Заведующий кафедрой физики твердого тела Королевского Института Технологий (KTH, Stockholm, SWEDEN) Профессор Гришин А.М. Проект: «Оптимизация свойств. - презентация

1 Заведующий кафедрой физики твердого тела Королевского Института Технологий (KTH, Stockholm, SWEDEN) Профессор Гришин А.М. Проект: «Оптимизация свойств оксидных пленок для применения в 3D энергонезависимой памяти с наноразмерным масштабом компонентов» - ГК Отдельным направлением исследований является разработка оксидных структур с выпрямлением (гетероструктуры, диоды Шоттки) для использования в составе легко- масштабируемой многослойной (3D) cross-point 1D-1R Resistive Random Access Memory (ReRAM) c выбором оптимальных вариантов и рекомендациями их использования.. Синтезированы МОМ-структуры на основе одинарных, бинарных и многокомпонентных оксидов, реализующих униполярное и биполярное переключения с энергонезависимой памятью; Проведены экспериментальные и теоретические исследования эффектов резистивного переключения; Определен механизм биполярного переключения в структурах с двойным оксидным слоем Si-SiO 2 -V 2 O 5 -Аu и La 0.5 Sr 0.5 CoO 3 -CeO 2 -Ag; Отработаны низкотемпературные технологические приемы получения оксидных структур с параметрами переключения оптимальными для использования в ячейках 3D памяти; Получен опыт работы на FIB установке и зондовом наноманипуляторе при изготовлении и тестировании ячеек памяти на основе La 0.5 Sr 0.5 CoO 3 -CeO 2 -Ag структуры. Т ермическое и лазерное распыление, магнетронное напыление, анодное окисление металлов, золь- гель метод, катодно-анодная поляризация. Электронно-лучевая, оптическая и FIB литография. Уникальная методика получения и тестирования структур микронного и субмикронного масштабов. Примеры микронных и субмикронных контактных площадок полученных FIB литографией Униполярное переключение: NiO, Nb 2 O 5, Ta 2 O 5, ZrO 2 ; Биполярное переключение: V 2 O 5, CeO 2 ; Двухслойные структуры:VO 2 -V 2 O 5, NbO 2 -Nb 2 O 5, TaO x -Ta 2 O 5 ; Мультиферроидные пленочные структуры: оксид лантанида легированный (Fe, Mn, Ni) c подслоем ферромагнетика. ВАХ униполярного переключения тонкопленочной сэндвич структуры Si/Nb/Nb 2 O 5 (90нм)/Au Результаты совместных с ПетрГУ исследований Проект: «Разработка гетероструктур на основе оксидных пленок для применения в 3D энергонезависимой памяти с наноразмерным масштабом компонентов» - ГК «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на » «Проведение научных исследований коллективами под руководством приглашенных исследователей в области физики и астрономии» Методы синтеза, изготовления и тестирования структур Матрица элементов памяти ReRAM на гибкой подложке Kapton Исследуемые оксидные материалы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на годы» «Проведение научных исследований коллективами под руководством приглашенных исследователей в области химии и новых материалов» + = Кадры Инновационной России Исполнители: Стефанович Г.Б., Величко А.А., Пергамент А.Л., Борисков П.П., Путролайнен В.В., Черемисин А.Б., Березина О. Я., Кулдин Н.А., Кундозерова Т.В., Параничев Д.К., Болдин П.А., Куроптев В.А.