Лекция 10. P-n переходы. Способы создания p-n переходов. Энергетическая диаграмма p-n перехода. Симметричные и несимметричные p-n переходы. Вольт-амперные. - презентация

1 Лекция 10. P-n переходы. Способы создания p-n переходов. Энергетическая диаграмма p-n перехода. Симметричные и несимметричные p-n переходы. Вольт-амперные характеристики p-n переходов. Ударная ионизация и напряжение пробоя. Генерационный ток. Мощные полупроводниковые выпрямители, их быстродействие.

2 Способы создания p-n переходов 1. Сплавление. 2. Диффузия. 3. Ионная имплантация. 4. Эпитаксия. 5. Прямое сращивание (direct bonding).

3 Энергетическая диаграмма p-n перехода

4 Распределение электрического поля и ОПЗ в p-n переходах Симметричный и несимметричный p-n переходы

5 Вольт-амперные характеристики p-n переходов

6 Диффузионный ток Соотношение Эйнштейна Диффузионный ток – от нескольких миллиампер до миллиона ампер на см 2 np=n i p i Можно так ещё оценить: Сильно зависит от температуры и от ширины запрещённой зоны

7 Ударная ионизация и напряжение пробоя. Генерационный ток. Применение: стабилитроны, защита приборов

8 Мощные полупроводниковые выпрямители, их быстродействие Проблемы: Инжекция носителей заряда из контактов. Если высоковольтный – значит не быстродействующий.