Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM Производство мощных полупроводниковых лазеров ( = 0.8 – 1.8 мкм) Физико-Технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН Лаборатория Полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Зав.лаб. – проф. Илья Сергеевич Тарасов) ООО «ЭЛЬФОЛЮМ» - Центр поддержки инноваций ФТИ им.Иоффе РАН (Ген.директор – Никита Александрович Пихтин) Контакты: Никита А. Пихтин Teл : Fax:

Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM Основное направление деятельности: Разработка, исследование и изготовление мощных полупроводниковых лазеров, излучающих в диапазоне длин волн нм. Основные виды изготавливаемых лазерных диодов: Одномодовые Фабри-Перо лазеры: Диапазон длин волн – 780 – 1800 нм Непрерывная излучаемая рабочая мощность – до 100 мВт Типы корпусов: SOT-148 ( 9 мм), открытый теплоотвод, носитель Многомодовые Фабри-Перо лазеры: Диапазон длин волн – 780 – 1800 нм Непрерывная излучаемая рабочая мощность – до 4 Вт Импульсная излучаемая рабочая мощность – до 100 Вт *Новинка !!! Типы корпусов: HHL, открытый теплоотвод, носитель

Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM Основные применения: Телекоммуникации Метрология (локация, контроль волокна, дальнометрия) Накачка волоконных и твердотельных лазеров Медицина (терапия, акупунктура, микрохирургия) Технологические процессы (резка и сварка металлов, гравировка) Военная промышленность (приборы ночного видения, дистанционные пускатели)

Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM

Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM Выставка «Ганновер 2005»

Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM CW W = 100μm λ = 1.06 μm P=16 W КПД = 74 % R s = 24 mΩ R t = 4 ºC / W Ватт – амперная характеристика и зависимость КПД от тока накачки для InGaAs/AlGaAs/GaAs лазерного диода

Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM Спектр излучения InGaAs/AlGaAs/GaAs лазеров со сверхшироким волноводом Ток накачки А А А А

Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM Перпендикулярное и параллельное дальнее поле InGaAs/AlGaAs/GaAs лазеров со сверхшироким волноводом Генерация только на основной моде I=15 A P=12 Вт CW

Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM Т = 65 о С – heatsink temperature Р op = 3-4 W – operating power I op = А - drive current Тестирование срока службы лазерных диодов Δ Р < 3% часов

Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM Structure: Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Lab Head: Prof. Ilya S.Tarasov Staff: 40 people Wafer growth technology Wafer Design MOCVD - EMCORE GS/3100 MBE, LPE Post-growth technology Photolithography Wet chemical etching Dielectric coating Ohmic contacts Dry plasma-ion etching - AlCATEL Magnetron sputtering Ti/Pt/Au Measurement of output parameters and aging tests Die bonding Wire bonding Packaging Chip-on-submount SOT-148 C-mount or any heatsink HHL Wafer Characterization (PL, EL,AFM, TEM, SEM, X-ray) Mounting ELFOLUMELFOLUM Sales and management Start-up company

Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM EMCORE installation for MOCVD growth of laser heterostructures 2- substrate rotation holder high homogeneity growth of thin layers

Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM Post-growth process: Photolithography installation 2 wafer processing Mesastripe photomask formation

Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM Post - growth process: Dry ion-plasma etching Mesastripe formation Vertical sidewalls Precise etching depth

Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM Post - growth process: Coating deposition on laser diode facets Magnetron sputtering Layer thickness control Antireflection/ Highreflection coating

Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM Post - growth process: Laser diode mounting and packaging Die bonding Precise chip position Wire bonding

Semiconductor Luminescence and Injection Emitters Laboratory ELFOLUM Test and measurement of laser diode output parameters L-I, V-I characteristics Beam divergence Emitting spectra Aging tests