Авторы: М.Я Дашевский, О.В. Минькова, С.Л.Сорокин, М.В.Меженный, В.Ф.Павлов, М.И.Воронова, В.С.Ежлов, О.М.Кугаенко, М.И.Петржик, В.В.Хасиков, С.А.Афонькин, М.А.Беляева, Г.С.Сорокин, И.И.Тищенко

Место срыва бездислокационного роста Появление в растущем кристалле дислокаций критерий Воронкова: [см 2 /К с] Скорость выращивания монокристалла 1,0 мм/мин Скорость вращения кристалла и тигля об/мин

Грани на кристалле Место срыва бездислокационного роста

Прямой « конус » пластина 1 пластина мм пластина 3 ( в месте, где произошел срыв ) Часть монокристалла, содержащая напряжения Обратный « конус » Прямой « конус » пластина 4 пластина 5 Обратный « конус »

пластиныКонцентрация микродефектов, см -2 Удельное электрическое сопротивление ρ, Ом · см Время жизни неосновных носителей заряда τ ннз, мкс Пластина ,630 Пластина ,525

ОбразецD эксп, угл. град.D физ, угл. c Si (N3): Point 1 Point 2 0,0042 0,

пластины Микротвердость H, кГс/мм 2 Концентрация микродефектов, см ± ±

Т, 0 С С Охлаждение пластин время, мин