Метод изготовления нанотрубок а - слои InAs и GaAs с разными постоянными решеток (а/a=7%) в свободном состоянии b - эпитаксиальные слои, выращенные на. - презентация

1

2 Метод изготовления нанотрубок а - слои InAs и GaAs с разными постоянными решеток (а/a=7%) в свободном состоянии b - эпитаксиальные слои, выращенные на InP подложке c - изгиб двухслойной пленки при ее освобождении от связи с подложкой d - самосворачивание двухслойной пленки в трубку при селективном удалении жертвенного слоя AlAs, дополнительно выращенного между пленкой и подложкой 2нм < D < 100мкм

3 Метод изготовления наногофрированных пленок а - слой InAs в свободном состоянии; b - эпитаксиальные слои, выращенные на InP подложке; c - изгиб InAs пленки при ее освобождении от связи с подложкой при селективном удалении жертвенного слоя AlAs; d – пример организации изогнутых областей на подложке.

4 InGaAs/GaAs микро- и нанотрубки Трубка с D = 3 нм (рис. с) сформирована из пленки, содержащей 2 монослоя GaAs + 1 монослой InAs. Длина трубки несколько мм.

5 Гофрированные пленки Минимальный период гофрировки 3 нм

6 Электронно-микроскопические фотографии оболочек разнообразной формы а - кольцо b - изогнутые кантелеверы c - массив атомно острых игл d - зеркало (спираль Архимеда) е - трубка с модулированной толщиной стенки f - лево- и правовинтовая спирали Контакт: Виктор Яковлевич Принц