Монокристаллы TeO2 для Акустооптики и Оптоэлектроники.

Презентация:



Advertisements
Похожие презентации
Кристаллы LiNbO 3 для электрооптики и оптоэлектроники.
Advertisements

Поляризационная оптика на основе TeO2 – Призмы Волластона и Лучерасщепители.
ОАО «НПО ГИПО» – научно-производственный центр федерального значения. Осуществляет комплексные исследования фундаментального, поискового и прикладного.
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УДК Выпускная работа по Основам информационных технологий Магистрант кафедры физики полупроводников и наноэлектроники.
6 мкм Выполнил: Нго В.Т. Гр.В 4216 Преподаватель: Серебряков.В.А Санкт-петербург 2016 г.
Очистка поверхностей картин и икон. Необходимость очистки Для сохранения слоя изображения поверхности картин и икон могут покрываться лаком: даммаровая.
Институт прикладной физики РАН Производство поликристаллических алмазных пленок методом осаждения из паровой фазы Нижний Новгород, 2005г.
Закрытое акционерное общество «НОВЫЕ ИНСТРУМЕНТАЛЬНЫЕ РЕШЕНИЯ» Металлорежущий инструмент с наноструктурированным покрытием Март 2010 г.
Белорусский государственный университет химический факультет Магистерская диссертация на тему: Электрохимическое формирование мезопористых оксидных покрытий,
Содержание. 1. Введение. 2. Внутренний мир кристаллов. 2.1 Геометрия кристаллов. 2.2 Строение кристаллов. 3. Выращивание кристаллов. 3.1 Кристаллизация.
ЭЛЕКТРОЛИТНО-ПЛАЗМЕННАЯ ПОЛИРОВКА изделий из нержавеющих сталей, цветных металлов и сплавов (латунь, бронза, мельхиор ) в водных растворах солей низкой.
1 СПЕКТРЫ МОЛЕКУЛ И ТВЁРДЫХ ТЕЛ. 2 Спектр поглощения воды.
Программа Президиума РАН 27 «ОСНОВЫ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НАНОТЕХНОЛОГИЙ И НАНОМАТЕРИАЛОВ» Проект 35: «Исследование, разработка и изготовление двухцветного.
Новый способ защиты шпунтов На основе термодиффузионного нанесения наноструктурированных покрытий в индукционной печи г. Санкт-Петербург 2015 г.
Тепловое излучение и его характеристики. ТЕПЛОВОЕ (ИНФРАКРАСНОЕ) ИЗЛУЧЕНИЕ Тепловое излучение - это электромагнитное излучение, которое возникает за счет.
ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕРМИЧЕСКОЙ СТАБИЛЬНОСТИ СТРУКТУРЫ И МЕХАНИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТИТАНА В СУБМИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ СОСТОЯНИИ, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ ABC- ПРЕССОВАНИЯ.
Перспективные разработки Международной лаборатории функциональных материалов на основе стекла РХТУ им. Д,И. Менделеева Новые материалы для волоконных и.
Наноструктурированные стекла и порошки, полученные с применением методов коллоидной химии Работа выполнена в тесном сотрудничестве с: 1) НИИ физико-химических.
Спектральный анализ. это метод определения химического состава и других характеристик вещества по его спектру Применение Позволяет обнаружить в веществе.
Belarus National Technical University Кулешов Н.В. N.V Научно-исследовательский центр оптических материалов и технологий Белорусский национальный технический.
Транксрипт:

Монокристаллы TeO2 для Акустооптики и Оптоэлектроники

Компания "Элент А / Элент Техникс" более 20 лет специализируется на выращивании акустооптических и оптоэлектронных кристаллов. Предприятие обладает собственной производственно-технической базой для выращивания и обработки монокристаллов парателлурита (ТеО 2 ). Накопленный опыт и множество проведенных исследований и экспериментов позволяют нам предлагать своим заказчикам по всему миру высококачественную продукцию, отвечающую самым высоким требованиям. Мы предлагаем качество u стабильность!

Наши производственные мощности занимают площадь более 2000 м 2, на которых расположены химическая, ростовая и оптическая лаборатории. Наши лаборатории оборудованы всем необходимым производственным и контрольным оборудованием. Химическая лаборатория занимается подготовкой шихты для выращивания кристаллов ТеО 2. Процесс очистки включает в себя разработанный нашими специалистами уникальный метод физико-химической очистки шихты. Такая очистка позволяет нам получать качественную шихту чистотой 6N для производства кристаллов по различным требованиям наших заказчиков. Ростовая лаборатория оснащена установками для выращивания кристаллов ТеО 2 методом Чохральского собственной разработки. Процесс роста монокристаллов полностью автоматизирован. Оптическая лаборатория оснащена всем необходимым оборудованием для проведения кристаллографической ориентации, распиловки, шлифовки, полировки и нанесения оптических покрытий. Точность кристаллографической ориентации составляет 1', параллельность шлифовальных поверхностей до 1мкм, параллельность полировальных поверхностей до 10-15'', угол между полировальными поверхностями до 3'', точность полировки λ/10.

Бесцветный синтетический монокристалл Симметрия: Тэтрагональная, 422 (D 4 ) Постоянные решетки: a = Å; c = Å Молекулярная масса: Плотность, г/см 3 : 5.99 ± 0.03 Температура плавления: 733 ˚С Твёрдость: 3 – 4 по шкале Мооса Коэффициенты термического расширения, ·10 -6 К -1 : α 11 =17.7; α 22 =17.7; α 33 =5.5 Полоса пропускания: 0.35 – 5.0 μm Монокристаллы ТеО 2 (партеллурита, диоксида теллура) Основные свойства

исходная шихта для роста монокристаллов собственного производства имеет чистоту не хуже 99,9995% основного вещества; диаметр буль до 90 мм, высота до 50 мм, высокая оптическая однородность в большом объеме материала; монокристаллы прозрачные и визуально бесцветные, не имеют полос поглощения в видимой и ИК областях спектра; не содержат свилей, трещин, визуально различимых пузырьков и их скоплений, других инородных включений; очень низкое рассеяние оптического излучения Монокристаллы ТеО 2 (парателлурита, диоксида теллура) Характеристики

Тестирование образца 1 проводилось на: 1.064мкм Длительность импульсов: 12нс Частота повторения: 1Гц Диаметр пятна на поверхности: 4 - 6мм Первые повреждения появились при плотности мощности в импульсе 2x10 8 Вт/см 2 Тестирование образца 2 проводилось на: 0.355мкм Длительность импульсов: 10нс Частота повторения: 10Гц Диаметр пятна на поверхности: 5мм Первые повреждения появились при плотности мощности в импульсе 2x10 8 Вт/см 2 Пробой на поверхностях А и Б произошел при плотности мощности 2.5x10 7 Вт/см 2 Результаты тестирования образцов TeO 2 на лучевую прочность

Образец 1 – кристалл TeO 2 выращенный специально для 355 – 405нм Образец 2 - стандартный кристалл TeO 2 выращенный для видимого и ближнего ИК диапазонов Спектр пропускания кристаллов в видимом и ИК диапазонах

Спектр пропускания кристаллов в ИК диапазоне 2,5 – 4,5 мкм Кристаллы TeO 2 выращенные по специальной технологии минимизирующей поглощение кристаллизованной воды в диапазоне 2,7 – 3,2 мкм Стандартные кристаллы TeO 2 для ИК диапазона (могут содержать области поглощения)

Монокристаллы TeO 2 являются идеальным материалом для акустооптических приборов таких как модуляторы, дефлекторы, перестраиваемые фильтры, спектральные анализаторы и многих других акустооптических и оптоэлектронных приборов. Наиболее распространённые области применения кристаллов TeO 2

Мы всегда открыты для сотрудничества с имеющимися и потенциальными заказчиками и партнёрами ! Элент A / Элент ТехниксЭлент A / Элент Техникс ул. Гоголя 15, Днепропетровск, Украина Тел./Факс , ,