ЭФФЕКТЫ ИНТЕРФЕРЕНЦИИ СИНХРОТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В СТРУКТУРАХ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, С.Ю. Турищев Воронежский государственный университет Воронеж

Методы исследования Спектроскопия ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения XANES (X-ray absorption near edge structure) - SRC, University Wisconsin-Madison, Stoughton, USA. Stoughton, USA. - Канал MARK V - Глубина анализа: ~ 5 нм - Вакуум в рабочей камере: Торр - Щели 20 мкм - Разрешение: 0.1 эВ - BESSY II, Berlin, Germany. - Канал RGBL - Глубина анализа: ~ 5 нм - Вакуум в рабочей камере: Торр - Щели 40 мкм - Разрешение: 0.1 эВ Ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия USXES (ultrasoft X-ray emission spectroscopy) - Спектрометр РСМ Глубина анализа: ~ 60 нм - Вакуум в рабочей камере: Торр - Щели 40 мкм - Разрешение: 0.2 эВ Рентгеновская дифракция XRD (X-ray diffraction) - Дифрактометр ДРОН-4-07

Объекты исследования Структуры типа КНИ (кремний на изоляторе) - Подложка монокристаллического кремния Si (100) - Слой оксида кремния SiO 2 ~ 150 нм - Слой растянутого кремния (~ 10 или ~ 100 нм)

XANES (SRC) Результаты XANES Si L 2,3 спектры эталонных образцов (θ=90°). XANES Si L 2,3 спектры кристаллического кремния (θ=90°-10 ° ).

XANES (SRC) Результаты XANES Si L 2,3 спектры «темного» образца растянутого кремния, при различных значениях угла скольжения θ. XANES Si L 2,3 спектры «желтого» образца растянутого кремния, при различных значениях угла скольжения θ.

XANES (BESSY) Результаты XANES Si L 2,3 спектры «темного» образца растянутого кремния, при различных значениях угла скольжения θ. XANES Si L 2,3 спектры «желтого» образца растянутого кремния, при различных значениях угла скольжения θ. 2L =(n 2 – sin 2 ) 1/2 При =5 о L ~ 83 нм

XRD Результаты Дифрактограммы линий (400) от образцов КНИ «темного» (Dark sample) и «золотистого» (Gold sample) a= нм d= нм a= нм d= нм

USXES Результаты Si L 2,3 USXES спектры растянутого кремния и эталонные спектры диоксида кремния E(эВ) = 8 – 2.2R(A) [*] [*] L. Ley, R.A. Pollak, S.R. Kowalczyk, R. McFeely and D. Shirley Phys. Rev B8, 641 (1973). R = 2.3(A) (c-Si) R = 2.6 (A) (strained Si)

1. Дифрактометрическим методом установлено уменьшение параметров нанослоя растянутого кремния в нормальном направлении по отношению к подложке в образце «кремний на изоляторе» на нм по сравнению с параметром монокристаллической подложки. 2. Значение критических углов скольжения θ, при которых начинается существенное влияние отражения на форму края поглощения в КНИ определяется толщинами составляющих ее слоев. 3. При малых углах скольжения СИ на образец (θ