ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ В ИНСТИТУТЕ ФИЗИКИ НАЦИОНАЛЬНОЙ АКАДЕМИИ НАУК АЗЕРБАЙДЖАНА Член-Корр. НАНА Таяр Джумшудович Джафаров Институт. - презентация

1 ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ В ИНСТИТУТЕ ФИЗИКИ НАЦИОНАЛЬНОЙ АКАДЕМИИ НАУК АЗЕРБАЙДЖАНА Член-Корр. НАНА Таяр Джумшудович Джафаров Институт Физики НАН Азербайджана Пр. Джавида 33, AZ-1143, Баку АЗЕРБАЙДЖАН 1

2

3 3

4 4 Институт Физики, Национальная Академия Наук Азербайджана (1945) Основные научные направления: Физика полупроводников и диэлектриков Физика ядра Физико-технические проблемы энергетики

5 5 Основные работы в области полупроводникового материаловедения: 1.Функциональные материалы для нетрадиционной энергетики (а) Тонкопленочные полупроводниковые соединения II-VI для солнечных элементов. pCdTe/nCdS CdTe/Cd1-x ZnxS (0 x 0.26, 2.43 Eg 2.64 eV) Cd1-x ZnxTe/CdS (0 x 0.22, 1.50 Eg 1.65 eV)

6 6 (б) Полупроводниковый кремний для солнечных элементов. - Изучение возможности производства полупроводникового кремния в Азербайджане из местных природно-чистых кварцитов; - Усовершенствование технологии и изготовление кремниевых солнечных элементов; - Выращивание однородных и переменных по составу (варизонных) твердых растворов Ge1-x Six ( могут быть использованы как прочные, легковесные и недорогие подложки для AlGaAs/GaAs солнечных элементов); AlGaAs/GaAs/Si AlGaAs/GaAs/Ge/GeSi/Si GaAs/Si (4%) GaAs/Ge (0.07%)

7 7 (в) Микро-пористый кремний для водородных топливных элементов. Элемент на основе Au/пористый кремний структуры в водородо- содержащей среде (газообразной или жидкой) генерирует электрическое напряжение (до 600 мВ). (г) Термоэлектрические материалы для термоэлементов и других термоэлектрических преобразователей. Выращивание кристаллов и получение экструдированных образцов твердых растворов на основе Bi2Te3 (Bi2Te3- Sb2Te3, Bi2Te3- Bi2Se3) z= ( )x10-3 K-1 для кристаллов (T>200K) z= ( )x10-3 K-1 для текстуририванных образцов z= 10x10-3 K-1 для Bi85Te15 (T=77K)

8 8 2. Полупроводниковые и композитные материалы для электрических, фотоэлектрических, люминесцентных, акустических и др. преобразователей (а) Слоистые и цепочечные полупроводники (GaSe, InSe, Ga2Se3 и др.) и их твердые растворы. TlGaSe2, TlInS2 - Tермическая память и влияние внешних факторов (электрическое поле, освещение и др.) на термическую память Ga2S3:5mol% Eu (нанокристаллический) - Фотолюминесценция (более интенсивная и ширoкополосная) CaGa2Se4:Eu2+ - Фото- и термолюминесценция ( нм, К)

9 9 (б) Фоточувствительные материалы ( CdHgTe, PbTe и др.) (в) Евтектические композиты на основе III-V полупроводников. GaSb-FeGa1.3, InSb-MnSb, InSb-FeSb - Метод Бриджмена-направленная кристаллизация. Анизотропия кинетических характеристик, обусловленная металлическими включениями в форме игл. Терморезисторы с линейными термостабильными характеристиками, работающие при К.

10 10 (г) Композитные материалы на основе полимеров (полиэтилен, полипропилен, поливинилхлорид, PVDF – polyvinylidene fluoride) и сегнето-пьезоэлектриков (пьезокерамика, ЦТС-19) или полупроводников (CdS, CdTe, ZnSe, GaSe ). Акусто-электрические, фото-акустические, пьезо- электрические элементы, вибро- и сейсмодатчики. В элементах на основе композитных материалов показана возможность получения электрического напряжения (2.5 В) под воздействием освещения.

11 11 Благодарен за внимание!