Вакуумная установка Вакуумная система Система контроля и управления Транспорти- рующая система Устройства испарения/ распыления Вспомага- тельные устройства. - презентация

1 Вакуумная установка Вакуумная система Система контроля и управления Транспорти- рующая система Устройства испарения/ распыления Вспомага- тельные устройства Система электро- питания Рабочая камера Вакуумные насосы Затворы, вентили, натекатели Ловушки Трубопров., уплотнения Средства измерения вакуума Приборы измерения: темпера- туры толщины пленки состава пара Аппаратура управления: процессом откачки процессом напыления Механизмы ввода и вывода подложек Механизмы совмещения Шлюзовые загрузочные устройства Испарители Вибро- бункеры Разрядные устройства Нагреватели охладители Экраны, заслонки Гидро- привод Трансфор- маторы Регуляторы тока и напряжения Коммутаци- онная аппаратура

2 Турбомолекулярный насос

3

4 Зависимость давления паров некоторых веществ от температуры

5 Магнетронная распылительная система с плоской мишенью: 1 – магнитная система; 2 – катод-мишень; 3 – анод; 4 – силовая линия магнитного поля; 5 – зона распыления; 6 – траектория движения электрона Магнитная система катод- мишень анод подложка

6 Изменение концентрации реагентов по длине горизонтального реактора

7 Зависимость скорости эпитаксиального роста кремния от температуры для различных кремнийсодержащих соединений.

8 Влияние скорости роста на концентрацию легирующей примеси (мышьяка) в эпитаксиальном слое

9 Зависимость величины потока различных примесей от температуры

10 Температурная зависимость коэффициента аккомодации примесей

11 Структурная схема установки молекулярно-лучевой эпитаксии

12 Система молекулярно-лучевой эпитаксии

13

14 Конфигурация системы: Источник ВЧ смещения (13,56 МГц, 600 Вт.) Душевая система распыления реакционных газов 6 газовых линий с датчиками массового расхода MFC (SiH 4, NH 3, N 2 O, O 2, Ar, CF 4 ) Высокопроизводительная вакуумная система с контролем давления Вакуумный загрузочный шлюз Изолированный охлаждаемый или нагреваемый (20 º C up to 350 º C) электрод для работы с пластинами или держателями диаметром до 200 мм. Гелиевое охлаждение обратной стороны пластины Динамический контроль температуры Удаленный контроль Управление под операционной системой Windows XP Программное обеспечение SENTECH для управления процессами и всеми узлами системы Система плазмо-химического осаждения диэлектриков SI 500 PPD Parallel Plate PECVD Deposition System производства SENTECH Instruments GmbH предназначена для реализации процессов плазмо-химического осаждения диэлектрических пленок (SiO 2, Si 3 N 4, SiO x, SiO x N y )