Оптимизация нового метода получения поликристаллического кремния Работу выполнили Побережный Даниил, Субботин Дмитрий Руководитель: Гудилин Е.В. г.Москва, СУНЦ МГУ,2012

Задачи работы: Анализ современных методов получения кремния Оптимизация нового метода получения конечного продукта

кремний

Применение в промышленности Солнечный кремний Технический кремний Изготовление электронных приборов и микросхем

Рост кристаллов В. Коссель, И.Н. Странский положили начало молекулярно-кинетической теории роста кристаллов Она объяснила явление послойного роста кристаллов с позиций атомно-молекулярного состояния поверхности растущего кристалла

Форма и дефекты кристаллов нульмерные )одномерные двумерные трёхмерные Дефектами кристалла называют всякое нарушение идеальной периодичности кристаллической решётки и различают несколько разновидностей дефектов по размерности: нульмерные (точечные), одномерные (линейные), двумерные (плоские) и трёхмерные (объемные) дефекты

метод выращивания кристаллов путём вытягивания их вверх от свободной поверхности большого объёма расплава Метод Чохральского

АЛЮМИНОТЕРМИЯ- получение металлов и сплавов восстановлением окислов металлов алюминием

4Al + 3S = Al 2 S 3 4Al + 3SiO 2 = 3Si + 2Al 2 O 3 + Q побочные реакции Al 2 O 3 + SiO 2 + 3Si + 4Al = Al 2 O 3 ·SiO 2 (кианит) + Al 4 Si 3 3Al 2 O 3 + 2SiO 2 + 3Si + 4Al = 3Al 2 O 3 ·SiO 2 (муллит) + Al 4 Si 3

Al 2 S 3 + 6HCl = 2AlCl 3 + 3H 2 S Al 4 Si HCl = 4AlCl 3 +3SiH 4 2Al + 6HCl = 2AlCl 3 + 3H 2