Диод Шоттки Выполнил студент группы Яппинен Н.С.

Содержание 1.ВведениеВведение 2.Принцип работыПринцип работы 2.1 Барьер ШотткиБарьер Шоттки 2.2 Зонная диаграмма барьера Шоттки при внешнем напряженииЗонная диаграмма барьера Шоттки при внешнем напряжении 2.3 Вольт-амперная характеристика барьера ШотткиВольт-амперная характеристика барьера Шоттки 3.Особенности перехода ШотткиОсобенности перехода Шоттки 4.ПрименениеПрименение 5.Источники информацииИсточники информации

Диод Шоттки (диод с барьером Шоттки) полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл - полупроводник; назван в честь немецкого учёного Вальтера Шоттки, создавшего в г.г. основу теории таких диодов. 1. Введение

2. Принцип работы Рассмотрим контакт металл - полупроводник. Если приповерхностная область полупроводника обеднена основными носителями, в этом случае в области контакта со стороны полупроводника формируется область пространственного заряда ионизованных доноров или акцепторов и реализуется блокирующий контакт, или барьер Шоттки. Рассмотрим условие возникновения барьера Шоттки. Ток термоэлектронной эмиссии с поверхности любого твердого тела определяется уравнением Ричардсона: 2.1. Барьер Шоттки

Для контакта металл - полупроводник n-типа выберем условие, чтобы термодинамическая работа выхода из полупроводника Ф п/п была меньше, чем термодинамическая работа выхода из металла Ф Ме. В этом случае согласно уравнению Ричардсона ток термоэлектронной эмиссии с поверхности полупроводника j п/п будет больше, чем ток термоэлектронной эмиссии с поверхности металла: Ме > п/п ; j Ме < j п/п При контакте таких материалов в начальный момент времени ток из полупроводника в металл будет превышать обратный ток из металла в полупроводник и в приповерхностных областях полупроводника и металла будут накапливаться объемные заряды - отрицательные в металле и положительные в полупроводнике. В области контакта возникнет электрическое поле, в результате чего произойдет изгиб энергетических зон. Вследствие эффекта поля термодинамическая работа выхода на поверхности полупроводника возрастет. Этот процесс будет проходить до тех пор, пока в области контакта не выравняются токи термоэлектронной эмиссии и соответственно значения термодинамических работ выхода на поверхности.

2.2. Зонная диаграмма барьера Шоттки при внешнем напряжении Как видно, роль внешнего напряжения в барьере Шоттки сводится только к регулированию высоты потенциального барьера и величины электрического поля в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводника.

2.3 Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки имеет ярко выраженный несимметричный вид. В области прямых смещений ток экспоненциально сильно растёт с ростом приложенного напряжения. В области обратных смещений ток от напряжения не зависит. В обоих случаях, при прямом и обратном смещении, ток в барьере Шоттки обусловлен основными носителями - электронами. По этой причине диоды на основе барьера Шоттки являются быстродействующими приборами, поскольку в них отсутствуют рекомбинационные и диффузионные процессы. Зависимость тока от напряжения обусловлена изменением числа носителей, принимающих участие в процессах зарядопереноса. Роль внешнего напряжения заключается в изменении числа электронов, переходящих из одной части барьерной структуры в другую. Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки

3. Особенности перехода Шоттки 1.) На переходе Шоттки при прямом смещении создается значительно меньшее падение напряжения, чем на электронно-дырочном переходе: при прохождении даже небольшого начального тока через контакт с большим сопротивлением на нем выделяется тепловая энергия, способствующая появлению дополнительных носителей. 2.) Отсутствие инжекции неосновных носителей заряда. 3.) Переходы работают только на основных носителях, следовательно, в приборах, изготовленных на основе эффекта Шоттки, практически отсутствует диффузионная емкость, связанная с накоплением и рассасыванием носителей. 4.) Отсутствие диффузионной емкости существенно повышает быстродействие приборов, поэтому диоды, выполненные на основе такого контакта, обладают значительно лучшими переключающими свойствами, чем диоды на основе контакта полупроводник полупроводник.

4. Применение Свойства диода Шоттки во многом сходны со свойствами резкого несимметричного p-n – перехода. Однако, поскольку перенос заряда здесь осуществляется основными носителями, быстродействие диодов Шоттки значительно выше. Отсюда следует, что диоды Шоттки в принципе могут выполнять почти все функции диодов с p-n – переходами. Исключение составляют лишь p-n – переходы с накоплением заряда, поскольку в приборах, работающих на основных носителях, время накопления чрезвычайно мало. Диоды Шоттки служат главным образом СВЧ-диодами различного назначения (детекторными, смесительными, лавинно-пролётными, параметрическими, импульсными, умножительными); кроме того, применяются в качестве приёмников излучения, детекторов ядерного излучения, тензодатчиков (измерительный преобразователь деформации твёрдого тела, вызываемой механическими напряжениями, в электрический сигнал), модуляторов света; их используют также в выпрямителях тока ВЧ, солнечных батареях и т.д.

5. Источники информации 1.) Гуртов В. А. Твердотельная электроника: Учеб. Пособие – 3-е изд., доп. Москва: Техносфера – 512 с. 2.) Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ. – 2-е перераб. И доп. Изд. – М.: Мир, – 456 с., ил. 3.) Flash-анимация Диод Шоттки Ивашкевич В.Л.