НИИ Материаловедения Использование рентгеновского двукристального спектрометра в микроэлектронике Голубков С.А., Егоров Н.Н., Малюков Б.А., Михаэлян В.М., - презентация

1 НИИ Материаловедения Использование рентгеновского двукристального спектрометра в микроэлектронике Голубков С.А., Егоров Н.Н., Малюков Б.А., Михаэлян В.М., Смирнов Д.И. Москва, 2011

2

3

4

5

6

7 ГЭС(100)(010)Si/ (012)(20) - Al 2 O 3

8 Метод измерения ШКК Установка «Дрон-3» ИССЛЕДОВАНИЕ ИСХОДНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ МЕТОДОМ ИЗМЕРЕНИЯ ШИРИНЫ КРИВОЙ КАЧАНИЯ Принципиальная схема двойного кристалл-спектрометра

9

10 Переходной слой кремния и сапфира в КНС-структуре. Получено методом TEM

11 Кривая качания от слоя кремния в КНС- структуре после усреднения по разработанной программе Исходный образец d=0,3 мкм ШКК = 1764 ШКК Принцип расчета ШКК на примере структуры КНС с толщиной кремния 0,3 мкм ОБРАБОТКА КРИВОЙ КАЧАНИЯ КНС-СТРУКТУРЫ

12 Iх1000, имп d, мкм

13 Зависимость интенсивности рефлекса 400 от толщины слоя Si в КНС-структуре (режим работы рентгеновской трубки с Cu анодом – 25 kV, 2 mA)

14

15

16 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ШКК ПОСЛЕ ИМПЛАНТАЦИИ В РАЗЛИЧНЫХ РЕЖИМАХ ДО и после ОТЖИГА ШКК = 1404 ШКК = 1908 ШКК = 2484

17 Кристаллодержатель в дифрактометре «Вектор» РЕНТГЕНОВСКИЙ ДИФРАКТОМЕТР «ВЕКТОР-GaN» Рентгеновская установка «Вектор-акцент»

18 Разориентация подложек сапфира Разориентация сапфира и ШКК РАЗОРИЕНТАЦИЯ

19 ВЛИЯНИЕ ОРИЕНТАЦИИ ПОДЛОЖКИ САПФИРА НА КАЧЕСТВО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

20 ИЗМЕНЕНИЕ ШИРИНА КРИВОЙ КАЧАНИЯ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ УСЛОВИЯХ ИМПЛАНТАЦИИ

21 Благодарю за внимание!