Л.Р. Калимуллина *, А.Н. Лачинов*, Г.Ш. Султанбаева** *Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН, г. Уфа, **Башкирский государственный педагогический.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
БАШКИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ.М.АКМУЛЛЫ Исследование электронной структуры мономерных соединений электроактивных полимеров Султанбаева.
Advertisements

ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ПОЛИМЕРА В ПЕРЕМЕННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ И. Г. Каримов а, А. Н. Лачинов а, б, Э. Р. Жданов а а Башкирский государственный.
Отличия квантовой статистики от классической Состояния, попадающие в ячейку фазового пространства размером dxdydzdp x dp y dp z < h 3 неразличимы Принцип.
Одновалентный висмут – экзотическая химия и новый оптически активный центр. А.Н. Романов, В.Б. Сулимов НИВЦ МГУ A.A. Вебер, В.Б. Цветков, Институт общей.
1 ЛЕКЦИЯ 4. Элементарные процессы в плазме. Скорость протекания элементарных процессов. Сечение столкновений. Упругое взаимодействие электронов с атомами.
ХИМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОЧАСТИЦ НАПРАВЛЕННЫЙ СИНТЕЗ Параметры синтеза: Температура (Т) Давление (Р) Состав питающей среды (х,у) Характеристика.
Квантовые числа Главное, (размер, энергия) Орбитальное, (форма) Магнитное, (ориентация) Квантование атома водорода.
Образовательный семинар для аспирантов и студентов, ИФМ РАН, 24 февраля 2011 Квантово-размерные эффекты и зарождение сверхпроводимости в гибридных структурах.
Экспериментальная физика наноструктур Автор курса к.ф.м.н. Руднев И.А. Московский инженерно-физический институт (государственный университет) Кафедра сверхпроводимости.
Влияние прижимающего потенциала на устойчивость электронного кристалла над поверхностью жидкого гелия. В.В.Славин, A.A.Кривчиков.
1 Вероятность и энтропия (часть 1) Отвечаем на вопросы о: - связи вероятности состояния и энтропии - распределениях молекул и характеристиках этих распределений.
ИССЛЕДОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ И КИНЕМАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК КВМ ТИПА ГАЛО В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ВРЕМЕНИ Егоров Я.И., Файнштейн В.Г. ИКИ-2013.
РГУ им. Иммануила Канта Инновационный парк Центр ионно-плазменных и нанотехнологий ОЖЕ МИКРОАНАЛИЗАТОР JAMP – 9500 F Образец до травления Образец после.
АНАЛИЗ СТАТИСТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПУЛЬСАЦИЙ СКОРОСТИ В КОНВЕКТИВНОЙ ТУРБУЛЕНТНОСТИ ПО РЕЗУЛЬТАТАМ ДОПЛЕРОВСКОЙ АНЕМОМЕТРИИ П.А.Оборин, А.Ю. Васильев,
НИЯУ «МИФИ» ФАКУЛЬТЕТ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ КАФЕДРА 67 «ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД» ТЕМА РАБОТЫ: АТОМИСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СТРУКТУРНОГО.
Термодинамическая устойчивость и фотоника супрамолекулярных структур на основе аммониоалкильных производных стириловых красителей Савин И. В. (студ. 6.
Модели – уравнения квантовой механики. Модели – уравнения квантовой механики. Методы численного исследования: метод функционала плотности, метод Хартри-Фока.
РАСПРОСТРАНЕНИЕ СВЕТОВЫХ ИМПУЛЬСОВ В ОДНОМЕРНЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛАХ Дадашзадех гаргари Нушин БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УДК Минск 2012.
Механизм образования возбужденных молекул при химических реакциях Ю. А. Владимиров Лекции по Биофизике ФФМ МГУ 2004г. Весна.
Проект 2 Компьютерное проектирование хемосенсорного материала Разработка комплекса программ многомасштабного моделирования Задача: спроектировать под заданный.
Транксрипт:

Л.Р. Калимуллина *, А.Н. Лачинов*, Г.Ш. Султанбаева** *Институт физики молекул и кристаллов УНЦ РАН, г. Уфа, **Башкирский государственный педагогический университет им.М.Акмуллы, г. Уфа ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ДИМЕРОВ И ДИМЕРНЫХ КОМПЛЕКСОВ АРИЛЕНФТАЛИДОВ

Эффекты электронного переключения в тонких пленках несопряженных полимеров Электро- люминесценция (письма в ЖЭТФ-1992) Электро- оптические Давлением (Письма в ЖЭТФ –1990) Магнитным полем (Поверхность – 2006) Электронное переключение Электрическим полем (Synth. Metals – 1991) Облучение частицами (Письма в ЖТФ –1994) Изменение граничных условий (Письма в ЖЭТФ-1995) Термоионизация ловушек (Synth.metals – 1993) Электронные, включая нано- Автополевая эмиссия из полимерной пленки (J. Society Info. Display-2004 ) Зарядовая нанопамять (Microelectronic Engineering –1993 ) Размерное квантование (Physics of Low-Dimensional Structures ) Сверхпроводимость (Solid State Comm –1994)

Цель работы Квантово-химическое исследование электронной структуры димеров и димер- димерных комплексов полиариленфталидов

Задачи Оптимизация геометрических параметров Решение колебательной задачи Визуализация распределения электронной плотности модельных систем Оценка энергетических характеристик

Типичные представители полиариленфталидов 3-хлор-3-(4-дифенилсульфид)-фталилиден 3-хлор-3-фенилфталилиден 3-хлор-3-(4-дифенилоксид)-фталилиден3-хлор-3-(4-дибензотиофен)-фталилиден

Типичные представители ариленфталидов 3-хлор-3-(4-дибензофуран)-фталилиден3-хлор-3-(4-кабразол)-фталилиден 3-хлор-3-(4-дифенил)-фталилиден3-хлор-3-(4-(N-метилкарбазол))-фталилиден

Квантово-химические методы исследования Полуэмпирический метод AM1 RHF/6-31G(d) PBE/3z

Квантово-химические исследования мономеров 3-хлор-3-(4-дифенилсульфид)-фталилиден

HOMO (1) и LUMO (2) По расчетам методом RHF/6-31G(d) 1)2)

Квантово-химические расчеты димеров Димер 3-хлор-3-(4-дифенилсульфид)-фталилидена

LUMO, E1=2,05 эВ LUMO+1, E2=2,30 эВ HOMO, E3= - 8,27эВ

Квантово-химические расчеты димер-димерных комплексов Димер-димер-3-хлор-3-(4-дифенилсульфид)-фталилиден

Верхняя занятая молекулярная орбиталь HOMO

LUMOLUMO+1 LUMO+2 LUMO+3

Энергетические характеристики молекулярных орбиталей (эВ) Модельна я система E HOMO E LUMO E LUMO+1 ε Мономер -8,422,112,540,43 Димер -8,272,052,300,25 Димер- димерный комплекс -8,352,142,150,01 kT=0,03 (при T=298 K) ε =E LUMO+1 - E LUMO

Результаты расчетов полной энергии и энтальпии образования Модельная системаМономерДимерДимер- димерный комплекс AM1 E total,Хартри-145, , , H, кДж/моль--46,2-11,5 RHF/6- 31G(d) E total,Хартри-1771, , , H, кДж/моль--18,1-30,6 PBE/3z E total,Хартри-1777, , , H, кДж/моль--15,6-34,9

Выводы Получены плотности вероятности распределения HOMO и LUMO в модельных системах димеров и димер- димерных комплексов. Показано, что локализация LUMO состояний на фталидных группировках имеет большую вероятность. По мере усложнения структуры наблюдается тенденция к вырождению нижнего вакантного состояния.

СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ !