Оборудование, используемое при реализации образовательных программ переподготовки в области проектирования и производства СБИС с топологическими нормами.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Оборудование, используемое при реализации образовательных программ подготовки магистров в области проектирования и производства СБИС с топологическими.
Advertisements

КАФЕДРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И МИКРОСИСТЕМ. КОМПЛЕКТ ЛАБОРАТОРНЫХ ПРАКТИКУМОВ 1.Лабораторный практикум на основе комплекса техно- логического оборудования.
Формирование и исследование наноразмерных объектов с помощью экспериментальных методик развитых в НИИЯФ МГУ Автор: Черн ых Павел Николаевич..
УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ФГБОУ ВПО «ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» Приборно-технологическое проектирование компонентной базы микро- и наноэлектроники.
Микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. Подготовил студент 3 курса группы Лебедев П.А.
1 Отчет по выполнению работ в рамках проекта «Междисциплинарные задания» (МДЗ) Тема : Сквозной маршрут проектирования средствами САПР Synopsys «Электроника.
Лекция 14. Элементы планарной технологии. Гетерограница Si-SiO 2 и её свойства. Рост кристаллов и плёнок, окисление. Металлизация, изоляция в СБИС, диэлектрики.
РАЗРАБОТКА И АПРОБАЦИЯ МОДУЛЯ «ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ 3D ИЗДЕЛИЙ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ» ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭЛЕМЕНТОВ ДИСТАНЦИОННОГО.
Технологическое моделирование (TCAD) Лабораторная работа 1.
Основы нанотехнологий. Актуальность обучения школьников диктуется необходимостью создания современной инфраструктуры национальной нанотехнологической.
ЛЕКЦИИ Принципы сканирующей зондовой микроскопии. Сканирующий туннельный микроскоп. Атомно-силовой микроскоп.
ФГБОУ ВПО «МОРДОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. П. ОГАРЁВА» ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ПРОФЕССИОНАЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОВЫШЕНИЯ КВАЛИФИКАЦИИ « ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ.
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» ЦКП «Гетероструктурная СВЧ-электроника и физика широкозонных полупроводников» НИЯУ МИФИ Профессор.
Разработка сетевых образовательных программ подготовки и переподготовки инженерных и рабочих кадров в сфере наноиндустрии Межрегиональный отраслевой ресурсный.
Исследование особенностей интегральных антенн А.Г. Тимошенко, К.М. Ломовская, М.О. Суслов, НИУ МИЭТ.
Применение зондовой микроскопии в нанотехнологиях Казанский физико-технический институт им. Е.К.Завойского Казанского научного центра РАН лаборатория физики.
Кафедра Материаловедения и физической химии ПК-7 - уметь использовать на практике современные представления наук о материалах, о влиянии микро-
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» Научно-образовательный центр НИЯУ МИФИ по направлению «Нанотехнологии»
ТРАНСПОРТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ПОЛИМЕРА В ПЕРЕМЕННОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ И. Г. Каримов а, А. Н. Лачинов а, б, Э. Р. Жданов а а Башкирский государственный.
Выполнила : Екимова Владислава Школа 1 Г. Славянск.
Транксрипт:

Оборудование, используемое при реализации образовательных программ переподготовки в области проектирования и производства СБИС с топологическими нормами 90 нм

УМК - Энергоэффективное проектирование наноэлектронных ИС средствами САПР Cadence и Synopsys: Тема 1. Энергопотребление цифровых схем. Тема 2. Способы снижения энергопотребления. Тема 3. Автоматизация процесса энергоэффективного проектирования. УМК - Проектирование библиотек стандартных элементов с топологическими размерами 90 нм: Тема 1. Принципы построения библиотек. Технологический файл. Тема 2. Формат описания компонентов (CDF). SKILL. Тема 3. Написание процедур callback. Топологическое представление элементов библиотеки. PCell. УМК - Ускоренное схемотехническое моделирование наноэлектронной компонентной базы средствами САПР Cadence. Программа UltraSim: Тема 1. Симуляторы класса FastSPICE. Тема 2. Опции симулятора. Точность и скорость. Тема 3. Моделирование паразитных элементов. САПР компаний Cadence и Synopsys

Высокочастотная зондовая установка Cascade УМК - Техника функционального контроля параметров СБИС на пластине: Тема 1. Конструктивно -технологический базис тестовых структур СБИС. Тема 2. Измерительная техника функционального контроля параметров СБИС на пластине. Тема 3. Техника проведения функционального контроля параметров СБИС на пластине. Измерительное оборудование Agilent, Tektronix

Установка ионной имплантации Axcelis GSD Ultra УМК - Ионное легирование. Особенности создания мелкозалегающих слоев. Практическое занятие: Знакомство с современными установками ионной имплантации.

Установка ионной имплантации VSEA VIISta 810XP УМК - Ионное легирование. Особенности создания мелкозалегающих слоев. Практическое занятие: Знакомство с современными установками ионной имплантации.

УМК - Техника оптической фотолитографии. Особенности формирования рисунка нанометровых размеров. Лабораторная работа: «Метод наноимпринт литографии в технологии создания устройств наноэлектроники». Установка для наноимпринт литографии - SUSS FC150, Германия

Сканирующий зондовый микроскоп – Солвер П 47 АСМ изображение поверхности пленки тантала после нанолитографии на основе зондового окисления (а) и профиль сечения поверхности поперек оксидных полосок, сформированных при различном напряжении (б): 1-10В, 2-9В, 3-8В, 4-7В. УМК - Техника оптической фотолитографии. Особенности формирования рисунка нанометровых размеров. Лабораторная работа: «Нанолитография на основе локального зондового окисления».

Вакуумная установка МВУ ТМ – ТИС осаждения тонких пленок методом термического испарения металлов УМК - Физико-технологические особенности создания силицидных контактов. Лабораторная работа: «Исследование технологии формирования силицидных выпрямляющих контактов к кремнию и исследование электрофизических параметров силицидных выпрямляющих контактов к кремнию».

Малогабаритная вакуумная установка настольного типа МВУ ТМ-Магна УМК - Физико-технологические особенности создания силицидных контактов. Лабораторная работа: «Исследование технологии формирования силицидных выпрямляющих контактов к кремнию и их электрофизических параметров».

Установка резистивного и электронно- лучевого испарения металлов – Lab 18 УМК - Особенности многоуровневой металлизации УБИС с медными межсоединениями. Damascene технология. Лабораторные работы: 1.«Изучение топологии и дефектов системы металлизации СБИС с проектными нормами нанометрового диапазона посредством атомной силовой и сканирующей электропроводящей микроскопии». 2. «Исследование процесса электромиграции в медных межсоединениях в условиях уменьшения площади их сечения».

Комплект оборудования для электрохимического формирования наноматериалов - AMMT GmbH УМК -Электрохимические методы осаждения металлов. Особенности осаждения меди. Лабораторные работы: 1. «Измерение концентрационной зависимости электропроводности электролитов». 2. «Исследование процесса электрохимического формирования металлических пленок и нанообъектов». 3. «Исследование процесса электрохимического заполнения металлами наноразмерных высоко- аспектных канавок». 4. «Исследование процесса электрохимического осаждения медно-никелевых сплавов».

Установка ионно-плазменного напыления УРМЗ УМК - Технология создания термостабильных контактных систем металлизации СБИС. Лабораторные работы: 1.«Исследование влияния диффузионно-барьерного слоя на термическую стабильность контактной системы». 2.«Изучение процесса самосовмещенного формирования качественных контактных слоев на основе силицида и их электрофизических свойств». УМК - Особенности многоуровневой металлизации УБИС с медными межсоединениями. Damascene технология. Лабораторная работа: «Исследование процесса электромиграции в медных межсоединениях в условиях уменьшения площади их сечения».

Установка вакуумного напыления и отжига УРМЗ УМК - Технология создания термостабильных контактных систем металлизации СБИС. Лабораторные работы: 1. «Исследование влияния диффузионно-барьерного слоя на термическую стабильность контактной системы». 2. «Изучение процесса самосовмещенного формирования качественных контактных слоев на основе силицида и их электрофизических свойств». УМК - Особенности многоуровневой металлизации УБИС с медными межсоединениями. Damascene технология. Лабораторная работа: «Исследование процесса электромиграции в медных межсоединениях в условиях уменьшения площади их сечения».