Электронная и туннельная микроскопия Подготовила : Лаврентьева Екатерина У4-01.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Электронная и туннельная микроскопия Выполнила : Молодан Юлия У 4-02.
Advertisements

Название предмета: Химия поверхностных явлений, адсорбции и наносистем (ХПЯАиН) Лекция 4 Методы исследования наночастиц и наносистем Преподаватель: Гайнанова.
Выполнила: студентка 4 го курса Цветкова Анна. Прибор, который позволяет получать сильно увеличенное изображение объектов, используя для их освещения.
ОБОРУДОВАНИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ В начале ХХ века появилась идея изучать вещество, не увеличивая визуально исследуемую площадь его поверхности, а как бы трогая.
ЛЕКЦИЯ 14 Электронная микроскопия. Принципиальная схема просвечивающего электронного микроскопа 1 - источник излучения; 2 - конденсор; 3 - объект; 4 -
Методы сканирующей зондовой микроскопии Мунавиров Б.В., Физический факультет, КГУ.
Электронный микроскоп Выполнила: ученица 11 класса «Б» МОУ СОШ 288 г. Заозерска Якубенко Екатерина.
Лекция 3 Сканирующая туннельная микроскопия План: 1. Эффект туннелирования через потенциальный барьер. 2. Принцип работы туннельного микроскопа. 3. Зонды.
Томск, ТПУ, ИГНД, ГЭГХ 1 Лекция 2 Люминесцентный анализ.
Элементы квантовой механики. Основы ядерной физики.
Министерство образования и науки Российской Федерации Калужский филиал федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального.
Лекционный курс «Физические основы измерений» Раздел МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ Тема СКАНИРУЮЩИЕ (растровые) МИКРОСКОПЫ (2)
Нобелевская премия по физике,1986 г.. Физика поверхностных явлений в настоящее время является одним из наиболее интенсивно развивающихся разделов науки.
Люминесцентный анализ Люминесценция – (lumen – свет; escent – суффикс, означает слабое действие) способность некоторых веществ.
Образовательный семинар для аспирантов и студентов, ИФМ РАН, 24 февраля 2011 Квантово-размерные эффекты и зарождение сверхпроводимости в гибридных структурах.
1.Два точечных заряда будут отталкиваться друг от друга только в том случае, если заряды 1)Одинаковы по знаку; модули зарядов произвольны 2)Одинаковы по.
Тринадцатая научная конференция «Шаг в будущее, Москва» Кафедра ИУ4 МГТУ им. Н.Э. Баумана «Проектирование и технология производства электронно-вычислительных.
Применение зондовой микроскопии в нанотехнологиях Казанский физико-технический институт им. Е.К.Завойского Казанского научного центра РАН лаборатория физики.
Лекционный курс «Физические основы измерений и эталоны» Раздел ИЗМЕРЕНИЯ В НАНОТЕХНОЛОГИЯХ Тема ЗОНДОВЫЕ МИКРОСКОПЫ. СКАНИРУЮЩИЙ ТУННЕЛЬНЫЙ МИКРОСКОП.
Транксрипт:

Электронная и туннельная микроскопия Подготовила : Лаврентьева Екатерина У4-01

Электронная микроскопия позволяет с помощью электронного микроскопа исследовать микроструктуру тел при увеличениях до многих сотен тысяч раз (вплоть до атомно-молекулярного уровня), изучить их локальный состав и локализованные на поверхностях или в микрообъёмах тел электрические и магнитные поля (микрополя)

Метод реплик один из методов подготовки объекта к исследованию с использованием просвечивающего электронного микроскопа. Под репликой понимают прозрачную для электронов плёнку, структура которой воспроизводит структуру поверхности изучаемого объекта. просвечивающего электронного микроскопа

Метод декорирования Винтовые дислокации на поверхности кристалла NaCl, подвергнутого термическому травлению при температуре 773 К. Изображение получено методом декорирования

Фазовая электронная микроскопия Для расчёта контраста изображений кристаллических тел, имеющих регулярные структуры (при рассеянии частиц на таких телах происходит дифракция частиц), а также для решения обратной задачи расчёта структуры объекта по наблюдаемому изображению применяются методы фазовой электронной микроскопии

Лоренцова электронная микроскопия Изображение доменной структуры тонкой однородной по толщине пермаллоевой плёнки. Снято в просвечивающем электронном микроскопе при дефокусировке изображения (метод лоренцевой электронной микроскопии). Светлые и тёмные узкие полосы- границы доменов. Видна "рябь" намагниченности, возникающая вследствие малых изменений направлений векторов намагниченности (отмечены стрелками) внутри доменов.

Количественная электронная микроскопия Изображение линий равной напряжённости поля ( от 25 до 150 Гс через 25 Гс) над зазором магнитной головки (ширина зазора 28 = 2 мкм) для магнитной записи информации. Получено в растровом электронном микроскопе со специальной приставкой

Иммуноэлектронная микроскопия это непосредственная визуализация взаимодействия антигена и антител с помощью электронной микроскопии. Иммуноэлектронная микроскопия впервые была предложена для вирусологических исследований Дж. Альмейда и А. Ватерсоном в 1969г.

Сканирующий туннельный микроскоп Блок-схема сканирующего туннельного микроскопа:1 – двигатели для перемещения зонда по осям X, Y, Z; 2 – двигатель для перемещения объекта по оси Z; U x, U y, U z, - напряжения, подаваемые на двигатели 1; U z – напряжение, подаваемое на двигатель 2; U – разность потенциалов между зондом и объектом; I т – туннельный ток

Схема работы сканирующего туннельного микроскопа

Спасибо за внимание!