А.А. Чистилин, А.А. Романов Ю.М.Московская ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ КИСЛОРОДА В СЛОЙ КРЕМНИЯ НА САПФИРОВОЙ ПОДЛОЖКЕ НА ТОКИ УТЕЧКИ n-КАНАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ КМОП БИС КНС ТЕХНОЛОГИИ

КНС Ø 100 мм, с толщиной (ГЭС) кремния 0,3 мкм Тестовые структуры Типовые структуры ОБЪЕКТ ИССЛЕДОВАНИЯ

Изменение драйверных токов транзисторов (среднее по пластине) Тn – линейный транзистор Тnf – линейный транзистор с плавающей подложкой Тnc – квадратный транзистор

СТРУКТУРНОЕ СОВЕРШЕНСТВО ГЭС КРЕМНИЯ Увеличение подвижности Уменьшение ШКК

Изменение токов утечки n – канальных транзисторов, сформированных на тестовой структуре, после облучения Тn – линейный транзистор Тnf – линейный транзистор с плавающей подложкой Тnc – квадратный транзистор

Изменение токов утечки n – канальных транзисторов, сформированных на типовой структуре, после облучения. Тn – линейный транзистор Тnf – линейный транзистор с плавающей подложкой Тnc – квадратный транзистор

Существенному улучшению структурного совершенства Увеличению токов утечки n-канальных транзисторов. Токи утечки р-канальных транзисторов были несущественны После облучения тестовых модулей гамма- квантами токи утечки n-канальных транзисторов дополнительно возросли. Имплантация в кремниевый слой тестовых структур ионов кислорода привела к:

Увеличение токов утечки n-канальных транзисторов при воздействии ионизирующего излучения может свидетельствует об образовании на границе раздела кремний сапфир отрицательно заряженных центров, приводящих к образованию инверсионного слоя. Вышеизложенное свидетельствует о том, что концентрация кислорода на границе раздела кремний – сапфир влияет на качественные характеристики параметров КМОП КНС структуры.

Авторы выражают благодарность за помощь в отработке и проведении операций по аморфизации и рекристаллизации слоев кремния в использованных структурах КНС П.А. Александрову, К.Д. Демакову, С.Г. Шемардову и Ю.Ю. Кузнецову из РНЦ "Курчатовский институт"