1 Кацивели, 02 октября 201 2 « МЕТОД ХАРТРИ И ПРИЛИЖЕНИЕ ЛИНЕЙНОГО ПАДЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА » Докладывает: ФЕДЯЙ.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
1 Севастополь, 15 сентября 2011 МОДЕЛИРОВАНИЕ АРТЕФАКТОВ НА ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКЕ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА ФЕДЯЙ Артем Васильевич, ас. каф.
Advertisements

1 Использование понятия «эффективная масса» в наноэлектронике Москалюк В.А., к.т.н. Федяй А.В. кафедра ФБМЭ НТУУ «КПИ» Национальный технический университет.
Модель свободных электронов, также известна как модель Зоммерфельда или модель Друде-Зоммерфельда, простая квантовая модель поведения валентных электронов.
Conductance of a STM contact on the surface of a thin film * N.V. Khotkevych*, Yu.A. Kolesnichenko*, J.M. van Ruitenbeek** *Физико-технический институт.
Образовательный семинар для аспирантов и студентов, ИФМ РАН, 24 февраля 2011 Квантово-размерные эффекты и зарождение сверхпроводимости в гибридных структурах.
Модель сильной связи. Гамильтонова матрица. Модель сильной связи без взаимодействия 1.8. Ферми-системы. Модель сильной связи.
Лабораторная работа 2Моделирование полевого транзистора Шотки в рамках диффузионно-дрейфовой и гидродинамической моделей Выполнил: Бобков А.А. Группа:8208.
Циклотронный резонанс в сильных магнитных полях в гетероструктурах на основе CdHgTe М.С.Жолудев диафильмЦРэкспериментрезультаты.
1 Метод Хартри – Фока. 2 В.А. Фок усовершенствовал метод Хартри, представив полную волновую функцию атома в виде слейтеровского определителя. Пространственные.
Лекция 9. ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ. Термоэлектронная эмиссия. Статистический и термодинамические вывод формулы плотности тока термоэлектронной эмиссии.
Презентация по теме: «Полупроводниковые диоды» Выполнили: Бармин Р.А. Гельзин И.Е.
Куперовские пары. Энергия связи и радиус. Теория БКШ. Гамильтониан БКШ. Волновая функция БКШ Куперовские пары.
1 Гамильтониан многоэлектронного атома. 2 Атом водорода (один электрон) Для атома водорода (с зарядом ядра, равным +e) и водородоподобных ионов (с зарядом.
Псевдоморфные полевые транзисторы с высокой подвижностью 2D-электронов в канале (pHEMT) Выполнила : Якушева Ю.В. Научный руководитель: Гуртов В.А.
Лекция 6. ВЛИЯНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА ЭЛЕКТРОННЫХ И ИОННЫХ ПУЧКОВ. Ограничение тока пространственным зарядом в диоде. Формула Ленгмюра и Богуславского.
1 Принцип Паули и определитель Слейтера. 2 Принцип Паули Волновые функции Хартри для атома, построенные в виде произведения одноэлектронных функций, не.
КОРРЕЛЯЦИОННЫЕ СВОЙСТВА КВАНТОВОГО НАСОСА М.В. Москалец, Каф. ФМП, НТУ «ХПИ», Харьков В сотрудничестве с: Markus Büttiker, University of Geneva ФТИНТ,
Туннельный эффект. Квантовый осциллятор Лекция 3 Весна 2012 г. Лектор Чернышев А.П.
Диоды на основе p-n перехода Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами. Существуют следующие типы полупроводниковых.
Расчет электрических характеристик структур на основе высокоомного GaAs:Cr,Sn Студент 703 группы Суранов Я. С. Руководитель работы – старший преподаватель.
Транксрипт:

1 Кацивели, 02 октября « МЕТОД ХАРТРИ И ПРИЛИЖЕНИЕ ЛИНЕЙНОГО ПАДЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА » Докладывает: ФЕДЯЙ Артем Васильевич, к.т.н. НТУУ «КПИ» Факультет электроники Кафедра физической и биомедицинской электроники Соавтор: МОСКАЛЮК Владимир Александрович, проф., к.т.н.

2 Содержание 1.Объект: 1.1) топология резонансно-туннельного диода (РТД); 1.2) принцип работы РТД; 2.Модель. 3.Приближение линейного падения потенциала. 4.Приближение самосогласованного потенциала (метод Хартри). 5.Верификация: 5.1. РТД с однородным эмиттером РТД со ступенчатым эмиттером. 6. Выводы.

3 Объект моделирования Для «активной» области выполняется условие микроскопичности Ф 35 нм L p 0.35 мкм L ф 0.1 мкм ток L

4 Resonant-tunneling diode: principle of operation Низкое напряжение Зонная структура при низком напряжении E 0 >E F k-пространство, море Ферми, k 0 Ни один эл-н не удовл. условию k z =k 0 Пока нет электронов с k z =k 0, нет и тока условие резонансноного туннелирования НЕ ВЫПОЛНЯЕТСЯ НИ ДЛЯ ОДНОГО ЭЛЕКТРОНА

5 Resonant-tunneling diode: principle of operation Средние напряжения E c

6 Высокое напряжение E 0 нет тока k 0 становится мнимым ни один электрон из ЗП не удовлетворяет условию резонансного туннелирования высокое напряжение экспериментальная ВАХ теоретическая ВАХ

Модель Описание электронного коллектива в квантовой области производится: в рамках одноэлектронного приближения в рамках формализма огибающей волновой функции В продольном направлении электроны описываются волнами Блоха: Поэтому «рабочее» уравнение одномерно: огибающие которых – плоские волны, и уравнение Шредингера имеет тривиальное решение

8 Методика расчета тока Ток рассчитывается, используя близкий к Ландауэру подход, используя который можно получить формулу Цу-Эсаки: – коэффициент прохождения ДБКС Поиск – центральная проблема любого метода

Приближения для потенциальной энергии электрона Линейное падение потенциала: 9 потенциал рельеф ЗП при условии электронейтральности метод Хартри. (система «Шредингер-Пуассон»)

Наглядный пример отличий приближений потенциала Линейное падение потенциала: 10 метод Хартри

11 Учет рассеивания в квантовой яме 11 Введение мнимого потенциала в Гамильтониан [7],[50],[52],[53]: Введение «некогерентного» канала в рамках улучшеной в части нахождения T L и T R модели [7], [50]: [50] Buttiker M. – – Vol. 32. – P. 63–75. [52] Zohta Y. J. Appl. Phys. – – Vol. 74. – P. 6996–6998. [53] Sun J.P. VLSI Design. – – Vol. 6. – P. 83–86. [7] Абрамов И.И. – – Том 39, Вып. 9. – C. 1138–1145.

12 Модель переноса между ЭКЯ и ОКЯ Введем: M :=T практ / T теор Конечная ширина d приводит к «естественному» расширению Г n за счет сокращения времени жизни на n : Но к такому же расширению приводили бы и процессы релаксации энергии со временем релаксации E : Поэтому, меняя T d, можна моделировать изменение E : T d (a) E j(E z | E z < E c,L ). Заданному E соотв. T d (обозн. T теор ): На практиці для даного d отримаємо: Считая, что, получим: Часть зонной диаграммы

Как на практике реализованы модели? 13 Программная реализация: GUI* численная реализация: КРС 2-го порядка точности. Консервативная. С/c по методу Гуммеля * Есть версия, доступная online (написана на Java); а есть - на Matlab-GUI, все доступно с

Верификация: РТД с однородным эмиттером эксперимент линейное падение потенциала метод Хартри область плато предсказывается область плато не предсказывается транспорт между ЭКЯ и ОКЯ учитывается!

Механизм формирования области «плато» Для РТД с однородным эмиттером ( локальная плотность состояний) красный>зеленый>синий

16

Прелюдия к верификации-2. РТД со «ступенчатым» эмиттером а) обычный эмиттерб) ступенчатый эмиттер топология зонная диаграмма zz

Верификация РТД со «ступенчатым» эмиттером эксперимент линейное падение потенциала метод Хартри область плато предсказывается не предсказывается область плато Транспорт между ЭКЯ и ОКЯ можно не учитывать, никакого видимого вклада он не вносит

Откуда берется область плато? специфика ступенчатого эмиттера подынтегральное выражение для тока для РТД с однородным эмиттером подынтегральное выражение для тока для РТД со ступенчатым эмиттером

E z, эВ Верификация РТД со «ступенчатым» эмиттером никакого отношения к образованию областей «плато» перекрытие уровней ЭКЯ и ОКЯ не имеет.

ВЫВОДЫ 1. Напряжение пика всегда лучше предсказывается в приближении Хартри. 2. Путем верификации показано, что модель, исп. приближение Хартри, не в состоянии предсказать «особенности» на падающем участке ВАХ («плато» и т.д.) 3. Область «плато» на ВАХ вне зависимости от физического механизма ее формирования предсказывается при помощи приближения линейного падения потенциала. 4. Из 2 и 3 следует, что приближение Хартри предсказывает «завышенное» количество эмитируемых из резервуаров электронов. Их пространственный заряд «выталкивает» т.н. эмиттерную квантовую яму вверх, нивелируя возможность ее заселения в обычных РТД и препятствуя нетривиальной интерференции в РТД со ступенчатым эмиттером.

СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ.