Структура примесной зоны Зона проводимости Валентная зона Уровень изолированного донора Уровень изолированного акцептора Электрические поля заряженных.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Прыжковая проводимость. Примеры локализованных состояний I. Центрально-симметричная прямоугольная трехмерная потенциальная яма II. Прямоугольная одномерная.
Advertisements

Проводимость [ 1 cm 2-d ] Кондактанс Y [ 1 ] Безразмерный кондактанс y L ребро куба Скейлинговая гипотеза ( Для описания перехода металл-изолятор ? При.
Лекция 4. Статистика электронов и дырок в полупроводниках Тепловое возбуждение носителей заряда. Собственные и примесные полупроводники. Распределение.
Целочисленный квантовый эффект Холла B. В сильном магнитном поле электрон локализован в окрестности своей классической орбиты Электрон дрейфует поперек.
Энергия заряженного конденсатора равна работе внешних сил, которую необходимо затратить, чтобы зарядить конденсатор. Электрическая энергия конденсатора.
Концентрация носителей заряда в собственных полупроводниках.
Гранулированные металлы. X.Yu, M.B.Duxbury, G.Jeffers, M.A.Dubson, Phys.Rev. B 44, (1991) In, напыленный на SiO 2 при комнатной температуре.
Спиновый парамагнетизм в теории Стонера. Переход металл – диэлектрик. Модель Хаббарда. Модель Мотта 1.7. Зонная теория ферромагнетизма.
Лекция 5. Примеси в полупроводниках. Появление состояний в запрещённой зоне при введении примесей. Доноры и акцепторы. Мелкие или водородоподобные примеси.
Металлы, проводники и диэлектрики 12 класс. Ионная связь Рассмотрим образование ионной связи на примере соединения хлорида натрия Na + Cl Na + +Cl + Na.
Conductance of a STM contact on the surface of a thin film * N.V. Khotkevych*, Yu.A. Kolesnichenko*, J.M. van Ruitenbeek** *Физико-технический институт.
Лекция 6. Кинетические явления в полупроводниках Применимость зонной теории в слабых электрических полях. Приближение эффективной массы. Блоховские колебания.
Квантовые поправки к проводимости Слабая локализация и межэлектронное взаимодействие Два типа электронного рассеяния: Упругое с вероятностью 1/ Выражение.
Отступление 1. (Короткий экскурс в физику твердого тела) Некоторые представления физики твердого тела Лекции по дисциплине «Основы анализа поверхности.
ПРОВОДНИКИ Напряженность и потенциал поля в проводнике Поле вблизи проводника Конденсаторы Энергия электрического поля.
Согласно теории Зинера в сильном электрическом поле энергетические зоны в кристалле претерпевают изменения, как показано на рис В соответствии с.
Полупроводники Зависимость сопротивления полупроводников от температуры Электронная и дырочная электропроводность Собственная и примесная проводимости.
Лекция 9. ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ. Термоэлектронная эмиссия. Статистический и термодинамические вывод формулы плотности тока термоэлектронной эмиссии.
Электрический ток в полупроводниках. Разные вещества имеют различные электрические свойства, по электрической проводимости их можно разделить на 3 основные.
Лекция 14. ПОВЕРХНОСТНАЯ ИОНИЗАЦИЯ Поверхностная ионизация. Формула Саха-Ленгмюра. Температурная зависимость плотности тока положительной ионизации. Термодинамичсекий.
Транксрипт:

Структура примесной зоны Зона проводимости Валентная зона Уровень изолированного донора Уровень изолированного акцептора Электрические поля заряженных примесей смещают уровни примесей EiEi

Слабая компенсация: N d >> N a, K= N a / N d

EiEi Плотность состояний в примесной зоне Слабая компенсация / D ~ N a / D ~ N d

Составление уравнения для Вероятность того, что в сфере радиусом r вокруг акцептора нет ни одного донора 1 при x > 0, 0 при x < 0 Численное решение

Сильная компенсация: N d N a, 1 K 1 N a / N d

EiEi Плотность состояний в примесной зоне Слабая компенсацияСильная компенсация / D ~ (N d N a )

Кулоновская щель r ij j i Энергия должна быть больше, чем III I II 2D 3D exp

Кулоновская щель (продолжение) Энергия занятых состояний понизилась, энергия сводных состояний повысилась A.L. Efros, N.V. Lien, B.I. Shklovskii J. Phys. C 12, 1023 (1979) K=0.9K=0.1

Переход Пайерлса Сместив каждый второй атом, удвоим период a 2a

Туннельные характеристики Модуляционный метод один из важнейших экспериментальных приемов Если g 1 =const и температура Т= 0, то и и Если температура Т 0 и ступенька f(x) размывается, то

Туннельные эксперименты G. Hertel et al., PRL 50, 743 (1983) W.L. McMillan, J. Mochel PRL 46, 556 (1981) V.Yu. Butko, J.F. DiTisa, P.V. Adams, PRL 84, 1543 (2000) J.G. Massey, M. Lee PRL 77, 3399 (1996)

Экскурс в теорию вероятности Частицы случайно расположены в пространстве с концентрацией c. Пусть f(v) вероятность того, что в объеме v нет частиц.