленки Ti-Al-B-N с размерами кристаллитов порядка 1 нм Наноструктурированные упрочняющие тонкопленочные покрытия на инструменте
24 Разработка трёхслойного фильтра Фабри-Перо Трехслойный фильтр На стеклянную пластинку нанесена структура из слоя окисла кремния (SiO 2 ), расположенного между двумя тонкими слоями металла (Al или Au). Слой окисла кремния (SiO 2 ) обладает пьезоэлектрическим эффектом и способен изменять геометрические размеры под действием приложенного к нему электрического поля. Таким образом, изменяется расстояние между слоями металла (Al или Au), что позволяет осуществлять сканирование спектра в диапазоне 380–780 нм. Селективная фильтрация – спектральное разрешение,, … – избираемые длины волн Применение: спектрометры, датчики и др.
25 ТРЕТИЙ УРОВЕНЬ – НОЦ КАФЕДРЫ (подготовка по профилям направлений ФГОС) В 2008 году подготовлен технический проект НОЦ «Нанотехнологические системы», направленный на создание методической и материально-технической базы подго- товки специалистов по направлению «Нанотехнологии» с профилем подготовки «Наноинженерия». НОЦ включает в свой состав учебно-исследовательские лабора- тории, обеспечивающие реализацию проектных методов обучения по блокам дисциплин и студенческое КБ «Наносистемы». Подготовка бакалавров Модуль дисциплин: «ИКТ и САПР микро- и наносистем» Модуль дисциплин: «Комплекс испытаний, сертификации и метрологических исследований микро- и наносистем» Модуль дисциплин: Технологические системы формирования наноструктур» Модуль дисциплин: «Исследовательские микро- и наноизмерительные системы» (микроскопия) Подготовка магистров Модуль дисциплин: «ИКТ и САПР микро- и наносистем» модуль дисциплин: «Комплекс испыта- ний, сертификации и метрологи-ческих исследований мик- ро- и наносистем» Модуль дисциплин: Технологические системы формирования наноструктур» Модуль дисциплин: «Исследовательские микро- и наноизмерительные системы» (микроскопия) Проектирование структуры компонентов наносистем Формирование структуры (магнетрон) Формирование структуры (осаждение) Формирование структуры (литография) Функциональное тестирование (зондовая станция) Измерения и контроль качества (микроскопия) Испытания и сертификация Методическая и материально- техническая база НОЦ
26 Лаборатория «Микроскопии» Лаборатория «Микроскопии» специализируется на проведении исследований микро- и наноструктур. Среди разработок лабораторий: электрохромные покрытия оптических систем, дефектоскопия CD/DVD дисков, фильтры Фабри-Перо высокой разрешающей способности, нейросетевые методы распознавания изображений при дефектоскопии проводящих микро- и наноструктур, активные виброзащитные системы нанотехнологических и измерительных комплексов и т.п. Лаборатория Микроскопии укомплектована современным измерительным оборудованием с высоким разрешением: - Сканирующими зондовыми микроскопами (СЗМ) - Оптическими микроскопами Intel - Научно-исследовательским сканирующим зондовым микросокпом Solver P47 - Pro - Сканирующим туннельным микроскопом производства концерна Наноиндустрия - Спектроэлипсометром «Эльф» концерна Наноиндустрия. - Электронным растровым микроскопом. Учебные программы реализуются при поддержке НИИ Системных исследований (РНЦ Курчатовский центр») и ФТИАН.
27 Лаборатория «Формирование наноструктур» Научно-учебная лаборатория «Формирование наноструктур» предназначена для обеспечения тестовыми образцами проектных работ студентов, магистров и аспирантов по направлениям «наноинженерия» и «наноэлектроника», а также тест-образцов для проведения лабораторных работ по микроскопии и оптонаноэлектронике в лабораториях кафедры. Включает в свой состав несколько малогабаритных экономичных настольных напылительных установок Scancoat Six, которые предназначены для проведения лабораторных работ и начального обучения студентов по использованию вакуумного нанотехнологического оборудования. Обеспечивает весь цикл подготовки образцов для традиционного сканирующего электронного микроскопа (SEM). Система проста в обращении и может использоваться для нанесения высококачественных токопроводящих покрытий на разнообразные образцы. Учебные программы по специализации «наноэлектроника» реализуются при поддержке НИИ Системных исследований (РНЦ Курчатовский центр»). В рамках лаборатории работает студенческое конструкторское бюро «Наносистемная техника и наноэлектроника». Учебно-экспериментальный технологический цикл формирования компонентов наносистем Проектирование структуры компонентов наносистем Формирование структуры (магнетрон) Формирование структуры (осаждение) Формирование структуры (литография) Функциональное тестирование (зондовая станция) Измерения и контроль качества (микроскопия) Испытания и сертификация
28 Лаборатория «САПР наносистем» реализует образовательные программы подготовки специалистов по направлению «Наноинженерия и наноэлектроника» и включает в себя весь спектр необходимого программного обеспечения для моделирования наносистем. Задачи моделирования элементов МЭМС и НЭМС, тонкопленочных и наноразмерных структур решаются с использованием таких средств САПР как ANSYS, COMSOL (метод конечных элементов); APSYS (метод конечных элементов для полупроводниковых наноструктур); IntelliSuite (полный цикл разработки МЭМС), CODE V (оптическое моделирование), MatLab (математическое моделирование), CADENCE (проектирование приборов и систем), Mentor Graphics (проектирование электронных приборов и устройств), SYNOPSYS (схемотехническое проектирование), TCAD - SYNOPSYS (приборно-технологическое моделирование полупроводниковых структур), PTC Software and Services (САПР электронно-механических систем), Solidworks (САПР конструкционных систем), PROLITH (комплекс моделирования литографии компании KLA-Tencor). Учебные программы реализуются при поддержке НИИ Системных исследований (РНЦ Курчатовский центр») и РНИИ КП. Лаборатория «САПР наносистем» Сеточная модель кантилевера СЗМ
29 1.МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по формированию требований к результатам освоения основных образовательных программ подготовки бакалавров и магистров по профилю подготовки «Наноинженерия» 2.СБОРНИК НОРМАТИВНЫХ ДОКУМЕНТОВ: базисный учебный план и примерные образовательные программы подготовки бакалавров и магистров по профилю подготовки «Наноинженерия» 3.МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ по организации учебного процесса бакалавров и магистров по очно-заочной (вечерней) и заочной формам обучения по профилю подготовки «Наноинженерия» 4.МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по формированию требований к материально-техническому оснащению учебного процесса бакалавров и магистров по профилю подготовки «Наноинженерия» 5.МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по организации научно-исследовательской работы студентов, обучающихся по программе бакалавров и магистров по профилю подготовки «Наноинженерия» 6.МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по организации и проведению итоговой государственной аттестации бакалавров и магистров по профилю подготовки «Наноинженерия» 7.МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по формированию примерных программ выполнения экспериментов на специализированном учебно-научном оборудовании для бакалавров и на уникальном оборудовании для магистров по профилю подготовки «Наноинженерия» Запланированные к изданию учебно-методические материалы:
30 8. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по формированию фондов оценочных средств, позволяющих оценить знания, умения и уровень приобретенных компетенций бакалавров и магистров по профилю подготовки «Наноинженерия» 9. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по использованию и пополнению фондов оценочных средств для бакалавриата и магистратуры по профилю подготовки «Наноинженерия» 10.МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ по формированию учебно-методического обеспечения повышения квалификации и переподготовки профессорско-преподавательского состава кафедр, обеспечивающих учебный процесс подготовки бакалавров и магистров по профилю подготовки «Наноинженерия» 11.МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ по курсу «МЕТОДЫ МИКРОСКОПИИ» 12.МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ по курсу «ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В НАНОИНЖЕНЕРИИ» 13.МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ по курсу «ТЕХНОЛОГИИ СИНТЕЗА НАНОСТРУКТУР» 14.МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ по курсу «МЕТОДЫ ЛИТОГРАФИИ В НАНОИНЖЕНЕРИИ» 15.МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ по курсу «АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ НАНОСИСТЕМ» 16.МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ по блоку дисциплин «САПР НАНОСИСТЕМ».
31 17. МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ по курсу «ПРОЕКТИРОВАНИЕ НАНОСЕНСЕРОВ» 18.МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ по курсу «ТЕПЛОВИЗИОННЫЙ КОНТРОЛЬ МИКРО- И НАНОСИСТЕМ» 19.МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ по курсу «ПРОЕКТИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ НАНОСИСТЕМ» 20.МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ по курсу «ПРОЕКТИРОВАНИЕ ОПТИЧЕСКОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ НАНОСИСТЕМ» 21.МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ по курсу «ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИЕ КОМПОНЕНТЫ НАНОСИСТЕМ» 22.МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ по блоку дисциплин «САПР НАНОСИСТЕМ». 23.УМК «Моделирование МЭМС и НЭМС» 24.МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ по курсу «ЭЛЛИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ И НАНОТЕХНОЛОГИИ» 25.МЕТОДИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ по курсу «СИСТЕМНЫЙ АНАЛИЗ В НАНОИНЖЕНЕРИИ»
32 ПРОБЛЕМЫ РАЗВИТИЯ НОЦ 1.Отсутствуют нормативные документы по структуре, составу, порядку функционирования НОЦ (типовые положения, регламенты и т.п.). 2. Сложность с формированием организационно-штатной структуры НОЦ, Недостаточное внимание учебно-вспомогательному и инженерному персоналу НОЦ. 3. Отсутствуют механизмы функционарования «дуальной системы» НОЦ – малые инновационные компании (сформированные из сотрудников НОЦ). 4. Не налажен эффективный инфокоммуникационный научный и методический обмен между НОЦ разных университетов. 5. Отсутствуют программы академической мобильности между НОЦ (взаимные стажировки, общие магистерские программы и т.п., что реализовано в странах ЕС). 6. Образовательные программы слабо коррелированны с образовательными программами стран ЕС, особенно в части освоения практических навыков. 7. Практически отсутствуют механизмы стимулирования и привлечения студентов и аспирантов к научной работе в НОЦ, а те механизмы, которые существуют (например программы: «УМНИК», Гранты Президента, стипендиальные программы и т.п.) характеризуются высоким уровнем бюрократизации и избыточностью отчетных материалов.
Еще похожие презентации в нашем архиве:
© 2024 MyShared Inc.
All rights reserved.