Алматы, 2015 Шонгалова Айгуль. 2 * Гетеропереходом называется контакт двух различных по химическому составу полупроводников. * Гетероструктурой называется.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Гетеропереходы, светодиоды и полупроводниковые лазеры Доклад.
Advertisements

19:50:03, 15 марта 2005 Губернатор В.И. Матвиенко поздравила Ж.И. Алферова с юбилеем Сегодня губернатор В.И. Матвиенко поздравила вице- президента РАН,
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко Радиофизический факультет Изготовление, свойства и применение пленок ITO Л.В.Ищук, доцент кафедры.
Плазменные технологии Плазма. Образование плазмы Каждый атом состоит из положительно заряженного ядра, в котором сосредоточена почти вся масса атома, и.
Вакуумная установка Вакуумная система Система контроля и управления Транспорти- рующая система Устройства испарения/ распыления Вспомага- тельные устройства.
Светодиоды, полупроводниковые лазеры и гетеропереходы Выполнили студенты группы Саидов У.Ю. Лазерев А.
Газды фазалық эпитаксия.Жартылай өткізгішті наноқұрылымдарды эпитаксиалды өсіру. Эпитаксиалды өсудің принциптері мен әдістері Лекция-3 Оқытушы: Калкозова.
Объемный гетеропереход на основе нанокомпозитных тонких пленок C 60 CdS. Е.И. Супрун студ. СПбГПУ, каф. ФППиНЭ, И.Б. Захарова к.ф.-м. н, доц., СПбГПУ,
Дисциплина: Силовая электроника Институт Архитектуры, строительства и энергетики им. Т.Басенова Кафедра «Энергетика» Тема: Режимы работы силовых диодов.
РАЗРАБОТКА НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ В АТМОСФЕРЕ СИЛАНА И АРГОНА ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В.
Фотоприемники Ермилова Регина Фёдорова Юлия 1. Фотоприемники Полупроводниковые приборы, регистрирующие оптическое излучение, преобразующие оптический.
Влияние технологических параметров осаждения на фазовый состав тонких пленок микрокристаллического кремния, полученных методом PECVD В. Л. Кошевой 1, В.
Полупроводники и их применение Работу выполнил: Рассадин А.А.
Грибин Артём Анатольевич Разработка вариконда на основе плёнок (Ba X Sr 1-X )TiO 3, получаемых методом ВЧ магнетронного распыления Марийский Государственный.
Миниатюрные топливные элементы, фото- и бета-преобразователи энергии Бондаренко Виталий Парфирович · · Белорусский государственный университет информатики.
Лекция 14. Элементы планарной технологии. Гетерограница Si-SiO 2 и её свойства. Рост кристаллов и плёнок, окисление. Металлизация, изоляция в СБИС, диэлектрики.
Полупроводниковые приборы. Стремительное развитие и расширение областей применения электронных устройств обусловлено совершенствованием элементной базы,
Основные химические элементы г Рыбинск, 2012г. ПУ 1.
Автор: Кулаева Галина Николаевна, Учитель химии МБОУ СОШ с. Троицкого Моздокского района РСО - Алания.
Методология моделирования фотоэлектрических процессов для оптимизации технологии халькогенидных тонкопленочных полупроводниковых структур солнечных элементов.
Транксрипт:

Алматы, 2015 Шонгалова Айгуль

2 * Гетеропереходом называется контакт двух различных по химическому составу полупроводников. * Гетероструктурой называется полупроводниковая структура с несколькими гетеропереходами. * Гетеропара – соединения, на основе которых создается гетероструктура.

4

Гетеропара GaAs/AIGaAs. Зонная диаграмма

6

Космическая станция «Мир»

8

9 Структура гетеропереходов

10

11 Некоторые параметры наиболее часто используемых для создания гетеропереходов материалов

12 Гетеролазеры Светодиод Фотодиод Гетерофототранзисторы Фототиристор Солнечные элементы Фотодиод с гетероструктурой (1- широкозонное окно; 2- активная область; 3- подложка с переходным слоем). Схематическое изображение структуры первого гетероструктурного лазера, работающего в непрерывном режиме при комнатной температуре

13

14 Основные методы получения гетероструктур на основе кристаллического и аморфного кремния PECVD метод оптимален по следующим параметрам: скорость роста, энергозатраты, цена оборудования, поддержание вакуума PECVD метод

15 Метод магнетронного распыления Преимущества метода: низкая температура обработки, используются нетоксичные газы, легкое управление толщины пленки при напылении, простая настройка параметров.