Применение нанотехнологии химико- механического полирования (ХМП) для создания новых приборов Фарафонов С.Б., Артёмов Е.А., Артёмов А.С. ООО «Инновационный. - презентация

1 Применение нанотехнологии химико- механического полирования (ХМП) для создания новых приборов Фарафонов С.Б., Артёмов Е.А., Артёмов А.С. ООО «Инновационный альянс» Институт Общей физики им. А.М. Прохорова РАН Дубна 2013

2 2 Химическое Электрохимическое Фотоэлектрохимическое Механо-электрохимическое Химико-механическое Механическое Механохимическое Механо-термическое Магнитомеханическое Акустомеханическое Электронно-лучевое Лазерное и др.

3

4

5

6 6 Поверхность полупроводников после ХМП АСМ изображения и сечения рельефа: а – Si (111), a = 0,5430нм; б – Ge (111), а = 0,5657нм; в – CdS (0001), а = 0,4134, с = 0,6749нм; г – SiC:6H (0001), а = 0,308, с = 0,252нм; д – ZnSe (100) после ХМП и последующего отжига в Н 2. а б в г Р епл ЭМ поверхности при ув : а – GaAs (100); б - InP (100); в - InAs (111); г – InSb (111), ХМП з. а б в г д А3В5А3В5 А4А4 А2В6А2В6 А4А4А4А4

7 7 Поверхность диэлектриков после ХМП АСМ изображения и сечения рельефа α-Al 2 O 3 (0001) бикристалл, ХМП Scan: 2.5 x 2.5 мкм α-Al 2 O 3 (0001) ХМП, а = 0,4758нм, с = 0,1299нм. ZrO 2 ·Y 2 O 3 (100) ХМП, а = 0,5141нм. LiNbO 3 y - cрез, а = 0,5150нм, с = 1,3816нм ХМП. SrTiO 3 (100) ХМП, а = 0,3904нм. CaF 2 (111) ХМП, а =,5462нм. Scan: 1,7 X 1,7 мкм NdGaO 3 (100) бикристалл, ХМП. MgAl 2 O 4 после СК-1. Кремниевые СБИС после ХМП АФС слоя Si 3 N 4, h = 0,6мкм.

8

9

10

11 11 Технология изготовления лазерных мишеней из монокристаллов CdS, CdSe, CdSSe, ZnCdS, ZnCdSe, ZnSe и ZnO для создания ЛЭЛТ с электронной накачкой видимого, УФ и ИК диапазонов излучения ЛМ: - толщина 5-20мкм; - плоскостность 5N; - разнотолщинность ± 2мкм; - σ 1нм.

12