СРАВНЕНИЕ НЕКОТОРЫХ СПЕКТРАЛЬНЫХ МЕТОДОВ АНАЛИЗА ЭОС РФС (ЭСХА) Динамический ВИМС Времяпролетный ВИМС Область применения Поверхность, частицы, анализ дефектов, - презентация

1 СРАВНЕНИЕ НЕКОТОРЫХ СПЕКТРАЛЬНЫХ МЕТОДОВ АНАЛИЗА ЭОС РФС (ЭСХА) Динамический ВИМС Времяпролетный ВИМС Область применения Поверхность, частицы, анализ дефектов, профилирование Поверхность органических и неорганических материалов, профилирование Профилирование остаточных и легирующих примесей, объемные материалы и тонкие пленки Поверхность органических и неорганических материалов, химическое картирование Анализируемые частицы Оже электроны Фотоэлектроны Вторичные ионы Вторичные ионы, атомы, молекулы Анализируемые элементы Li-ULi-U Валентная зона H-Uppb-ppmH-Uмолекулы Пределы детектирования 0,1-1 ат % Несколько монослоев 0,01-1 ат % Несколько монослоев ат/см ат/см 3 Несколько монослоев Глубина анализа 3 нм 2-20 нм (при профилировании) 1-10 нм 2-20 нм (при профилировании) 2-30 нм 1-3 монослоя Глубина профилирования До 1 мкм До 10 мкм До 3 мкм Получаемая информация Элементный Элементный и фазовый Элементный Элементный Молекулярный Получение изображения ВозможноВозможноВозможноВозможно

2 СРАВНЕНИЕ НЕКОТОРЫХ СПЕКТРАЛЬНЫХ МЕТОДОВ АНАЛИЗА ЭОС РФС (ЭСХА) Динамический ВИМС Времяпролетный ВИМС Латеральное разрешение Более 10 нм 10 мкм-2 мм Более 20 мкм 1-5 мкм (для изображения) Более 200 нм Анализирующий зонд Электроны 10 нм Рентгеновские фотоны >10 мкм Ионы (Cs, O 2, N) 5 мкм Ионы (Ga, Cs, O 2, In) 100 нм Разрушение образца Только при профилировании РазрушающийРазрушающий Преимущества метода Элементный анализ нанообъектов Фазовый полуколичественный анализ Глубинное профилирование, детектирование остаточных примесей Комплексный химический и молекулярный анализ Тип образцов Неорганические материалы, металлы, проводники Органические и неорганические материалы, диэлектрики Неорганические материалы, металлы, проводники Органические и неорганические материалы, диэлектрики ОграниченияПроводимостьКоличествоКоличество Области приложения Полупроводники металлургия Все области Полупроводники имплантация покрытияПолимеры

3 ЭОСAES ЭОС – электронная Оже-спектроскопия (AES – Auger Electron Spectroscopy) РФС/ЭСХА XPS/ESCA РФС/ЭСХА – Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия/Электронная спектроскопия для химического анализа (XPS/ESCA – X-ray Photoelectron Spectroscopy/Electron Spectroscopy for Chemical Analysis) ВИМСSIMS ВИМС – Вторичная ионная масс-спектрометрия (SIMS – Secondary Ion Mass-Spectrometry) Времяпролетный ВИМС TOF-SIMS Времяпролетный ВИМС – Времяпролетная вторичная ионная масс-спектрометрия (TOF-SIMS – Time Of Flight Secondary Ion Mass-Spectrometry)