РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий Сканирующий высоковакуумный зондовый микроскоп атомарного разрешения.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий СКАНИРУЮЩИЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП JSM-6390LV Скан образца строительного.
Advertisements

РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий ОЖЕ МИКРОАНАЛИЗАТОР JAMP – 9500 F Образец до травления Образец после.
РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий Сканирующий зондовый микроскоп NanoEducator (СЗМ) Контактная литография.
Туннельная и атомная силовая микроскопия Фомичева Мария, 13604, ИПММ 2014.
ЛЕКЦИИ Принципы сканирующей зондовой микроскопии. Сканирующий туннельный микроскоп. Атомно-силовой микроскоп.
ОБОРУДОВАНИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ В начале ХХ века появилась идея изучать вещество, не увеличивая визуально исследуемую площадь его поверхности, а как бы трогая.
Сканирующая зондовая микроскопия. Определения Сканирующая зондовая микроскопия – физический метод исследования поверхностных слоев с нанометровым разрешением,
Методы сканирующей зондовой микроскопии Мунавиров Б.В., Физический факультет, КГУ.
Исследование структур натуральных и технически упакованных соков Ерофеев С.В.
1 Основные направления деятельности 1.Наномодифицированные полимерные композиционные материалы. 2. Защитные наноструктурированные покрытия нового поколения.
Современная зондовая микроскопия. Теоретические основы Обобщенная структурная схема сканирующего зондового микроскопа.
Исследование топографии и структуры поверхности тонких пленок алюминия в технологии формирования слоя пористого анодного окисла Al2O3 для создания матрицы.
Современная зондовая микроскопия. Теоретические основы Обобщенная структурная схема сканирующего зондового микроскопа.
Применение зондовой микроскопии в нанотехнологиях Казанский физико-технический институт им. Е.К.Завойского Казанского научного центра РАН лаборатория физики.
Лекционный курс «Физические основы измерений и эталоны» Раздел ИЗМЕРЕНИЯ В НАНОТЕХНОЛОГИЯХ Тема ЗОНДОВЫЕ МИКРОСКОПЫ. СКАНИРУЮЩИЙ ТУННЕЛЬНЫЙ МИКРОСКОП.
Формирование и исследование наноразмерных объектов с помощью экспериментальных методик развитых в НИИЯФ МГУ Автор: Черн ых Павел Николаевич..
Области применения: Физика твердого тела Микроэлектроника Оптика Тонкопленочные технологии Нанотехнологии Полупроводниковые технологии Микро- и нанотрибология.
Лекция 3 Сканирующая туннельная микроскопия План: 1. Эффект туннелирования через потенциальный барьер. 2. Принцип работы туннельного микроскопа. 3. Зонды.
Практикум по зондовой микроскопии полимеров кафедры ВМС химического факультета МГУ.
Основы нанотехнологий. Актуальность обучения школьников диктуется необходимостью создания современной инфраструктуры национальной нанотехнологической.
Транксрипт:

РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий Сканирующий высоковакуумный зондовый микроскоп атомарного разрешения JSPM 4610A Скан кремниевой пластины (111)

Разрешение (AFM и STM)Разрешение в плоскости и по вертикали: Атомное разрешение Пьезоэлектрический сканерМаксимальное перемещение: X, Y = 10 микрон, Z = 2,7 микрон ОбразецРазмеры образца: Стандартный держатель: максимальные размеры образца 8 (Ш) × 7,7 (Д) × 2 (В) мм 3 Нагревающий держатель: 1 (Ш) × 7 (Д) × 0,3 (В) мм 3 (рекомендуемые размеры) Механизм нагрева образцаСпособ нагрева: пропускание тока через образец. Температура нагрева: не менее 1200 °C Ток нагрева: до 3 А ДрейфДрейф системы: не более 0,05 нм/с Режим определения сигнала1) Режим AFM (изображение): Контактный режим Бесконтактный режим 2) Режим графической зависимости силы (FC) 3) Режим STM (изображение) 4) Режим STS 5) Режим нескольких изображений: Отображение одновременно до четырех каналов Сигнал определенияАтомная сила (контактный режим): от 10 пН до 10 нН (преобразование с помощью константы упругости) Сдвиг частоты (бесконтактный режим): от 10 до 3000 Гц (при f0 до 300 кГц) Туннельный ток (STM): от 50 пА до 1 мкА Напряжение смещенияСмещение образца: от 0 до ±10 В Установка предназначена для исследования характеристик поверхности образцов различного происхождения, устойчивых в условиях сверхвысокого вакуума. Установка обеспечивает: - исследования поверхностей контактным и бесконтактным методами атомно-силовой микроскопия (AFM); - исследования поверхностей методами туннельной микроскопии (STM); Установка обеспечивает также возможность преобразования прибора в магнитно-силовой микроскоп (MFM) и в фрикционно-силовой микроскоп (FFM). Технические характеристики