RGB светодиоды ФТИ им. А.Ф. Иоффе НТЦ микроэлектроники РАН.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Светодиоды, полупроводниковые лазеры и гетеропереходы Выполнили студенты группы Саидов У.Ю. Лазерев А.
Advertisements

«Светодиоды Оптоган: базовый элемент современных энергоэффективных осветительных систем » Октябрь 2009.
ДОЛОМАНТ. ВЫСОКИЕ ТЕХНОЛОГИИ И НАДЕЖНОСТЬ 2009 ЗАО «НПФ «ДОЛОМАНТ» (495) ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНЫЕ СВЕТОДИОДНЫЕ СВЕТИЛЬНИКИ ДЛЯ ОСВЕЩЕНИЯ ОБЪЕКТОВ РЖД.
Китай 300 компаний делают светодиодные источники света, частично с серийным производством; часть из них сертифицирована для американского рынка. 100 компаний.
Презентацию подготовил учащийся 11 класса МОУ»Керчевская СОШ» Чердынского района Пермского края Шишигин Артём Учитель Малышева Е.В.
Новинки ROBIN 600 LED WASH 37 светодиодных RGBW-мультичипов мощностью 10 Вт каждый Ожидаемый срок службы светодиодов: минимум часов (уровень.
Опыт Ньютона по дисперсии света СПЕКТРСПЕКТР Красный Оранжевый Желтый Зеленый Голубой Синий Фиолетовый.
Применение светодиодных источников света ООО "НППК "ГеГеЛь""
Вакуумная установка Вакуумная система Система контроля и управления Транспорти- рующая система Устройства испарения/ распыления Вспомага- тельные устройства.
ЗАО «Оптоган», г. Санкт-Петербург Рассмотрено экспертами района электроники ШКОЛЬНАЯ ЛИГА РОСНАНО Наноград 2011.
Светодиодные лампы СБЕРЕГАЯ ЭНЕРГИЮ- СБЕРЕГАЕМ ДЕНЬГИ Сердюкова Дарья Ластовкина Виктория Сафронова Карина Дорожкина Мира.
Разработка лазерного диода повышенной мощности Н.В. Дикарева Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета.
Использование удаленных фотолюминесцентных конвертеров для создания новых биологически адекватных светодиодных источников белого света Владимир Уласюк,
Программа Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект 35: «Исследование, разработка и изготовление двухцветного.
Светодиодная индустрия: от технологии к инновационным бизнесам Максим Одноблюдов.
Выполнила студентка гр Ершова Г. Показ. Светодиоды Светодиодом, или излучающим диодом, называют полупроводниковый прибор (p-n переход), излучающий.
Белорусский национальный технический университет Группа Презентация по темеСветодиоды Выполнили: Сиротина Т.Ф. Чернобылец О.А. Чернобылец О.А. Руководитель:
В АРИАНТЫ КОРРЕКЦИИ СВЕТОДИОДНОГО СПЕКТРА ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ОБЩЕГО ИНДЕКСА ЦВЕТОПЕРЕДАЧИ Антон Шаракшанэ, главный конструктор.
СВЕТОДИОДНЫЕ ЛАМПЫ ROBITON® Cветодиодные лампы с профессиональным драйвером Cветодиодные лампы с профессиональным драйвером.
Энергоэффективные и энергосберегающие технологии в промышленном освещении.
Транксрипт:

RGB светодиоды ФТИ им. А.Ф. Иоффе НТЦ микроэлектроники РАН

Облако светодиодных технологий: влияние на стоимость и параметры светодиодов LED magazine, February 2011

+ потенциально предельная эффективность (нет стоксовых потерь); возможность динамического управления качеством света (цветом) - сложность и высокая стоимость; отсутствие эффективной желто-зеленой компоненты Cree Xlamp MCE4CT RGB+Neutral/Warm Seoul Semiconductors Z-PowerP5 RGB: Luminus PhlatLight CBM- 380 RGB+Neutral White: PerkinElmer ACULED ® VHL RGBA: LedEngin Emitter LZ4- 00MA10 RGBA: За рубежом: широкая номенклатура светодиодов RGB-типа Отечественных аналогов до сих пор нет RGB светодиод – принцип работы

Требования к светодиодам желто-зеленого диапазона ТипCRILE, lm/W Длины волн первичных цветов peak, nm син син- зел зел жел- зел ор-крас Дихр Трихр Квадро Квинто х и 4-х цветные системы при оптимальном выборе исходных цветов достаточны для достижения хороших CRI Необходимы светодиоды диапазона нм ? A.Zukauskas, M.Shur, R Gaska (2004) S.Chhajed, Y.Xi, Y.-L.Li, Th.Gessmann, E.F.Schubert (2005)

Зеленая долина Использование различных дизайнов активной области позволяет получить светодиоды в диапазоне длин волн нм

Возможность изменения цветовых параметров в широких пределах Относительно низкая эффективность излучения Гибридный RGB светодиод

Гибридный RGBW светодиод: синий + зеленый + красный + белый Возможность изменения коррелированной цветовой температуры Высокая эффективность излучения

Монолитный белый светодиод Максимальная квантовая эффективность – 14 лм/Вт Коррелированная цветовая температура (CCT) при увеличении тока меняется в пределах от 6000 до К

Выводы Рост светодиодов желто-зеленого диапазона с высоким содержанием индия требует оптимизации геометрии реактора Необходимость роста структур с точно определенной длиной волны Проблемы: Разработка промышленной технологии требует использование подложек большей площади (как минимум 4, в перспективе 6-8) Исследовательские реакторы практически отсутствуют на рынке, промышленные дороги и оптимизированы для производства синих светодиодов Необходим специализированный реактор ???

Эпитаксиальное оборудование Каждое следующее поколение значительно совершеннее предыдущего Максимальная емкость реактора растет от поколения к поколению Минимальная емкость реактора растет от поколения к поколению Современного III-N эпитаксиального оборудования для НИР, ОКР и мелкосерийного производства (производство нишевого продукта) на рынке НЕТ! Crius Closed-Coupled-Showerhead MOCVD reactor after growth of LED structure on 200 mm sapphire Aixtron (Материалы конференции CS MANTECH Conference, Мая 2010, Портланд, США)

От технологии к реактору ( ) Лазерная генерация в гетероструктурах AlGaN/GaN Первые УФ СД без In Светодиоды диапазона нм Светодиоды диапазона нм на сапфире, Si и SiC Светодиоды глубокого зеленого диапазона nm Вертикально-излучающие лазерные структуры Технология роста GaN, AlGaN, InGaN, ELOG RGB белые светодиоды Монолитный белый СИД Home-made system 1995, 2003 Эксплуатация планетарного реактора Aix2000HT c 2003 НЕМТ структуры AlGaN/GaN, InAlN/GaN Брегговские зеркала AlGaN/GaN, InAlN/GaN Сотрудничество с Софт Импакт ( ) Рост на профилированном сапфире

Наименьшие размеры в классе Давление в реакторе мбар 3 подложки 2 или 1 подложка 4 Современная импортная элементная база: MFC и PC с цифровым управлением Все уплотнения газовых линий типа «металл-металл» 7 зон инжекции газов в активную область реактора: контроль однородности увеличение вхождения индия увеличение вхождения алюминия Реактор сконструирован на основе моделирования в компании «СофтИмпакт» По процессам в реакторе близок к планетарным реакторам AIX G4 и AIX G5. Оптимальная конфигурация для НИР и ОКР по заказу производств, использующих планетарные реакторы AIXTRON. Возможность увеличения емкости реактора для пилотных производств. Установка МОС-гидридной эпитаксии

PLC и UPS системы управления Генератор индукционного нагрева (Hüttinger) Термостаты МО испарителей Система подачи МО (Bronkhorst, Flowlink, Swagelok) Система подачи гидридных и несущих газов (Bronkhorst, Flowlink, Swagelok) Маршевый насос (Ebara) Реактор Загрузочный шлюз Бокс с защитной атмосферой Установка МОС-гидридной эпитаксии

Текущее состояние Разработана система in-situ мониторинга Собрана газовая схема и система управления Проведено моделирование нагрева и вращения. Этап изготовления реактора

Предложения Стимулировать разработку технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на подложках большой площади (6, в перспективе 8). Стимулировать разработки различных типов RGB светодиодов как для систем общего освещения, так и нишевых применений (хирургическое освещение, специализированные типы светильников)