Микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. Подготовил студент 3 курса группы 21302 Лебедев П.А.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Полупроводники Подготовила Студентка 2-ого курса Морозова Екатерина МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ.
Advertisements

Литография и контактная фотолитография. Позитивные и негативные фоторезисторы.
Лекция 14. Элементы планарной технологии. Гетерограница Si-SiO 2 и её свойства. Рост кристаллов и плёнок, окисление. Металлизация, изоляция в СБИС, диэлектрики.
Нанотехнология ). Определение : Это технология работы с веществом на уровне отдельных атомов. Традиционные методы производства работают с порциями вещества,
Технология изготовления микропроцессоров Торсукова Анна, 10 класс.
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Национальный исследовательский ядерный университет.
Оборудование, используемое при реализации образовательных программ переподготовки в области проектирования и производства СБИС с топологическими нормами.
Формирование и исследование наноразмерных объектов с помощью экспериментальных методик развитых в НИИЯФ МГУ Автор: Черн ых Павел Николаевич..
Полупроводниковые микросхемы В настоящее время различают два класса полупроводниковых ИМС: биполярные и МДП ИМС в зависимости от используемых транзисторов.
Задача Исследование процесса фотолитографии Определение прямой задачи Необходимо произвести нанесение рисунка на печатную плату методом фотолитографии.
НАНОТИХНОЛОГИИ В НАШЕЙ ЖИЗНИ Выполнил : Ученик 11 В класса ГОУ БИЮЛИ Омаханов Мурад Наставник : к. ф.- м. н. Андреева Наталья Владимировна.
Виды пробоев в Электронно- дырочном переходе. Электронно-дырочный переход Граница между двумя соседними областями полупроводника, одна из которых обладает.
Российский фонд фундаментальных исследований РУБРИКАТОРЫ РФФИ ПО НАНОТЕХНОЛОГИЯМ Конкурс РФФИ по актуальным междисциплинарным темам – «офи_м»
Доклад на тему Приборы с зарядовой связью Выполнил Ситников Виталий.
Методы ионно-лучевой обработки и нанотехнологических исследований Сарымсаков Р. Г. ИУ4-73.
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УДК Выпускная работа по Основам информационных технологий Магистрант кафедры физики полупроводников и наноэлектроники.
Тринадцатая научная конференция «Шаг в будущее, Москва» Кафедра ИУ4 МГТУ им. Н.Э. Баумана «Проектирование и технология производства электронно-вычислительных.
Взаимодействие примеси сурьмы с протяженными дефектами в кремнии Садовский П.К. 1), Челядинский А.Р. 1), Оджаев В.Б. 1), Тарасик М.И. 1), Турцевич А.С.
Технологическое моделирование (TCAD) Лабораторная работа 1.
«НАНОЛИТОГРАФИЯ» Стефанович Г.Б.. Одним из определяющих технологических процессов в микроэлектронике в течение более 40 лет продолжает оставаться литография.
Транксрипт:

Микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. Подготовил студент 3 курса группы Лебедев П.А.

МИКРОЭЛЕКТРОНИКА направление электроники, связанное с созданием приборов и устройств в микроминиатюрном исполнении и с использованием интегральной технологии их изготовления геометрические размеры имеют размеры порядка нескольких микрометров и меньше.

Производство Леги́рование добавление в состав материалов примесей с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника. Фотолитогра́фия метод получения рисунка на тонкой плёнке материала, с помощью света определенной длинны волны

Легирование Ио́нная импланта́ция введение атомов примесей в поверхностный слой пластины, бомбардировкой его поверхности пучком ионов c высокой энергией ( КэВ). Нейтронно-трансмутационное легирование - легирующие примеси не вводятся в полупроводник, а образуются из атомов исходного вещества в результате ядерных реакций, вызванных облучением исходного вещества нейтронами Термодиффузия 1.Осаждение легирующего материала 2.Термообработка 3.Удаление легирующего материала

Фотолитогра́фия На толстую подложку (кремний) наносят тонкий слой материала, из которого нужно сформировать рисунок. На этот слой наносится фоторезист. Производится экспонирование через фотошаблон Облучённые участки фоторезиста изменяют свою растворимость и их можно удалить химическим способом (процесс травления). Освобождённые от фоторезиста участки тоже удаляются. Заключительная стадия удаление остатков фоторезиста.

Паразитная ёмкость нежелательная ёмкостная связь, возникающая между проводниками или элементами электронных схем. Паразитные ёмкости нужно принимать во внимание в микроэлектронных схемах, поскольку в них расстояние между проводниками мало, а их площадь может быть достаточно большой. В результате в схеме может образоваться конденсатор, что является нежелательным. Одна из основных задач проектировщика компенсировать или минимизировать эффект паразитных утечек.

Наноэлектроника область электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем с характерными топологическими размерами элементов менее 100 нанометров.

Однако принципиально новая особенность наноэлектроники связана с тем, что для элементов таких размеров начинают преобладать квантовые эффекты.

Наиболее значительные достижения сегодняшнего дня 1.Открытие и контролируемое изготовление углеродных трубок и их использование для создания электронных приборов 2.Позиционирование индивидуальных молекул на электрических контактах и измерение электронного транспорта 3.Зондовые технологии (STM/AFM) для манипуляции нанообъектами и изготовление с их помощью наноструктур. 4.Развитие физических и химических методов синтеза нанокристаллов и монослоев и их «сборка» в упорядоченные структуры 5.Создание наноустройств на основе биомолекул и супрамолекул. 6.Локализация биомоторов и их использование в небиологических наносистемах