Джон Бардин, Уильям Шокли, Уолтер Браттейн Нобелевская премия по физике «За исследование полупроводников и открытие транзисторного эффекта» 1956 год Работу. - презентация

1 Джон Бардин, Уильям Шокли, Уолтер Браттейн Нобелевская премия по физике «За исследование полупроводников и открытие транзисторного эффекта» 1956 год Работу выполнила ученица 6в класса Мещерякова Ксения 2012 Муниципальное бюджетное общеобразовательное учреждение «СОШ 2»

2 В своей работе я хочу показать, как исследование полупроводников и открытие транзисторного эффекта группой учёных Уильямом Шокли, Уолтером Браттейном и Джоном Бардиным повлияло на развитие электронно-вычислительной техники. Уильям Брэдфорд Шокли Браттейн Уолтер Хаузер Бардин Джон

3 Поколения ЭВМ ЭВМ проделали большой эволюционный путь в смысле элементной базы (от ламп к микропроцессорам), а также в смысле появления новых возможностей, расширения области применения и характера их использования. Электронно-вычислительную технику принято делить на поколения. Деление ЭВМ на поколения - весьма условная, нестрогая классификация вычислительных систем по степени развития аппаратных и программных средств, а также способов общения с ЭВМ. Смена поколений зависит от элементной базы ЭВМ, т.е. ее технической основы. От элементной базы зависит мощность ЭВМ. I поколение II поколение III поколение IVпоколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо!

4 I поколение ЭВМ ( гг.. I поколение ЭВМ ( гг.. ) В 1946 году Джон Моучли и Преспер Эккрет (США) создали первый электронный цифровой компьютер ENIAC самый грандиозный и мощный ламповый компьютер той эпохи. Компьютер весил более 70 тонн и содержал в себе почти 18 тысяч электронных ламп! Рабочая частота компьютера не превышала 100 КГц (несколько сот операций в секунду). К первому поколению ЭВМ относятся машины, элементной базой которых являлись электронные лампы. II поколение IIIпоколение IVпоколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

5 Электронная лампа II поколение IIIпоколение IVпоколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

6 II поколение ЭВМ ( гг..) Ко второму поколению ЭВМ относятся те машины, в которых использовались как электронные лампы, так и транзисторы. В 1947 году в США был создан транзистор – первый полупроводниковый прибор, заменивший электронную лампу, и только в 1958 году, в ЭВМ были применены полупроводниковые транзисторы. Они были более надёжны, долговечны, малы, могли выполнить более сложные вычисления, обладали большой оперативной памятью. 1 транзистор мог заменить ~ 40 электронных ламп, работал с большей скоростью. II поколение IIIпоколение IVпоколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

7 Транзистор II поколение IIIпоколение IVпоколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

8 III поколение ЭВМ ( гг.. ) К третьему поколению ЭВМ относятся те машины, элементной базой которых являются интегральные схемы. Большим скачком в развитии ЭВМ стало создание интегральных схем – электронных схем, на которых транзисторы, конденсаторы и резисторы собирались в едином куске полупроводника. Стало возможным разместить сотни кристаллов интегральных схем на одной кремниевой пластинке, размером в несколько см г. – в продажу поступила первая выполненная на пластине кремния интегральная схема. II поколение IIIпоколение IVпоколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

9 II поколение III поколение IV поколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение Интегральная схема

10 IV поколение ЭВМ ( 1977 – наши дни ) Четвертое поколение ЭВМ - это нынешнее поколение ЭВМ, для которого характерно использование больших интегральных схем как элементной базы. Технология производства интегральных схем постоянно совершенствовалась. Появились большие интегральные схемы (БИС), содержащие тысячи, сотни тысяч и более транзисторов, и сверхбольшие интегральные схемы (СБИС) с памятью 1 Мбайт. СБИС позволили создать микропроцессор – устройство, способное выполнять функции процессора, работающее по заложенной в него программе. Микропроцессор встраивается в различные технические устройства (станки, самолеты, автомобили). II поколение IIIпоколение IVпоколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

11 II поколение IIIпоколение IVпоколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение Большие интегральные схемы (БИС)

12 Полевой транзистор В 1945 г. Уильям Шокли в качестве директора программы научных исследований по физике твердого тела совместно с физиком-теоретиком Джоном Бардиным и физиком-экспериментатором Уолтером Браттейном, возобновляет начатые перед войной исследования класса материалов, известных под названием полупроводников.полупроводников Группе ученых удалось создать полупроводниковые приборы, которые могли как выпрямлять, так и усиливать электрические ток.электрические ток В процессе этой работы Шокли пытался построить то, что теперь называется полевым транзистором. Он надеялся использовать электрическое поле, чтобы управлять свободными электронами в одном из участков полупроводника и тем самым модулировать ток, текущий через прибор. Кроме того, транзистор должен был обладать потенциальной возможностью стать усилителем, поскольку небольшой сигнал мог вызвать большие изменения тока, текущего через полупроводник.электронами II поколение IIIпоколение IVпоколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

13 Полевой транзистор В 1945 г. Уильям Шокли в качестве директора программы научных исследований по физике твердого тела совместно с физиком-теоретиком Джоном Бардиным и физиком-экспериментатором Уолтером Браттейном, возобновляет начатые перед войной исследования класса материалов, известных под названием полупроводников.полупроводников Группе ученых удалось создать полупроводниковые приборы, которые могли как выпрямлять, так и усиливать электрические ток.электрические ток В процессе этой работы Шокли пытался построить то, что теперь называется полевым транзистором. Он надеялся использовать электрическое поле, чтобы управлять свободными электронами в одном из участков полупроводника и тем самым модулировать ток, текущий через прибор. Кроме того, транзистор должен был обладать потенциальной возможностью стать усилителем, поскольку небольшой сигнал мог вызвать большие изменения тока, текущего через полупроводник.электронами Полупроводники - вещества, способные изменять свои свойства под влиянием различных воздействий (температуры, освещения, электрического и магнитного поля, внешнего гидростатического давления). II поколение III поколение IV поколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

14 Полевой транзистор В 1945 г. Уильям Шокли в качестве директора программы научных исследований по физике твердого тела совместно с физиком-теоретиком Джоном Бардиным и физиком-экспериментатором Уолтером Браттейном, возобновляет начатые перед войной исследования класса материалов, известных под названием полупроводников.полупроводников Группе ученых удалось создать полупроводниковые приборы, которые могли как выпрямлять, так и усиливать электрические ток.электрические ток В процессе этой работы Шокли пытался построить то, что теперь называется полевым транзистором. Он надеялся использовать электрическое поле, чтобы управлять свободными электронами в одном из участков полупроводника и тем самым модулировать ток, текущий через прибор. Кроме того, транзистор должен был обладать потенциальной возможностью стать усилителем, поскольку небольшой сигнал мог вызвать большие изменения тока, текущего через полупроводник.электронами Электрический ток - направленное (упорядоченное) движение заряженных частиц: электронов, ионов. II поколение IIIпоколение IVпоколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

15 Полевой транзистор В 1945 г. Уильям Шокли в качестве директора программы научных исследований по физике твердого тела совместно с физиком-теоретиком Джоном Бардиным и физиком-экспериментатором Уолтером Браттейном, возобновляет начатые перед войной исследования класса материалов, известных под названием полупроводников.полупроводников Группе ученых удалось создать полупроводниковые приборы, которые могли как выпрямлять, так и усиливать электрические ток.электрические ток В процессе этой работы Шокли пытался построить то, что теперь называется полевым транзистором. Он надеялся использовать электрическое поле, чтобы управлять свободными электронами в одном из участков полупроводника и тем самым модулировать ток, текущий через прибор. Кроме того, транзистор должен был обладать потенциальной возможностью стать усилителем, поскольку небольшой сигнал мог вызвать большие изменения тока, текущего через полупроводник.электронами Электрон - частица, носитель наименьшей известной массы и наименьшего электрического заряда. II поколение III поколение IV поколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

16 Полевой транзистор В 1945 г. Уильям Шокли в качестве директора программы научных исследований по физике твердого тела совместно с физиком-теоретиком Джоном Бардиным и физиком-экспериментатором Уолтером Браттейном, возобновляет начатые перед войной исследования класса материалов, известных под названием полупроводников.полупроводников Группе ученых удалось создать полупроводниковые приборы, которые могли как выпрямлять, так и усиливать электрические ток.электрические ток В процессе этой работы Шокли пытался построить то, что теперь называется полевым транзистором. Он надеялся использовать электрическое поле, чтобы управлять свободными электронами в одном из участков полупроводника и тем самым модулировать ток, текущий через прибор. Кроме того, транзистор должен был обладать потенциальной возможностью стать усилителем, поскольку небольшой сигнал мог вызвать большие изменения тока, текущего через полупроводник.электронами II поколение IIIпоколение IVпоколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

17 Транзисторный эффект Все попытки построить прибор, следуя этому плану, закончились неудачей. Тогда Бардин выдвинул предположение, что внешнее напряжение не создает внутри полупроводника желаемого поля из-за слоя электронов, находящихся на его поверхности. За этой удачной идеей последовала серия экспериментов по изучению поверхностных эффектов и в 1947 г. Бардин и Браттейн построили первые работающие транзисторы. Подобно радиолампе, транзистор позволяет с помощью небольшого сигнала (напряжение для лампы, ток для транзистора) управлять относительно большим током. В этом и состоит суть «транзисторного эффекта». II поколение III поколение IV поколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

18 Нобелевская премия В 1956 году Шокли, Бардин и Браттейн были удостоены Нобелевской премии по физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта». На церемонии презентации Э. Г. Рудберг, член Шведской королевской академии наук, назвал их достижение «образцом предвидения, остроумия и настойчивости в достижении цели». «Транзистор во многом превосходит радиолампы. Они значительно меньше электронных ламп и в отличие от последних не нуждаются в электрическом токе для накала нити, что для акустических приборов, вычислительных машин, телефонных станций и многого другого требуется именно такое устройство», – отметил Э. Г. Рудберг. II поколение IIIпоколение IVпоколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

19 Применение транзисторов (II поколение ЭВМ) Открытие Шокли, Бардина и Браттейна стало началом полупроводниковой эры. Транзисторы благодаря небольшим размерам, простоте структуры, низким энергетическим потребностям и малой стоимости быстро вытеснили электронные лампы во всех радиотехнических приборах, за исключением устройств высокой мощности, используемых, например, в радиовещании. II поколение III поколение IV поколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

20 Применение транзисторов (III поколение ЭВМ) В дальнейшем, усовершенствование технологии сделало возможным создание многих транзисторов из крохотных кусочков кремния, способных выполнять более сложные функции. Число транзисторов в одном подобном кусочке возросло от 10 до примерно 1 млн., в частности, благодаря уменьшению размеров соединений и самих транзисторов до величины от половины микрона до нескольких микрон (микрон равен 0,001 мм). II поколение IIIпоколение IVпоколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

21 Настоящее время (IV поколение ЭВМ) Современная промышленность в состоянии выпускать миниатюрные кремниевые кристаллы, в каждом из которых умещаются сотни тысяч транзисторов, и число это продолжает расти. Появление таких кристаллов стимулировало быстрое развитие новейших компьютеров, портативных, умещающихся в руке калькуляторов, сложных средств связи, приборов управления, слуховых аппаратов, медицинских зондов и других электронных устройств. II поколение IIIпоколение IVпоколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

22 Настоящее время (IV поколение ЭВМ) В настоящее время главенствует направление микроминиатюризации полупроводниковых приборов. Последние достижения таковы: в США, в 2006 году создан транзистор из одиночной молекулы углерода. в США, в 2006 году, ученым из IBM удалось впервые в мире создать полнофункциональную интегральную микросхему на основе углеродной нанотрубки. Нанотрубка - цилиндрическая молекула, состоящая из одних лишь атомов углерода. Нанотрубка II поколение III поколение IV поколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

23 Будущее (V поколение ЭВМ) Вполне вероятно, что на основе интегрированных наноэлектронных чипов возникнет совершенно новая элементная база, которая будет отличаться высокой компактностью, низким энергопотреблением и невиданным ранее быстродействием. II поколение IIIпоколение IVпоколение Полевой транзистор Транзисторны й эффект Нобелевская премия Применение открытия Спасибо! I поколение

24 Список используемой литературы 1.Семакин И.Г. «Информатика и ИКТ» Базовый курс: Учебник для 9 класса – М.:БИНОМ. Лаборатория знаний, – 359 с.: ил. 2.Интернет ресурс: 3.Интернет ресурс: Интернет ресурс: 5.Интернет ресурс: Интернет ресурс: Интернет ресурс: