Тиринг неустойчивость в тонких токовых слоях Артемьев А.В., Попов В.Ю., Малова Х.В., Зелёный Л.М. ИКИ РАН, МГУ им. Ломоносова, НИИЯФ им. Скобельцына С.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Устойчивость токового слоя. Артемьев А.В., Зелёный Л.М., Малова Х.В., Попов В.Ю. ИКИ РАН НИИЯФ МГУ Физический факультет МГУ.
Advertisements

ОФН-15, ИКИ РАН, Тонкие токовые слои в космической плазме: двухмерная структура Х.В. Малова, Л.М. Зеленый, В.Ю. Попов, А.В. Артемьев, А.А. Петрукович.
О.В. Мингалёв 1, И.В. Мингалёв 1, Х.В. Малова 2,3, Л.М. Зеленый 3 Влияние анизотропии источников плазмы на структуру тонкого токового слоя в хвосте магнитосферы.
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ЭЛЕКТРОНОВ В ТОНКИХ ТОКОВЫХ СЛОЯХ Л.М. Зеленый, А.В. Артемьев, А.А. Петрукович ИКИ РАН ОФН-15, ИКИ 2011 Cluster mission Interball-tail.
МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЗМУЩЕНИЙ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ПРИ КОНВЕКЦИИ ПЛАЗМЫ В МАГНИТОСФЕРЕ ЗЕМЛИ В.В. Вовченко 1, Е.Е. Антонова 2,1 1 ИКИ РАН, Москва 2 НИИЯФ МГУ, Москва.
Исследование баланса давления на магнитопаузе в подсолнечной точке по данным спутников THEMIS С. С. Россоленко 1,2, Е. Е. Антонова 1,2, И. П. Кирпичев.
Вайсберг О.Л. 1, Артемьев А. 1, Малова Х.В. 1, Зеленый Л.М. 1, Койнаш Г.В. 1, Аванов Л.А. 2 1 Институт космических исследований РАН 2 INNOVIM/NASA Goddard.
Альфвеновская ионно-циклотронная неустойчивость в ловушке с сильно анизотропной плазмой Ю.А. Цидулко, И.С. Черноштанов Март 2010.
Механизм генерации ультранизкочастотных электромагнитных колебаний в пограничной области плазменного слоя Шевелёв М.М., Буринская Т.М. ИКИ РАН «Физика.
n=1 n=2 n=3 n=4 n=5 E r -- Решением данного уравнения является функция Блоха. Состояние с энергией может быть описано не только функцией, но и. В одномерном.
Основные экспериментальные факты для сверхпроводников. Обзор феноменологических теорий сверхпроводимости. Теория Лондонов. Природа эффективного притяжения.
Энергия и мощность электромагнитного поля. Электромагнитные волны. Лекция 5.
Циклотронный резонанс в сильных магнитных полях в гетероструктурах на основе CdHgTe М.С.Жолудев диафильмЦРэкспериментрезультаты.
Внутренняя структура тонких токовых слоёв: наблюдения CLUSTER и теоретические модели. А.В. Артемьев, А.А. Петрукович, Л.М. Зелёный, R. Nakamura, Х.В. Малова,
Структура поперечных токов в высокоширотной магнитосфере И.П. Кирпичев 1, Е.Е.Антонова 2,1, К.Г. Орлова 2 1 ИКИ РАН 2 НИИЯФ МГУ ИКИ РАН,
Работа перемещения заряда в электрическом поле. Данная формула показывает: 1. Eсли заряды q и Q имеют одинаковые знаки, то при удалении зарядов А 12 >0,
МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ИНТЕРФЕРОМЕТРА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЭФФЕКТА ФИЗО П.С. Тиунов Студент, кафедра «Физика» Научный руководитель: В.О. Гладышев,
Тиринг неустойчивость в линейных открытых ловушках с электронным пучком В.П. Жуков, *А.В. Бурдаков, И.В. Шваб Институт вычислительных технологий СО РАН,
Ускоренные электроны и жесткое рентгеновское излучение в солнечных вспышках Грицык П.А., Сомов Б.В. Докладчик: Леденцов Л.С. Москва, 2012 г.
{ основные типы уравнений второго порядка в математической физике - уравнение теплопроводности - уравнения в частных производные - уравнения переноса количества.
Транксрипт:

Тиринг неустойчивость в тонких токовых слоях Артемьев А.В., Попов В.Ю., Малова Х.В., Зелёный Л.М. ИКИ РАН, МГУ им. Ломоносова, НИИЯФ им. Скобельцына С использованием энергетического принципа в линейном приближении, рассматривается вопрос о наличии и развитии тиринг неустойчивости в модели тонкого анизотропного токового слоя. Найдены вид возмущённого вектор потенциала и параметрические области присутствия тиринг неустойчивости. Оценена величина ионного инкремента тиринг неустойчивости. Произведено моделирование развития неустойчивости в токовом слое.

Ионная компонента модели тонкого токового слоя.

Сечения функции распределения ионов в центе токового слоя VxVzVxVy Vz

Электронная компонента модели тонкого токового слоя

Функции распределения ионов для ТС различной толщины VyVx VzVx VyVz Сечения функции распределения ионов в центре токового слоя при изменении ширины токового слоя

Тангенциальная компонента магнитного поля Магнитное поле токового слоя для различных значений отношений амплитуды нормального и тангенциального полей

Тиринг неустойчивость Тиринг (разрывная неустойчивость) –токовые нити слипаются. Тиринг (разрывная неустойчивость) –токовые нити слипаются. Вблизи нейтральной линии образуются области замкнутых магнитных силовых линий Вблизи нейтральной линии образуются области замкнутых магнитных силовых линий z x B B z x

Энергетический принцип. Маргинальная неустойчивость.

Возмущённый вектор потенциал Решение уравнения на возмущённый вектор потенциал для тонкого токового слоя при различных значениях волнового числа.

Компоненты энергии тиринг неустойчивости

Параметрические зоны тиринг неустойчивости

Ионный инкремент тиринг неустойчивости

Моделирование развития тиринг неустойчивости в токовом слое Моделирование эволюции ионной компоненты токового слоя в присутствии ионной тиринг неустойчивости. Использование кодов Власова для нахождения значений функции распределения в любой момент времени. Явная численная схема и согласования X компоненты магнитного поля.

Возмущение полей Bn и Ey. 0 X Z0 X Z 0 0

Эволюция ионного тока. X Z 0 0 Эволюция плотности ионного тока под действием возмущённого магнитного и электрического полей. Образование периодической структуры с слипанием линий тока.

Линии напряжённости магнитного поля.

Выводы Тиринг-неустойчивость в тонком токовом слое обеспечена наличием большого градиента тока в центре токового слоя Тиринг-неустойчивость в тонком токовом слое обеспечена наличием большого градиента тока в центре токового слоя Для модели токового тонкого слоя найдены параметрические зоны существования тиринг- неустойчивости Для модели токового тонкого слоя найдены параметрические зоны существования тиринг- неустойчивости Чем выше анизотропия источников ионов, тем больше зоны маргинальной тиринг-неустойчивости в пространстве управляющих параметров Чем выше анизотропия источников ионов, тем больше зоны маргинальной тиринг-неустойчивости в пространстве управляющих параметров Существование тиринг-неустойчивости характерно для токовых слоёв с Bn/B0~ Существование тиринг-неустойчивости характерно для токовых слоёв с Bn/B0~ Время развития тиринг-неустойчивости (величина обратная значению инкремента) принимает значения порядка секунд Время развития тиринг-неустойчивости (величина обратная значению инкремента) принимает значения порядка секунд